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最新专利技术
  • 一种基于铌酸锂波导集成钙钛矿光电探测器阵列及制备方法
    一种基于铌酸锂波导集成钙钛矿光电探测器阵列及制备方法_华东师范大学_202610053104.1
    本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂波导集成钙钛矿光电探测器阵列制备方法，其特点是以绝缘体上铌酸锂为集成平台，利用其低损耗光学波导作为光传输载体，结合钙钛矿材料的高光吸收特性与低暗电流优势，实现高性能片上光电探测功能，该探测器单元由铌酸锂脊形波导...
    2026-05-10
  • 一种氧化镓弧光监测器的制备方法
    一种氧化镓弧光监测器的制备方法_北京科技大学_202512056692.2
    本发明提供一种氧化镓弧光监测器的制备方法，属于光电探测技术领域，包括以下步骤：采用磁控溅射法，在清洗后的硅衬底表面依次沉积氧化镓低氧层和氧化镓薄膜；对氧化镓薄膜依次进行清洗、旋涂光刻胶和烘干，然后将叉指电极的掩膜版贴于薄膜表面并用光刻机曝光...
    2026-05-10
  • 一种肖特基耦合同质结半导体材料的制备与应用
    一种肖特基耦合同质结半导体材料的制备与应用_武汉纺织大学_202512046357.4
    本发明公开了一种肖特基耦合同质结半导体材料的制备与应用，属于半导体材料技术领域，其中，肖特基耦合同质结半导体材料的制备方法包括以下步骤：利用水热法合成CdS纳米棒，然后通过水热法在CdS纳米棒上原位合成CdS量子点从而得到CdS同质结，最后...
    2026-05-10
  • 栅线电极、光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统
    栅线电极、光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统_天合光能股份有限公司_202511991855.X
    本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种栅线电极、光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。该栅线电极的制备方法，包括以下步骤：提供透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层上印刷电极浆料，电极浆料能够腐蚀透明导电氧化物层并渗入到其内形成掺杂区...
    2026-05-10
  • 基于等离活化键合的锗基阻挡杂质带探测器材料及其制备方法
    基于等离活化键合的锗基阻挡杂质带探测器材料及其制备方法_上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)_202511943090.2
    本发明公开了一种基于等离活化键合的锗基阻挡杂质带探测器材料及其制备方法，所述方法包括如下步骤：S1、提供一锗衬底(1)，经清洗后采用化学气相沉积法在其表面生长掺杂锗吸收层(2)；S2、对所述掺杂锗吸收层(2)的表面和一本征锗片(3)的表面分...
    2026-05-10
  • 长波红外焦平面探测器双面散热机械制冷封装方法及设备
    长波红外焦平面探测器双面散热机械制冷封装方法及设备_上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)_202511943089.X
    本发明提供了一种长波红外焦平面探测器双面散热机械制冷封装方法及设备，包括：固定件、安装基板、引线基板、柔性缓冲模块、探测器芯片、螺钉和接插件。引线基板位于安装基板上方，其中心开设透光孔，该孔尺寸大于探测器芯片与固定件安装尺寸，利于探测器芯片...
    2026-05-10
  • 一种电池片贴片间膜单元
    一种电池片贴片间膜单元_无锡江松科技股份有限公司_202511925563.6
    本申请涉及电池片贴膜技术领域，公开了一种电池片贴片间膜单元，其包括焊接输送端和焊接端，其特征在于：还包括贴膜单元，贴膜单元位于焊接输送端和焊接端之间，并连接焊接输送端和焊接端，贴膜单元包括电池片输送单元和膜条供应单元，其中：电池片输送单元位...
    2026-05-10
  • 一种线缆电阻焊模块
    一种线缆电阻焊模块_常州星海电子股份有限公司_202511858118.2
    本发明公开了一种线缆电阻焊模块，包括金属板、线缆电阻焊焊点、储锡槽、芯片焊接区、汇流带通槽及塑封体。金属板沿长度方向布置，其两端设有线缆电阻焊焊点。在线缆焊点的内侧对称设置两个矩形储锡槽，储锡槽之间形成芯片焊接区。金属板在储锡槽对应位置设有...
    2026-05-10
  • 一种导电浆料的烧结方法
    一种导电浆料的烧结方法_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202510970818.4
    本申请公开了一种导电浆料的烧结方法。该烧结方法包括：将半成品太阳能电池放置在介质板组件内；其中，半成品太阳能电池的预设区域内形成有导电浆料，导电浆料接触介质板组件的内表面；对介质板组件通电，介质板组件发热并将热量传递给导电浆料；且，通过介质...
    2026-05-10
  • 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202411534039.1
    一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，太阳能电池的制备方法包括如下步骤：在硅基底背面制备隧穿层；在隧穿层背面的第一区域、与第一区域间隔设置的第二区域分别制备第一N型硅浆料层、第二N型硅浆料层，第一N型硅浆料层、第二N型硅浆料层分别掺杂有不同...
    2026-05-10
  • 载体、电极及其制备方法、电池
    载体、电极及其制备方法、电池_安徽阳光光能科技有限公司_202411481777.4
    本申请公开了载体、电极及其制备方法、电池。载体，包括：导热层；导热层的至少一面上设有线槽，线槽形成的图案用于形成电极的设计图形；线槽用于填充的材料包括电极浆料和粘合剂。制备方法是采用上述的载体进行制备，包括步骤：在线槽内填充形成电极的材料；...
    2026-05-10
  • 一种基于谐振腔的激光发射-探测片上集成芯片
    一种基于谐振腔的激光发射-探测片上集成芯片_北京工业大学_202610133726.5
    本发明公开了一种基于谐振腔的激光发射‑探测片上集成芯片，属于半导体光电子领域。芯片包括光探测区之间相互隔离的电极隔离区，垂直腔面发射激光器(VCSEL)电极区，以及中心VCSEL发光区，探测器电极区，探测器区。将激光发射VCSEL与光电探测...
    2026-05-10
  • 改善底部填充爬胶的光电共封装芯片制备方法
    改善底部填充爬胶的光电共封装芯片制备方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202610177272.1
    本发明提供一种改善底部填充爬胶的光电共封装芯片制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供预留用于贴装光芯片的光口的半导体基底；步骤S2、在所述半导体基底上的预留用于贴装光芯片的光口的侧方位置制作挡块；步骤S3、按照预留设计将光芯片贴合在所述半导...
    2026-05-10
  • 具有集成三维散热功能的光电共封装结构及其制造方法
    具有集成三维散热功能的光电共封装结构及其制造方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202610177270.2
    本发明提供一种具有集成三维散热功能的光电共封装结构及其制造方法，光电共封装结构包括：硅光芯片；高发热功率电芯片，其通过混合键合与金刚石衬底键合，所述金刚石衬底中形成有贯穿其厚度的垂直过孔；低发热功率电芯片，其通过热压键合倒装于所述硅光芯片上...
    2026-05-10
  • 实现分幅成像的电子敏感型CMOS图像传感器及其成像方法
    实现分幅成像的电子敏感型CMOS图像传感器及其成像方法_中国科学院西安光学精密机械研究所_202610220521.0
    本发明公开了一种实现分幅成像的电子敏感型CMOS图像传感器及其成像方法，图像传感器芯片由探测金属层、分幅像素层及读出电路层构成，探测金属层敏感区域、分幅像素层以及读出电路层集成在单一芯片中，并通过图像传感器内部互连实现信号传递；采用探测金属...
    2026-05-10
  • 一种基于DTW集成的InGaAs焦平面探测器及其制备方法
    一种基于DTW集成的InGaAs焦平面探测器及其制备方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610117235.1
    本申请涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种基于DTW集成的InGaAs焦平面探测器及其制备方法，所述InGaAs焦平面探测器包括：硅基读出电路晶圆层、InGaAs探测器阵列芯片层、N电极金属、光学滤光膜结构层；第一铟凸点阵列与第二铟凸点阵列...
    2026-05-10
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512045084.1
    一种单光子雪崩二极管(SPAD)图像传感器，包括至少三个器件层。第一器件层具有SPAD阵列。第二器件层为SPAD提供像素内电路。行驱动器电路、列读出电路和其他电路位于第三器件层或第四器件层中。第一器件层可以用不生产任何晶体管的流线型工艺制造...
    2026-05-10
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥海图微电子有限公司_202511889780.4
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述图像传感器包括像素区和接地区，或包括像素区、接地区和硅通孔区，且所述图像传感器至少包括：外延层，所述像素区的外延层中设置有沟槽隔离结构和光电二极管；导电隔离环，设置在所述外延层中...
    2026-05-10
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥海图微电子有限公司_202511853603.0
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，所述图像传感器包括衬底；衬底，所述衬底中设置间隔的光电二极管和深沟槽隔离结构；复合介电堆叠层，设置在所述衬底上，且所述复合介电堆叠层包括叠置的第一氧化层、高介电常数层和第二氧化层；光学间隙，设置在每个所...
    2026-05-10
  • 图像传感器及其制备方法、摄像头模组和电子设备
    图像传感器及其制备方法、摄像头模组和电子设备_荣耀终端股份有限公司_202411551415.8
    本申请实施例提供一种图像传感器及其制备方法、摄像头模组和电子设备，涉及成像技术领域，用于提高图像传感器的图像采集效果。图像传感器包括光吸收层，光吸收层的材料包括SixGe1‑x‑ySny合金，其中，x、y均大于0，且小于1。光吸收层包括多个...
    2026-05-10
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