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最新专利技术
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610419234.2
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：在研磨阻挡层上依次形成第一介质层、刻蚀阻挡层和第二介质层，第一介质层的厚度等于研磨阻挡层和焊盘之间的间距；形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出所述第二凹槽外侧的第二介质...
    2026-05-08
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610407639.4
    本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该方法包括：提供一具有栅极结构层的衬底，栅极结构层包括间隔设置的多个栅极；在栅极结构层背离衬底的一侧，形成栅极之间的牺牲层；在牺牲层背离衬底的一侧形成覆盖牺牲层和栅极结构层的...
    2026-05-08
  • 一种沟槽的干法刻蚀工艺及半导体结构
    一种沟槽的干法刻蚀工艺及半导体结构_重庆芯联微电子有限公司_202511950645.6
    本发明提供一种沟槽的干法刻蚀工艺及半导体结果，刻蚀工艺包括：提供衬底，衬底表面层叠设置有低k介质层和图形化的刻蚀掩膜层；图形化的刻蚀掩膜层中包括至少两种线宽不同的图形；通过干法刻蚀工艺在低k介质层中对应形成具有不同线宽的沟槽；其中，干法刻蚀...
    2026-05-08
  • 一种干法刻蚀机用芯片连续提取装置
    一种干法刻蚀机用芯片连续提取装置_广西仁固节能科技有限责任公司_202610139285.X
    本发明公开了一种干法刻蚀机用芯片连续提取装置，属于半导体制造设备技术领域。包括磁浮输送机构和清洁模块，所述磁浮输送机构包括轨道基板、电机定子模块和磁浮气浮托板，所述电机定子模块设置于所述轨道基板内部，所述磁浮气浮托板位于所述电机定子模块上方...
    2026-05-08
  • 一种掺杂方法和半导体器件
    一种掺杂方法和半导体器件_深圳技术大学_202610045076.9
    本发明公开一种掺杂方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，所述掺杂方法包括以下步骤：提供一反应容器，所述反应容器具有一反应腔，将待处理对象置于所述反应腔内，将掺杂气体通入所述反应腔，并进行超临界处理，以得到处于超临界状态的掺杂流体，以使得所述...
    2026-05-08
  • 一种离子注入SiC的激活及表面保护方法
    一种离子注入SiC的激活及表面保护方法_青岛思锐智能科技股份有限公司_202610418260.3
    本发明公开的一种离子注入SiC的激活及表面保护方法，涉及半导体制造技术领域；包括以下步骤：对SiC晶圆进行高温离子注入；在高温离子注入后的SiC晶圆上进行PVD镀碳膜；对镀碳膜后的SiC晶圆进行激光激活退火；对退火后的SiC晶圆进行等离子体...
    2026-05-08
  • 一种降低RC延迟的刻蚀停止层及其制备方法
    一种降低RC延迟的刻蚀停止层及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511988529.3
    本发明公开了一种降低RC延迟的刻蚀停止层及其制备方法，所述制备方法采用等离子体增强化学气相沉积方法进行以下沉积步骤：步骤S1、在介质层表面沉积第一氮掺杂碳基材料层，采用的第一反应气体为四甲基硅烷和氨气的组合；步骤S2、在所述第一氮掺杂碳基材...
    2026-05-08
  • 形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构
    形成多晶钼膜的方法和包含多晶钼膜的相关结构_ASMIP私人控股有限公司_202512046498.6
    公开了用于在衬底表面上形成多晶钼膜的方法。所述方法可以包括：将衬底提供到反应室中；将成核膜直接沉积在衬底的暴露表面上，其中成核膜包含金属氧化物成核膜或金属氮化物成核膜中的一种；以及将多晶钼膜直接沉积在成核膜上；其中多晶钼膜包含多个具有小于8...
    2026-05-08
  • 一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法
    一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法_上海申和投资有限公司_202512002531.5
    本发明提供了一种柔性碲化铋基热电材料膜的制备方法：通过电泳沉积结合冷等静压和低温退火的制备工艺，能够实现碲化铋基热电薄膜的高致密化与高度c轴取向，使其在远低于传统块体工艺温度下即达到ZT≥1.1，并具备优异柔性的高性能。
    2026-05-08
  • 一种p型碳化硅器件结构的制备方法和碳化硅器件的制备方法
    一种p型碳化硅器件结构的制备方法和碳化硅器件的制备方法_浙江大学杭州国际科创中心_202610416163.0
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种p型碳化硅器件结构的制备方法和碳化硅器件的制备方法。本发明提供的一种p型碳化硅器件结构的制备方法，先在半导体衬底上依次形成硅层和铝层，然后再通过气‑液‑固(VLS)的生长机制在具有铝层和硅层的衬底上...
    2026-05-08
  • 大尺寸重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆及键合结构
    大尺寸重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆及键合结构_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202610416101.X
    本发明属于半导体器件加工制造技术领域，涉及大尺寸重构晶圆的制造方法、大尺寸重构晶圆及键合结构。大尺寸重构晶圆的制造方法包括：提供第一晶圆，沿厚度方向将其切割为多个子片；提供尺寸更大的第二晶圆，将多个子片键合于第二晶圆的释放层表面，对子片进行...
    2026-05-08
  • 芯片到晶圆键合结构减薄方法及芯片到晶圆键合结构
    芯片到晶圆键合结构减薄方法及芯片到晶圆键合结构_北京芯力技术创新中心有限公司_202610171632.7
    本发明提供一种芯片到晶圆键合结构减薄方法及芯片到晶圆键合结构。在键合后、减薄前，将芯片的侧壁边缘优化为弧形轮廓例如倒角或圆角，有效减小化学机械抛光的抛光垫等减薄工具与芯片侧壁接触时产生的横向剪切力，使得芯片仅依靠其与基底的键合强度即可稳定承...
    2026-05-08
  • 具有芯片支撑功能的芯片到晶圆键合结构及其制备方法
    具有芯片支撑功能的芯片到晶圆键合结构及其制备方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202610171623.8
    本发明提供一种具有芯片支撑功能的芯片到晶圆键合结构及其制备方法。采用聚硅氮烷溶液作为前驱体，通过旋涂工艺选择性填充芯片间隙，再将其转化为二氧化硅支撑结构的方法。利用旋涂工艺的高效率和常温处理特性，避免了高温和厚膜沉积引发的翘曲问题。通过控制...
    2026-05-08
  • 基于原子级几何限制层的易失性阈值开关器件及其制备方法
    基于原子级几何限制层的易失性阈值开关器件及其制备方法_西安电子科技大学_202610082296.9
    本发明公开了一种基于原子级几何限制层的易失性阈值开关器件及其制备方法。该器件包括依次层叠设置的衬底层、底电极层、功能活性层、几何限制层和顶电极层；功能活性层用于提供活性金属离子以形成导电细丝；功能活性层的材料为二维层状铁电材料；几何限制层的...
    2026-05-08
  • 开关单元
    开关单元_意法半导体股份有限公司_202610057131.6
    本公开的实施例涉及开关单元。一种电子单元，包括集成堆叠的结构，依次包括：第一电极；在第一电极下方的双向阈值开关层；以及固定电阻器，位于所述双向阈值开关层下方。第二电极可以包括在固定电阻器和双向阈值开关层之间。存储器层，例如相变材料层、电阻式...
    2026-05-08
  • 一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法
    一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法_北京印刷学院_202610047846.3
    本发明公开了一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括由下至上依次设置的衬底、下电极层、复合功能层、上电极层和柔性防护膜层，复合功能层包括由二维材料制成的阻变层及堆叠覆盖于阻变层上表面的石墨烯阻隔层，石墨烯阻隔...
    2026-05-08
  • 一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用
    一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用_复旦大学_202512037814.3
    本发明属于新型存储器件技术领域，具体涉及一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用，包括依次层叠的底电极、阻变层、氧化钽层和顶电极；氧化钽层的厚度大于阻变层的厚度；底电极、阻变层、氧化钽层和顶电极均满足BEOL的温度窗口要求；通过操...
    2026-05-08
  • 包括阻变层和热约束电极层的半导体器件
    包括阻变层和热约束电极层的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511302439.4
    根据一种实施例的一种半导体器件包括：衬底；电极结构，该电极结构设置在衬底之上并且包括交替设置的层间绝缘层和水平电极层；阻变层，该阻变层沿着穿透衬底上的电极结构的孔的侧壁表面而设置；氧空位储层，该氧空位储层在孔内设置在阻变层上；第一热约束电极...
    2026-05-08
  • 具有混合存储层的半导体器件及其制造方法
    具有混合存储层的半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511074598.3
    本申请涉及具有混合存储层的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括沿第一方向延伸的第一互连线；沿第二方向延伸的第二互连线；及设置在第一互连线与第二互连线之间的存储单元。存储单元包括第一电极；在第一电极之上的包括铁电层的第一存储层；在第一存储层...
    2026-05-08
  • 一种相变材料层及其制备工艺、基于退火工艺的低阻态锗碲相变开关器件及其制备工艺
    一种相变材料层及其制备工艺、基于退火工艺的低阻态锗碲相变开关器件及其制备工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202610115926.8
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变材料层初始处于高阻态，需要电初始化的问题，提供了一种相变材料层的制备工艺，包括：S100、通过光刻工序和磁控溅射工序制备GeTe相变薄膜；S200、所述相变薄膜通过退火工序制得相变材料层；所述退火工序的...
    2026-05-08
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