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最新专利技术
  • 检查显示装置的方法以及电子装置
    检查显示装置的方法以及电子装置_三星显示有限公司_202511557371.4
    提供了检查显示装置的方法以及电子装置。该方法包括：对于不同的帧，将不同的电压供应到像素的驱动晶体管的栅电极；以及在允许像素的连接在数据线与驱动晶体管的第一电极之间的开关晶体管在每一帧的部分时段期间被导通的同时测量流过驱动晶体管的电流的量，其...
    2026-05-10
  • 一种印制电路板上元器件虚焊的失效定位方法
    一种印制电路板上元器件虚焊的失效定位方法_北京振兴计量测试研究所_202411538762.7
    本发明涉及一种印制电路板上元器件虚焊的失效定位方法，属于板级产品的失效分析技术领域，用以解决现有失效分析方法耗时、准确性低的问题。包括对印制电路板及其上元器件进行外观检查、电性能测试，确认失效；对各个元器件进行单独测试，确认疑似失效器件；对...
    2026-05-10
  • 一种板卡测试工装、测试系统及测试方法
    一种板卡测试工装、测试系统及测试方法_科大国盾量子技术股份有限公司_202411531992.0
    本发明提供一种板卡测试工装，包括若干个矩阵开关，若干个矩阵开关分为至少三层，第一层为多个多进一出的矩阵开关组成的矩阵开关阵列，第二层为多进一出矩阵开关，第三层为一进多出矩阵开关，第一层的每个多进一出的矩阵开关的公共端分别连接到第二层矩阵开关...
    2026-05-10
  • 具备叠料防止功能的集成电路测试机台及集成电路测试系统
    具备叠料防止功能的集成电路测试机台及集成电路测试系统_致茂电子(苏州)有限公司_202411529985.7
    本申请公开了一种具备叠料防止功能的集成电路测试机台及测试系统，其中，集成电路测试机台包含测试头及主机。集成电路测试机台用于与分类机协同工作。测试头用于供分类机置放受测物，以及供分类机取回受测物。主机用于通过测试头对受测物执行测试程序，并提供...
    2026-05-10
  • 一种电子板卡质量检测系统、装置及电子卡板生产系统
    一种电子板卡质量检测系统、装置及电子卡板生产系统_中车株洲电力机车研究所有限公司_202411522678.6
    本发明提供一种电子板卡质量检测系统、装置及电子板卡生产系统，该电子板卡质量检测系统，通过设备驱动模块获取或响应于用户的检测请求，建立测试设备和待测电子板卡之间建立连接，并发送测试指令，参数采集模块基于测试指令采集质量特征参数，最后通过质量检...
    2026-05-10
  • 一种电力电子电路故障自动诊断器
    一种电力电子电路故障自动诊断器_四川职业技术学院_202311721714.7
    本发明公开了一种电力电子电路故障自动诊断器，其结构包括，检测主体、控制面板、顶盖、检测口，检测主体的底部有支撑脚进行支撑，控制面板设置在检测主体的前端顶部，顶盖安装在检测主体的顶部，检测口位于检测主体的前端正中间位置，检测主体包括送料装置、...
    2026-05-10
  • 结温整体光学温度计
    结温整体光学温度计_福特全球技术公司_202511466868.5
    本公开提供了“结温整体光学温度计”。本公开涉及一种具有集成光机温度感测系统的硅基功率装置。在一些示例中，该装置包括硅管芯，其中光子晶体腔、光电二极管和光电探测器整体嵌入该硅管芯中。定位在光子晶体腔的端部处的光电二极管发射光子，而光电探测器探...
    2026-05-10
  • 一种功率器件晶圆级动静态参数测试系统及测试方法
    一种功率器件晶圆级动静态参数测试系统及测试方法_佛山市联动科技股份有限公司_202610434583.1
    本发明涉及功率半导体晶圆测试技术领域，公开了一种功率器件晶圆级动静态参数测试系统及测试方法，所述系统包括：动态测试设备，与切换装置电连接，静态测试设备，与切换装置电连接，测试座，与切换装置电连接，晶圆固定盘，经静态切换开关电连接所述静态测试...
    2026-05-10
  • 一种GaN基多功能光电器件的感光与记忆功能检测系统、方法及应用
    一种GaN基多功能光电器件的感光与记忆功能检测系统、方法及应用_天津工业大学_202610432532.5
    本发明属于半导体光电子技术技术领域，公开了一种GaN基多功能光电器件的感光与记忆功能检测系统、方法及应用。所述系统包括测试电路、下位机和上位机，测试电路、下位机、上位机依次相连接设置，测试电路包括切换电路、记忆模式电路和探测模式电路，记忆模...
    2026-05-10
  • 一种核壳结构无结晶体管的迁移率分离方法和装置
    一种核壳结构无结晶体管的迁移率分离方法和装置_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202610427652.6
    本申请提供一种核壳结构无结晶体管的迁移率分离方法和装置，获取漏极电流‑栅极电压的第一关系曲线，以及栅极沟道电容‑栅极电压的第二关系曲线，基于第二关系曲线，确定核壳结构无结晶体管中核层处于平带时的第一栅极电压，在第一关系曲线中，将栅极电压为第...
    2026-05-10
  • 一种功率半导体晶圆电参数测试系统及测试方法
    一种功率半导体晶圆电参数测试系统及测试方法_佛山市联动科技股份有限公司_202610426980.4
    本发明涉及功率半导体晶圆测试技术领域，公开了一种功率半导体晶圆电参数测试系统及测试方法，所述系统包括：动态测试设备与晶圆承载装置电连接，静态测试设备与晶圆承载装置电连接，晶圆承载装置电连接切换装置，切换装置分别电连接所述静态测试设备和动态测...
    2026-05-10
  • 用于IGBT的极间电容测量系统及其标定与解算方法
    用于IGBT的极间电容测量系统及其标定与解算方法_义乌工商职业技术学院_202610303033.6
    本申请涉及电力电子器件测试技术领域，特别涉及一种用于IGBT的极间电容测量系统及其标定与解算方法，其中，测量系统集成了测量‑标定一体化夹具，该夹具内置标准负载，可通过模式切换开关，在测量前对整个测量通道进行阻抗误差标定。基于此，方法建立了一...
    2026-05-10
  • 氮化镓器件快速检测电路和快速检测方法
    氮化镓器件快速检测电路和快速检测方法_苏州明源创半导体有限公司_202610292240.6
    本发明公开了一种氮化镓器件快速检测方法，包括抽样、提取动态导通特性(先冷藏再快速变温)、测量栅漏电和漏源漏电(正向、反向)、ESD、振动。还公开了动态导通特性的检测电路和检测方法。本发明运用二极管隔离和稳压管钳位，实现了跟踪测量点导通压降的...
    2026-05-10
  • 一种晶体管单次雪崩降额特性曲线的绘制方法及绘制装置
    一种晶体管单次雪崩降额特性曲线的绘制方法及绘制装置_重庆平伟实业股份有限公司_202610200243.2
    本发明提供一种晶体管单次雪崩降额特性曲线的绘制方法及绘制装置，包括：获取多组测试数据，根据测试数据生成驱动参数，以驱动包括被测晶体管的测试电路，获取被测晶体管处于雪崩状态下的雪崩时段波形，将雪崩时段波形进行波形等效处理，得到当前雪崩时间；根...
    2026-05-10
  • 大功率分立器件在线参数测试系统、方法及存储介质
    大功率分立器件在线参数测试系统、方法及存储介质_天津普智芯网络测控技术有限公司_202610200151.4
    本发明公开了大功率分立器件在线参数测试系统、方法及存储介质，包括上位机以及与所述上位机通信连接的测试电路单元、数据采集单元和FPGA单元，所述测试电路单元用于连接待测试的大功率分立器件，在所述大功率分立器件的高压区和低压区之间设置有隔离开槽...
    2026-05-10
  • 一种有机半导体有效电荷迁移率的测试与分析方法
    一种有机半导体有效电荷迁移率的测试与分析方法_香港中文大学(深圳)_202610142777.4
    本发明公开了一种有机半导体有效电荷迁移率的测试与分析方法，包括：对待测有机光电器件进行多光强稳态电流‑电压测试，获取填充因子及开路电压。依据开路电压随光强的变化规律，区分不同光强区间主导的复合机制。针对各机制在最大功率点处构建伪一阶复合速率...
    2026-05-10
  • 一种用于多种电应力下氮化镓功率器件的阈值电压漂移及恢复监测电路
    一种用于多种电应力下氮化镓功率器件的阈值电压漂移及恢复监测电路_湖南大学_202610142242.7
    本发明公开了一种用于多种电应力下氮化镓功率器件的阈值电压漂移及恢复监测电路，涉及氮化镓功率器件测试技术领域。该电路包括电源模块、驱动芯片、开关管S1、开关管S2、待测氮化镓器件、负载电阻R1、放电二极管D1、储能电容C2及电压监测单元，通过...
    2026-05-10
  • 面向柔性直流换流阀多对多子模块的解耦等效装置及方法
    面向柔性直流换流阀多对多子模块的解耦等效装置及方法_华北电力大学_202610138829.0
    本发明提出了面向柔性直流换流阀多对多子模块的解耦等效装置及方法，涉及柔性直流输电的领域，装置包括：电流发生器，用于将输入的直流电转化为等效电流；电抗器配置为用于模拟真实工况；被测子模块用于接收来自电流发生器的等效电流并进行测试；陪测子模块，...
    2026-05-10
  • 一种多规格SiC MOSFETs动态栅偏和动态反偏试验的测试装置和测试方法
    一种多规格SiC MOSFETs动态栅偏和动态反偏试验的测试装置和测试方法_西安交通大学_202610121784.6
    本发明公开一种多规格SiC MOSFETs动态栅偏和动态反偏试验的测试装置和测试方法，该测试装置涵盖多个模块：上位机与模式及参数控制模块双向通讯，负责发送测试指令与参数，并接收测试状态反馈；隔离脉冲发生模块受模式与参数控制模块通讯控制，接收...
    2026-05-10
  • 导致碳化硅MOSFET栅氧层长期退化陷阱时间常数表征方法
    导致碳化硅MOSFET栅氧层长期退化陷阱时间常数表征方法_北京工业大学_202610116724.5
    本发明公开了导致碳化硅 MOSFET 栅氧层长期退化陷阱时间常数表征方法，属于电子器件测试领域。首先在高温环境下施加特定的栅极电压，使界面态与近界面态陷阱充分填充。随后保持温度不变，同时提高栅极电压，促使深能级的氧化层陷阱开始捕获电荷。在此...
    2026-05-10
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