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最新专利技术
  • 一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法
    一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法_深圳职业技术大学_202511930447.3
    本发明公开了一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法，包括：功率芯片，为高能量密度、高发热的高功率半导体芯片；导热基板，为常用的热沉基板；金刚石沉积层，为在导热基板上沉积形成的图形化金刚石薄膜；过渡层，设于金刚石沉积层远离导热基板的一侧，...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511434859.8
    在现有技术中，存在散热片无法充分跟随半导体模块背面的底板翘曲的情况，散热片和底板之间的接触面积相对于底板的面积不足，因此散热路径不均匀，热量无法充分传递到翅片的问题。因此，本公开的目的在于提供一种散热片，其能够通过充分确保散热片和底板之间的...
    2026-05-01
  • 半导体设备
    半导体设备_三星电子株式会社_202511322427.8
    一种半导体设备，包括：壳体，限定内部空间；支撑托架，被配置为沿从壳体的第一端部向壳体的第二端部的第一方向在内部空间内滑动；基板，在支撑托架的表面上；一个或多个半导体元件，安装在基板上；散热构件，在壳体的内表面与一个或多个半导体元件之间；以及...
    2026-05-01
  • 一种新能源汽车自动泊车软件的嵌入式芯片
    一种新能源汽车自动泊车软件的嵌入式芯片_深圳市康雨科技开发有限公司_202310384150.6
    本发明公开了一种新能源汽车自动泊车软件的嵌入式芯片，包括基板、PCB板、焊接引脚、散热机构、嵌入式芯片本体、散热孔、导热件、散热凸点和支撑机构，所述基板的下端固定连接有焊接引脚，所述基板上设置有散热机构，所述PCB板的上端设置有嵌入式芯片本...
    2026-05-01
  • 半导体器件的制造方法、导热片以及导热片的制造方法
    半导体器件的制造方法、导热片以及导热片的制造方法_株式会社力森诺科_202610065984.4
    一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：对于彼此之间配置有导热片的发热体以及散热体，在所述导热片的厚度方向上施加压力，使所述发热体与所述散热体经由所述导热片而粘接，所述导热片在150℃下的压缩应力为0.10MPa时的压缩弹性模量为1.40M...
    2026-05-01
  • 微流道的加工方法与微流道冷板
    微流道的加工方法与微流道冷板_福州菩晶半导体有限公司_202511918451.8
    本发明公开一种微流道的加工方法与微流道冷板，其中，一种微流道的加工方法，包括以下步骤：在多个金属箔片的表面分别加工镂空网格；层叠设置加工有镂空网格的多个所述金属箔片，以使多个所述金属箔片的网孔连通；将层叠设置的多个所述金属箔片冶金结合，以使...
    2026-05-01
  • 一种半导体用陶瓷加热器修复方法
    一种半导体用陶瓷加热器修复方法_中材高新氮化物陶瓷有限公司_202511693118.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体用陶瓷加热器修复方法，通过在修复前对待修复加热器在不同温度下的材料参数进行测定并拟合形成插值函数，结合三维建模与仿真技术，能够准确模拟加热器在实际工况下的热力响应行为，为后续薄膜沉积修复工艺提供数据...
    2026-05-01
  • 半导体器件及半导体器件制造方法
    半导体器件及半导体器件制造方法_湖南三安半导体有限责任公司_202411421764.8
    本申请提供一种半导体器件及半导体器件制造方法。该半导体器件包括：半导体基底；接触金属层，设置于所述半导体基底上，所述接触金属层为肖特基接触金属层或欧姆接触金属层；中间金属层，设置于所述接触金属层的远离所述半导体基底的一侧；金属连线层，设置于...
    2026-05-01
  • 阻挡结构、阻挡结构制备方法及互连结构
    阻挡结构、阻挡结构制备方法及互连结构_上海积塔半导体有限公司_202610114307.7
    本申请提供了一种阻挡结构、阻挡结构制备方法及互连结构，所述阻挡结构用于金属互连结构的扩散阻挡，所述阻挡结构包括：第一阻挡层，所述第一阻挡层为富氮阻挡层，以阻挡所述金属互连结构中的金属扩散；第二阻挡层，位于所述第一阻挡层的一侧，所述第二阻挡层...
    2026-05-01
  • 半导体芯片和半导体封装
    半导体芯片和半导体封装_爱思开海力士有限公司_202610102873.6
    本申请涉及一种半导体芯片和半导体封装。本申请涉及包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装。根据实施方式的半导体芯片包括：具有前表面和后表面的主体部分，该主体部分按照后表面在前表面上方的方式取向；穿透主体部分的第一贯通电极和第二贯通电极，...
    2026-05-01
  • 半导体芯片和半导体封装
    半导体芯片和半导体封装_爱思开海力士有限公司_202610102872.1
    本申请涉及一种半导体芯片和半导体封装。本申请涉及包括贯通电极的半导体芯片和包括其的半导体封装。根据实施方式的半导体芯片包括：具有前表面和后表面的主体部分，该主体部分按照后表面在前表面上方的方式取向；穿透主体部分的第一贯通电极和第二贯通电极，...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411589523.4
    本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包含SOI基板，其具有基底板、位于基底板上的埋入氧化物层以及位于埋入氧化物层上的元件层；电路元件，配置于元件层上且被SOI基板中的沟槽隔离区围绕；蚀刻停止层，设置于电路元件周围；第一介电层...
    2026-05-01
  • 一种芯片铜互连层退镀回收方法、系统、电子设备及介质
    一种芯片铜互连层退镀回收方法、系统、电子设备及介质_东莞市湃泊科技有限公司_202610115761.4
    本申请提供了一种芯片铜互连层退镀回收方法、系统、电子设备及介质，方法通过实时识别铜互连层溶解的活性反应边界，并据此将微电极阵列动态划分为核心退镀区、边缘抑制区及隔离区，在核心退镀区施加正向溶解电场以高效去除铜材料，同时在边缘抑制区施加反向抑...
    2026-05-01
  • 金属互连结构的制备方法及金属互连结构
    金属互连结构的制备方法及金属互连结构_广州增芯科技有限公司_202610051915.8
    本发明提供了一种金属互连结构的制备方法及金属互连结构，该方法在形成有半导体器件层以及第一金属布线层的衬底上，形成第一介质层以及其中的若干通孔后，在第一介质层上采用可流动性的有机材料作为第二介质层，并在第二介质层中形成若干金属槽，对剩余的第二...
    2026-05-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466057.0
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；对第二区的第二核心材料层进行改性处理，形成与第二核心材料层具有刻蚀选择比的第三核心材料层；形成第一核心材料层；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二区的第二核心...
    2026-05-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466050.9
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二核心材料层，形成第二核心层；对第二区露出的第二核心层进行改性处理，形成与剩余第二核心层具有刻蚀选择比的第三核心层；形成覆盖...
    2026-05-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466033.5
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；对第二区的部分第二核心材料层进行改性处理，形成与第二核心材料层具有刻蚀选择比的第三核心材料层；形成第一核心材料层；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二核心材料...
    2026-05-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411466022.7
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；图形化第二核心材料层，形成第二核心层；形成覆盖第二核心层侧壁的第二侧墙；形成第二保护层；以第二保护层为掩膜图形化第二核心层形成第三核...
    2026-05-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411465881.4
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；形成位于第二区的第二核心材料层上的第一保护层；以第一保护层和第一侧墙为掩膜图形化第二核心材料层，形成第二核心层；形成第二侧墙；去除第...
    2026-05-01
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411465838.8
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层，包括一个第一子核心层与相邻两个第二子核心层交替分布排列；形成覆盖第一核心层侧壁的第一侧墙；对第一子核心层进行改性处理，形成第三子核心层；形成位于第...
    2026-05-01
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