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最新专利技术
  • 一种控制系统和半导体设备
    一种控制系统和半导体设备_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411515525.9
    本公开实施例提供了一种控制系统和半导体设备，控制系统包括腔体和管路，腔体包括加热静电吸盘，晶圆吸附于加热静电吸盘上，管路与加热静电吸盘连接；管路中流动有背部气体，背部气体通入至晶圆和加热静电吸盘之间；管路按照背部气体流入腔体的方向依次设置有...
    2026-05-08
  • 晶片清洗装置及晶片清洗方法
    晶片清洗装置及晶片清洗方法_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202610122765.5
    本发明涉及晶片制造设备技术领域，公开了一种晶片清洗装置及晶片清洗方法。所述晶片清洗装置包括清洗槽体、固定组件以及滚动机构，固定组件安装在清洗槽体内，固定组件用于夹持固定装载有晶片组件的卡塞；滚动机构包括驱动模块和转动件，转动件设置在清洗槽体...
    2026-05-08
  • 液相法SiC衬底表面金属污染去除方法
    液相法SiC衬底表面金属污染去除方法_东莞市中科汇珠半导体有限公司_202610052029.7
    本申请公开了一种液相法SiC衬底表面金属污染去除方法。液相法SiC衬底表面金属污染去除方法包括如下步骤：对SiC衬底进行清洗处理；对清洗处理后的所述SiC衬底进行低温气相清洗处理；以及，对低温气相清洗处理后的所述SiC衬底进行高温气相清洗处...
    2026-05-08
  • 一种晶圆清洗机构及晶圆清洗设备
    一种晶圆清洗机构及晶圆清洗设备_环诚智能装备(成都)有限公司_202610030752.5
    本发明提供了一种晶圆清洗机构及晶圆清洗设备；晶圆清洗机构包括清洗腔、承载驱动组件以及流体供给组件；承载驱动组件包括真空吸盘、中空驱动电机以及升降驱动器；流体供给组件包括第一供给部和第二供给部。本发明通过集成了吸附、旋转与升降功能的承载驱动组...
    2026-05-08
  • 一种小流量液体精密输送系统及控制方法
    一种小流量液体精密输送系统及控制方法_上海至纯洁净系统科技股份有限公司_202512044727.0
    本发明公开了晶圆清洗领域的一种小流量液体精密输送系统及控制方法。该系统包括依次连接液源、缓冲罐及用液终端的供液路线，以及连接缓冲罐顶部气口的供气系统，供气系统在缓冲罐内形成恒定气压，利用柔性气垫取代机械泵驱动液体输出，从物理层面消除动力源脉...
    2026-05-08
  • 一种实验晶圆清洗设备
    一种实验晶圆清洗设备_苏州锃道研磨技术有限公司_202512039365.6
    本发明提供了一种实验晶圆清洗设备，其包括：基台；承载机构，其包括晶圆载台；喷淋机构，其包括安装架、旋转组件、升降组件及喷淋组件，旋转组件驱动安装架绕第一转动中心线旋转，升降组件驱动喷淋组件升降移动，喷淋组件包括至少两个喷淋管，至少两个喷淋管...
    2026-05-08
  • 一种氮化镓单晶衬底的三步湿法化学清洗方法
    一种氮化镓单晶衬底的三步湿法化学清洗方法_山东大学_202511910068.8
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓单晶衬底的三步湿法化学清洗方法。所述方法包括以下步骤：对GaN单晶衬底表面进行预清洗，而后采用浓硫酸与双氧水进行清洗，后用去离子水冲洗；于BOE溶液中浸泡而后用去离子水冲洗；再于盐酸、双氧水混...
    2026-05-08
  • 一种晶圆清洁系统及方法
    一种晶圆清洁系统及方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511907326.7
    本公开提供了一种晶圆清洁系统及方法，系统包括传输单元、表面特性检测单元、多模式清洁组件、工具致动机构以及控制器；其中，传输单元用于沿工艺路径输送晶圆；表面特性检测单元布置于工艺路径的预设位置，配置为以非接触方式探测晶圆待清洁表面的物理表面特...
    2026-05-08
  • 基板加工方法、制造方法及基板加工装置
    基板加工方法、制造方法及基板加工装置_细美事有限公司_202511562032.5
    提供一种基板加工方法、制造方法及基板加工装置。基板加工方法包括：液体处理操作，将处理液体供应到所述基板；干燥操作，从所述基板上去除在所述液体处理操作中供应的所述处理液体；以及线宽校正操作，校正在所述液体处理操作中形成在所述基板上的图案的线宽...
    2026-05-08
  • 用于切割集成电路(IC)裸片的制造工艺
    用于切割集成电路(IC)裸片的制造工艺_德州仪器公司_202511487408.0
    本公开涉及一种用于切割集成电路IC裸片的制造工艺。一个实例包含用于切割包含多个集成电路IC裸片(106)的半导体晶片(102)的方法。所述方法包含提供穿过所述半导体晶片(102)的衬底的在所述半导体晶片(102)的经制造电路之间的厚度的一部...
    2026-05-08
  • 用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件
    用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件_北京芯力技术创新中心有限公司_202610171624.2
    本发明提供了一种用于临时键合结构的载体晶圆去除方法及半导体器件。解决了现有技术存在的刻蚀均匀性差、易损伤器件、良率低等问题。去除方法包括：对与器件晶圆临时键合的硅载体晶圆进行机械研磨，将其减薄至第一厚度；在减薄后的硅载体晶圆表面形成图案化的...
    2026-05-08
  • 片源分离装置
    片源分离装置_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511855283.2
    本公开提供了一种片源分离装置，属于半导体器件制造技术领域。所述装置包括工作台、升降台、多个刀片组件以及连接组件，所述工作台具有用于固定键合在一起的两个片源的第一表面；所述升降台与所述第一表面间隔布置且能够沿着垂直于所述第一表面的方向移动；所...
    2026-05-08
  • 芯片到晶圆先进封装方法
    芯片到晶圆先进封装方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202610177274.0
    本发明提供一种芯片到晶圆先进封装方法，包括以下步骤：提供载体晶圆和待切割晶圆，所述待切割晶圆具有多个预定义的芯片单元；通过临时键合工艺将所述待切割晶圆的背面与所述载体晶圆的正面键合，形成一个键合整体；以所述载体晶圆作为工艺承载基体，对所述键...
    2026-05-08
  • 硫化镉薄膜的化学抛光后处理方法、硫化镉薄膜及器件
    硫化镉薄膜的化学抛光后处理方法、硫化镉薄膜及器件_中国科学院物理研究所_202610135494.7
    本发明提供了一种硫化镉薄膜的化学抛光后处理方法、硫化镉薄膜及器件。该化学抛光后处理方法包括：在基底或器件结构表面制备硫化镉薄膜；以及将硫化镉薄膜浸入化学抛光液中进行后处理，其中，化学抛光液被配置为对硫化镉薄膜的表面的松散颗粒产生选择性溶解并...
    2026-05-08
  • 一种半导体芯片生产用的浸蚀装置
    一种半导体芯片生产用的浸蚀装置_江苏唐龙电子科技有限公司_202610154398.7
    本发明公开了一种半导体芯片生产用的浸蚀装置，涉及半导体芯片生产加工领域，包括：装置外壳与设置于安装于装置外壳内侧的放置框，放置框的顶部设置有挡罩，且放置框与挡罩的内侧均安装有防护格栅，挡罩的外侧固定安装有转杆，转杆的外侧铰接装配有两个套座，...
    2026-05-08
  • 一种晶圆腐蚀工艺及腐蚀方法
    一种晶圆腐蚀工艺及腐蚀方法_安徽沃天传感技术有限公司_202511931900.2
    本发明提出了一种晶圆腐蚀工艺及腐蚀方法，包括：将纯水、HNO3、HF、Hac以175：120：130：70的比例依次加入盛有催化剂的聚乙烯容器中；缓慢搅拌和摇晃，放置50min后，制成腐蚀液用于腐蚀单片晶圆，通过通过采用纯水、HNO₃、HF...
    2026-05-08
  • 衬底处理装置及衬底处理方法
    衬底处理装置及衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202511554526.9
    本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明通过使用压力传感器对多个压力检测点的检测结果，精度良好地检测轴的进退移动的异常。本发明的处理单元具备：喷嘴本体(52)，用于对衬底进行规定表面处理；轴(532)，通过电动机(531)的驱动而在...
    2026-05-08
  • 衬底处理装置
    衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202511554339.0
    本发明提供一种机构，其在喷嘴配置于衬底的下方的衬底处理装置中，能够进行喷嘴的位置调整，且能够容易地进行更换零件时的维护作业。本发明的衬底处理装置(1)具备喷嘴机构(50)。喷嘴机构具备两个以上具有喷嘴本体(52)、与使喷嘴本体在衬底的半径方...
    2026-05-08
  • 衬底处理装置及衬底处理方法
    衬底处理装置及衬底处理方法_株式会社斯库林集团_202511554337.1
    本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明在致动器与喷嘴本体之间的空间中，能够以任意形状设计压力传感器，实现衬底处理装置的构成的小型化。处理单元具备：喷嘴本体(52)，朝向衬底的下表面周缘部喷出处理液；轴(532)，通过电动机(531...
    2026-05-08
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610419234.2
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：在研磨阻挡层上依次形成第一介质层、刻蚀阻挡层和第二介质层，第一介质层的厚度等于研磨阻挡层和焊盘之间的间距；形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出所述第二凹槽外侧的第二介质...
    2026-05-08
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