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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411515799.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层表面形成有介质层；外延沟槽，贯穿所述介质层并延伸至所述顶硅层中；侧墙，位于所述外延沟槽侧壁；外延层，填满所述外延沟槽。本申请提供一种半导体...
    2026-04-30
  • 感测器封装结构、及感测模块与其制造方法
    感测器封装结构、及感测模块与其制造方法_同欣电子工业股份有限公司_202411509034.3
    本发明公开一种感测器封装结构、及感测模块与其制造方法。所述感测模块包含一感测芯片及一盖体。所述感测芯片的顶面包含有一感测区域及位于所述感测区域外侧的一承载区域。所述盖体包含一透光片与一不透明粘着层。所述透光片的内表面包含一透光区域及围绕于所...
    2026-04-30
  • 图像传感器的制作方法、图像传感器及掩模版组件
    图像传感器的制作方法、图像传感器及掩模版组件_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202411504098.4
    一种图像传感器的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行离子注入形成多个感光像素单元；在所述半导体衬底上形成滤光层和格栅结构；所述滤光层位于所述感光像素单元的入光侧，所述格栅结构至少用于防止相邻所述感光像素单元之间的串...
    2026-04-30
  • 一种高绝缘型双通道光电耦合器件封装结构
    一种高绝缘型双通道光电耦合器件封装结构_福建福顺半导体制造有限公司_202511964284.0
    本发明提供一种高绝缘型双通道光电耦合器件封装结构，包括：外壳、两个发射组件和两个接收组件，两个所述发射组件和两个所述接收组件分别对称设置于所述外壳的两侧；两个所述发射组件均包括发射端引脚和LED发光芯片。本发明提供的一种高绝缘型双通道光电耦...
    2026-04-30
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_三星电子株式会社_202511504118.2
    提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：基板，包括第一区域和靠近第一区域的第二区域，并且包括彼此相反的第一表面和第二表面；包括在基板内部的光电转换层的多个单位像素区；在第一区域中布置在基板的第一表面上的网格图案；在第一区域中在基板...
    2026-04-30
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511271675.4
    一种图像传感器包括：光电装置，被配置为生成光电电荷；第一节点，被配置为积累从光电装置生成的光电电荷；第一传输晶体管，连接在第一节点与光电装置之间；第一复位晶体管，连接在第一节点与电源电压之间；第一漏极晶体管，连接在光电装置与电源电压之间；以...
    2026-04-30
  • 具有共用电容器的图像传感器
    具有共用电容器的图像传感器_三星电子株式会社_202510860502.X
    一种图像传感器，包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一单元像素，设置在衬底中，并且包括第一光电二极管和第二光电二极管；第二单元像素，设置在衬底中，并且包括第三光电二极管和第四光电二极管；以及电容器，被配置为存储由第二光电二...
    2026-04-30
  • 一种低像素串扰的光电探测器及其制备方法
    一种低像素串扰的光电探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202512052130.0
    本发明属于半导体材料领域，具体公开了一种低像素串扰的光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括IC基底、绝缘层、金属层、空穴传输层、量子点层、纳米晶保护层、电子传输层和第二电极层；绝缘层位于IC基底的上表面，光刻得到的孔洞从绝缘层延伸到IC...
    2026-04-30
  • 一种偏振红外芯片及其制备方法、偏振红外探测器
    一种偏振红外芯片及其制备方法、偏振红外探测器_武汉高芯科技有限公司_202511986294.4
    本发明涉及红外探测技术领域，具体涉及一种偏振红外芯片及其制备方法、偏振红外探测器，包括读出电路、红外敏感层、红外衬底以及超表面偏振阵列，所述红外敏感层设置于所述红外衬底的正面上，所述读出电路设置于所述红外敏感层的下方，且所述红外敏感层与所述...
    2026-04-30
  • 图像传感器和包括该图像传感器的电子设备
    图像传感器和包括该图像传感器的电子设备_三星电子株式会社_202511440888.5
    提供了一种图像传感器和包括该图像传感器的电子设备，图像传感器包括传感器基板和纳米光子透镜阵列，传感器基板包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，纳米光子透镜阵列包括第一超区域、第二超区域、第三超区域和第四超区域，第一至第四超区域中的每个...
    2026-04-30
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511342462.6
    示例图像传感器包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的基板、在基板中的光电转换部分、与基板的第一表面相邻的像素电路、以及延伸穿过基板的至少一部分并包括隔离部分的隔离图案。隔离部分限定设置光电转换部分的区域。像素电路包括第一晶体管。第一晶体管包...
    2026-04-30
  • 一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法
    一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法_格科半导体(上海)有限公司_202411497110.3
    本发明公开了一种改善图像传感器工艺缺陷的方法及表征方法，所述改善图像传感器工艺缺陷的方法至少包含以下步骤：步骤S1，提供一衬底，所述衬底上沉积有一多晶硅层，将所述衬底置于反应腔内；步骤S2，向所述反应腔内至少通入硅源前驱体和氧源前驱体，在所...
    2026-04-30
  • 晶圆级超晶格红外探测器键合方法及红外探测器
    晶圆级超晶格红外探测器键合方法及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202610398191.4
    本申请提供了一种晶圆级超晶格红外探测器键合方法及红外探测器，属于红外探测器领域；解决了传统小像元场景下的互连精度低以及传统晶圆级键合中边缘对准偏差大、键合空洞率高的问题；该方法通过Ti‑W/TaN/Pt/Au‑Sn四元复合键合层作为探测器芯...
    2026-04-30
  • 用于固体摄像元件的基板层叠体的制造方法
    用于固体摄像元件的基板层叠体的制造方法_株式会社钟化_202511502204.X
    提供用于固体摄像元件的基板层叠体的制造方法，在基板层叠体的制造过程中的检查中，在已明确包含第一基板和第二基板的前驱层叠体的不良情况时，通过将第一基板和第二基板剥离(返工)而能够对第一基板和/或第二基板加以再利用。该制造方法包括：形成第一基板...
    2026-04-30
  • 一种基于波导耦合的MSM光电探测器的集成毫米波噪声源
    一种基于波导耦合的MSM光电探测器的集成毫米波噪声源_广东工业大学_202311633144.6
    本发明公开了一种基于波导耦合的MSM光电探测器的集成毫米波噪声源，涉及噪声源技术领域。本发明将非相干光源模块产生的非相干光，经由光波导芯片模块传输并衍射至MSM光电探测器模块，然后将非相干光进行光学下变频，产生并输出毫米波噪声。另外，本发明...
    2026-04-30
  • 一种垂直PIN结的片上偏振光电探测器及其制作方法
    一种垂直PIN结的片上偏振光电探测器及其制作方法_闽南师范大学_202610137191.9
    本发明提供了一种垂直PIN结的片上偏振光电探测器及其制作方法：包括衬底，所述衬底上设置有垂直PIN结，所述垂直PIN结包括由下至上依次设置的InP层、InGaAs层、PdSe2层，所述InP层设置于衬底上，所述InGaAs层位于InP层上表...
    2026-04-30
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411985844.6
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一第一导电型半导体层、一本征层及一第二导电型半导体层。其中，本征层设置于第一导电型半导体层上，用于接收一特定波长的一光线后对应地产生一光电流。第二导电型半导体层设置于本征层的一中央区域...
    2026-04-30
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411985551.8
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一第一导电型半导体层、一本征层、一第二导电型半导体层及一上缘角。其中，本征层设置于第一导电型半导体层上，第二导电型半导体层设置于本征层的一中央区域上并裸露出环绕中央区域外的本征层的一外...
    2026-04-30
  • 光电二极管及其制造方法
    光电二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411977883.1
    本发明提供一种光电二极管及其制造方法，其中光电二极管包含一第一导电型半导体层、一本征层、一第二导电型半导体层及一金属硅化物层(Silicide)。其中，本征层设置于第一导电型半导体层上，用于接收一特定波长的一光线后对应地产生一光电流。第二导...
    2026-04-30
  • 具有超高响应度的高速锗硅光电探测器
    具有超高响应度的高速锗硅光电探测器_希烽光电科技(南京)有限公司_202610411012.6
    本发明公开了一种具有超高响应度的高速锗硅光电探测器，包括面入射光电探测器，所述面入射光电探测器包括衬底、吸收区、多晶硅层、顶部接触区、顶部电极区、掩膜层、底部接触区、底部电极区和金属电极层，面入射光电探测器上增加光反射结构，光反射结构位于面...
    2026-04-30
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