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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510647211.2
    一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上并且在第一方向上延伸；器件隔离膜，在衬底中在有源区周围；第一栅电极，在与第一方向交叉的第二方向上在有源区上延伸；第二栅电极，在第二方向上在有源区上延伸并且在第一方向上与第一栅电极间隔开；第一连接栅电...
    2026-05-01
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411440609.0
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面形成有金属栅极结构；侧墙，位于所述金属栅极结构的侧壁，所述侧墙包括依次交替位于所述金属栅极结构侧壁的低介电常数层和高势垒层，所述高势垒层的势垒高于所述低介电常数层的...
    2026-05-01
  • 膜层结构及其制备方法、半导体器件
    膜层结构及其制备方法、半导体器件_深圳方正微电子有限公司_202512018578.0
    本申请提供一种膜层结构及其制备方法、半导体器件，该膜层结构的制备方法包括：获取第一制程结构；第一制程结构包括依次叠设的待加工膜层和第一掩膜层，第一掩膜层上设置有第一孔部；其中，第一孔部的至少一侧孔壁设置有第一台阶部；沿着第一方向对待加工膜层...
    2026-05-01
  • 膜层结构的制备方法、膜层结构及半导体器件
    膜层结构的制备方法、膜层结构及半导体器件_深圳方正微电子有限公司_202512014993.9
    本申请提供一种膜层结构的制备方法、膜层结构及半导体器件，膜层结构的制备方法包括：获取第一制程结构；第一制程结构包括依次叠设的待加工膜层和第一掩膜层，第一掩膜层的第一孔部的孔壁上设置有第一台阶部；沿着第一方向对待加工膜层以及第一台阶部进行刻蚀...
    2026-05-01
  • 薄膜晶体管及其制备方法、显示面板
    薄膜晶体管及其制备方法、显示面板_滁州惠科光电科技有限公司_202511982795.5
    本申请提供了薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。薄膜晶体管包括基底、栅极、绝缘层、有源层、保护层、源极和漏极，栅极设于基底；绝缘层覆盖栅极；有源层设于绝缘层背离基底的一侧；保护层设于有源层背离基底的一侧，保护层的材料包括Al2O3和SiOxN...
    2026-05-01
  • 晶体管器件结构及其制备方法
    晶体管器件结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511937013.6
    本发明公开晶体管器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中的晶体管器件无法兼顾高导热、低漏电与高稳定性的问题。晶体管器件结构包括：位于衬底上的二氧化硅过渡层；衬底为金刚石衬底或者碳化硅衬底；以及，位于二氧化硅过渡层上的硅器件...
    2026-05-01
  • 半导体装置及显示装置
    半导体装置及显示装置_株式会社日本显示器_202511465355.2
    本发明涉及半导体装置及显示装置。课题在于改善包含氧化物半导体的半导体装置的可靠性。半导体装置，其包含：第1氧化物半导体层，所述第1氧化物半导体层设于绝缘表面之上，并具有沟道部及电阻比所述沟道部低的导电部；所述第1氧化物半导体层之上的第1绝缘...
    2026-05-01
  • 半导体装置及显示装置
    半导体装置及显示装置_株式会社日本显示器_202511463335.1
    本发明涉及半导体装置。课题在于改善包含氧化物半导体的半导体装置的可靠性。半导体装置包含：绝缘表面之上的第1栅电极、第1栅电极之上的第1栅极绝缘层、第1栅极绝缘层之上的具有沟道部及电阻比沟道部低的导电部的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的第...
    2026-05-01
  • 半导体器件以及显示装置
    半导体器件以及显示装置_株式会社日本显示器_202511421271.9
    本发明改善包含氧化物半导体的半导体器件的信赖性。半导体器件包括：绝缘表面之上的栅极电极；所述栅极电极之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层之上的第1绝缘层；和所述第1绝缘层之上的由金属氧化物构成的图案层，所...
    2026-05-01
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社日本显示器_202511411222.7
    本发明涉及半导体装置。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体装置的可靠性。半导体装置包括：绝缘表面之上的栅电极；前述栅电极之上的栅极绝缘层；前述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；前述氧化物半导体层之上的第1绝缘层；和前述第1绝缘层之上的由绝缘物...
    2026-05-01
  • 二维半导体晶体管及其制备方法
    二维半导体晶体管及其制备方法_南京大学_202511111290.1
    本发明公开了一种二维半导体晶体管及其制备方法，所述二维半导体晶体管包括衬底及位于衬底上的二维半导体层、电极和氧化锑层，所述电极包括栅极、源极和漏极，所述氧化锑层位于二维半导体层和栅极之间，所述源极和漏极的材料为半金属锑，所述源极和漏极分别与...
    2026-05-01
  • 沟槽栅功率器件及其制造方法
    沟槽栅功率器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610343559.7
    本发明公开了一种沟槽栅功率器件，包括：第一导电类型掺杂的半导体外延层。在半导体外延层的顶部区域形成有多个器件单元结构。器件单元结构包括：沟槽栅，第二导电类型掺杂的阱区以及第一导电类型重掺杂的源区；沟槽栅纵向穿过阱区，被沟槽栅侧面覆盖的阱区的...
    2026-05-01
  • 带有屏蔽电极的高耐压MOSFET器件及其制备方法
    带有屏蔽电极的高耐压MOSFET器件及其制备方法_济南大学_202610097905.8
    本发明公开了一种带有屏蔽电极的高耐压MOSFET及其制备方法。相比于传统平面型MOSFET，减少栅极充放电电荷，显著降低栅漏电容，并改善器件的动态开关特性。屏蔽电极的引入可有效进行电场调控，降低栅氧界面电场，从而提高耐压能力。该器件结构通过...
    2026-05-01
  • 开关元件
    开关元件_株式会社电装_202610093701.7
    开关元件具备设置有沟槽的半导体基板、栅极绝缘膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区、体区、漂移区、第一电场缓和区以及连接区。漂移区在体区的下侧的沟槽的侧面及沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。第一电场缓和区被配置于漂移区的内部，与沟槽的底面隔开间隔地...
    2026-05-01
  • 改进的功率器件的设计和制造
    改进的功率器件的设计和制造_GENESIC半导体公司_202511810932.7
    本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种包括至少部分形成在碳化硅(SiC)基板内的单位单元的器件，所述单位单元包括：漂移区，其形成在SiC基板中且具有第一导电类型；闸极导体；闸极绝缘膜，其设置于闸极导体与...
    2026-05-01
  • 一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法
    一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法_广东工业大学_202610341459.0
    本申请公开了一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法，涉及半导体制备技术领域。漏极扩展场效应晶体管包括场氧化结构、场板结构、栅极结构、漏区和源区，漏区和源区位于场氧化结构两侧；场氧化结构划分为第一区域、第二区域和第三区域，第二区域位于第一区域和第...
    2026-05-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511937634.4
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括半导体基底；体区，从所述半导体基底的上表面延伸至其内部，具有第一掺杂类型；源区，从所述体区的上表面延伸至其内部，具有第二掺杂类型；栅极结构，位于所述半导体基底的上方，其中，相邻的两个栅...
    2026-05-01
  • 一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备
    一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备_华为技术有限公司_202411456028.6
    本申请公开了一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括垂直沟道、堆叠结构和第一电极，第一电极具有沿第一方向上的第一宽度，在沿垂直方向且由第一电极指向衬底的方向上，第一宽度呈减小趋势，使靠近垂直沟道一侧的...
    2026-05-01
  • 沟槽型场效应晶体管及其制作方法、芯片、电子设备
    沟槽型场效应晶体管及其制作方法、芯片、电子设备_华为技术有限公司_202411449297.X
    本申请提供一种沟槽型场效应晶体管及其制作方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域。该沟槽型场效应晶体管中包括碳化硅SiC衬底、SiC外延层、栅极、源金属层、漏金属层。SiC外延层设置在SiC衬底上，SiC外延层表面设置第一沟槽和第二沟槽，第...
    2026-05-01
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411419562.X
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构包括：基底结构，包括鳍型有源区；栅极结构，覆盖部分所述鳍型有源区；栅极结构定义出在基底结构中位于栅极结构两侧的第一源/漏极和第二源/漏极，以及，位于第一源/漏极和第二源/漏极之间的...
    2026-05-01
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