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最新专利技术
  • 感放射线性组合物、硬化膜、半导体元件、显示元件、及硬化膜的制造方法
    感放射线性组合物、硬化膜、半导体元件、显示元件、及硬化膜的制造方法_JSR株式会社_202511554499.5
    本发明所欲解决的课题在于提供一种可形成可兼顾放射线感度与耐干式蚀刻性的硬化膜的感放射线性组合物、由所述组合物所形成的硬化膜、包括所述硬化膜的半导体元件及显示元件、以及硬化膜的制造方法。本发明涉及一种感放射线性组合物，其含有：聚合物(A)，包...
    2026-05-08
  • 黑矩阵用颜料分散组合物、及黑矩阵用颜料分散光阻组合物
    黑矩阵用颜料分散组合物、及黑矩阵用颜料分散光阻组合物_阪田油墨股份有限公司_202511560041.0
    一种黑矩阵用颜料分散组合物，其包含碳黑、二氧化硅粒子、含碱性基的颜料分散剂、含酸性基的颜料分散助剂、碱可溶性树脂、及溶剂，且所述二氧化硅粒子为含苯基的二氧化硅粒子和/或含(甲基)丙烯酰基的二氧化硅粒子，所述二氧化硅粒子相对于所述碳黑100质...
    2026-05-08
  • 半导体光刻胶组合物，使用该组合物形成图案的方法及光刻胶图案
    半导体光刻胶组合物，使用该组合物形成图案的方法及光刻胶图案_三星SDI株式会社_202511564809.1
    本发明公开了一种半导体光刻胶组合物和使用其形成或提供图案的方法及光刻胶图案，该半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机金属化合物；和溶剂。化学式1的描述如说明书中所述。
    2026-05-08
  • 半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法
    半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法_三星SDI株式会社_202511575931.9
    提供一种半导体光刻胶组合物及使用所述半导体光刻胶组合物形成图案的方法。半导体光刻胶组合物包含：有机金属化合物，由化学式1表示；以及溶剂。有机金属化合物包含锡及至少一个酰胺基配体，所述酰胺基配体含有经取代或未经取代的烯基部分或炔基部分。式1
    2026-05-08
  • 一种半导体器件、光敏材料其制备方法
    一种半导体器件、光敏材料其制备方法_连云港邃铸科技有限公司_202511994473.2
    本申请提供了一种含有结构式(I)所示双马来酰亚胺化合物A、含结构式(II)所示结构的的聚酰亚胺前体B的负型光敏性组合物。 (I)(II)该组合物经光刻和高温固化后可形成具有优异机械性能、高分辨率、低吸水性、强粘接性和抗腐蚀性的浮雕图案固化物...
    2026-05-08
  • 负性光刻胶及其应用
    负性光刻胶及其应用_苏州凯芯半导体材料有限公司_202512060545.2
    本发明提供了一种负性光刻胶及其应用。以质量百分比计，该负性光刻胶包括：10~60%的功能性丙烯酸树脂、5~40%的聚酰亚胺树脂、1~40%的引发剂、1~50%的交联剂以及余量的溶剂；功能性丙烯酸树脂由功能性单体和普通单体通过共聚制备得到，功...
    2026-05-08
  • 一种光刻胶组合物及其制备方法
    一种光刻胶组合物及其制备方法_惠州市惠阳裕生化工有限公司_202610060471.4
    本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种光刻胶组合物及其制备方法。该光刻胶组合物以改性酚醛树脂作为基体，配以感光剂、附着力促进剂、流平剂和有机溶剂。其中改性酚醛树脂引入有机硅耐热分子链，使所得光刻胶具有优异的耐热性、光敏性和分辨率。
    2026-05-08
  • 一种乙烯-环氧乙烷-降冰片烯三元嵌段共聚物的高绝缘极紫外光刻胶及制备方法和应用
    一种乙烯-环氧乙烷-降冰片烯三元嵌段共聚物的高绝缘极紫外光刻胶及制备方法和应用_河北凯诺中星科技有限公司_202610227892.1
    本申请涉及半导体电子器件技术领域，具体公开了一种乙烯‑环氧乙烷‑降冰片烯三元嵌段共聚物的高绝缘极紫外光刻胶及制备方法和应用。高绝缘极紫外光刻胶的原料包括成膜树脂、溶剂、光致产酸剂、交联剂、助剂，成膜树脂为乙烯‑环氧乙烷‑降冰片烯三元嵌段共聚...
    2026-05-08
  • 树脂组合物及其层、滤色器及其应用
    树脂组合物及其层、滤色器及其应用_珠海基石科技有限公司_202610398738.0
    本公开涉及一种树脂组合物及其层、滤色器及其应用，所述树脂组合物包含着色剂，所述着色剂包含蓝色颜料与吡咯类色素化合物的混合物，所述吡咯类色素化合物在500 nm至600 nm处具有最大吸收值并且是具有以下通式(1)的化合物。所述树脂组合物在用...
    2026-05-08
  • 感光性树脂组合物、固化膜的制造方法及固化浮雕图案的制造方法
    感光性树脂组合物、固化膜的制造方法及固化浮雕图案的制造方法_旭化成株式会社_202511537487.1
    [课题]本发明的目的在于，提供一种即使是赋予高玻璃化转变温度(Tg)那样的吸光度高的聚合物，分辨率也优异、且在与铜接触时减少了铜空隙的感光性树脂组合物、固化膜的制造方法及固化浮雕图案的制造方法。[解决方案]一种感光性树脂组合物，其包含：(A...
    2026-05-08
  • 一种高解析度感光干膜用载体膜
    一种高解析度感光干膜用载体膜_江苏东材新材料有限责任公司_202511936626.8
    本发明涉及一种高解析度感光干膜用载体膜，载体膜包括自上而下依次分布的表层涂布层、上PETG层、中间COC层、下PETG层及底层涂布层，载体膜通过下述步骤制备而成：COC使用单螺杆挤出机熔融挤出，PETG使用双螺杆挤出熔融挤出，三层熔体在模头...
    2026-05-08
  • 一种提高涂胶机涂胶后光刻胶膜厚均匀性的方法及系统
    一种提高涂胶机涂胶后光刻胶膜厚均匀性的方法及系统_无锡环亚微电子有限公司_202610168528.2
    本发明属于半导体制造工艺控制技术领域，具体公开了一种提高涂胶机涂胶后光刻胶膜厚均匀性的方法及系统，包括：通过光学系统实时在线获取光刻胶瞬态厚度数据，并经时间微分与径向插值生成表征径向非均匀发展趋势的厚度偏差演化率图谱；逆向求解径向对称的溶剂...
    2026-05-08
  • 一种确认光刻工艺窗口方法
    一种确认光刻工艺窗口方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411524647.4
    本申请公开了一种确认光刻工艺窗口方法，属于半导体技术领域。本申请省略了形成轻掺杂漏极和形成硅锗源漏工艺，在完成栅极工艺后，直接进行目标侧墙工艺在栅极的侧壁形成目标侧墙，整个目标侧墙工艺流程中沉积的薄膜的种类和制备目标晶圆过程中形成的两层侧墙...
    2026-05-08
  • 一种光刻工艺热点的预测及修正方法
    一种光刻工艺热点的预测及修正方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411525045.0
    本发明提供一种光刻工艺热点的预测及修正方法，包括：将版图导入初版程式中；调整初版程式的规格以获取多个初始光刻工艺热点图形；以光刻工艺热点的几何中心为中心，以预设尺寸在初始光刻工艺热点图形中选取区域作为光刻工艺热点区域，沿加剧光刻工艺热点的方...
    2026-05-08
  • 杂散光测量方法、杂散光测量系统及掩膜版
    杂散光测量方法、杂散光测量系统及掩膜版_上海微电子装备(集团)股份有限公司_202411536754.9
    本发明提供一种杂散光测量方法、杂散光测量系统及掩膜版，掩膜板包含有多组测试图形，不同组测试图形中的第一图形和/或第二图形的宽度不同，通过将掩膜版上的测试图形转移至晶圆上，晶圆上不同组测试图形中的杂散光分布不同，以获取杂散光的变化引起的晶圆上...
    2026-05-08
  • 一种可变光瞳产生装置及可变光瞳产生方法
    一种可变光瞳产生装置及可变光瞳产生方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411546642.1
    本申请公开了一种可变光瞳产生装置及可变光瞳产生方法，属于光学照明技术领域，该装置包括：微透射镜阵列单元和透光率调控组件；微透射镜阵列单元包括多个透射镜；透光率调控组件用于控制各个透射镜的透光率，以使光经过微透射镜阵列单元传输后，在光瞳面上形...
    2026-05-08
  • 一种套刻量测装置及套刻设备
    一种套刻量测装置及套刻设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411546656.3
    本申请公开了一种套刻量测装置及套刻设备，属于光刻技术领域，该装置包括：光源系统和光学测量系统；光学量测系统包括衍射阶数分束系统和探测器系统；光源系统用于产生入射光，并将入射光传输至套刻标记，使入射光被套刻标记反射形成衍射光；衍射阶数分束系统...
    2026-05-08
  • 一种套刻图形的量测方法
    一种套刻图形的量测方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411553858.0
    本申请涉及一种套刻图形的量测方法，所述方法包括：在硅片上形成套刻图形的主要图案；在所述硅片上形成套刻图形的辅助图案，其中所述辅助图案和所述主要图案位于所述硅片的不同区域且所述辅助图案的高度低于所述主要图案的高度；获取所述主要图案的第一高度以...
    2026-05-08
  • 一种具有可变显影时间的光刻胶快速建模方法与系统
    一种具有可变显影时间的光刻胶快速建模方法与系统_北京理工大学_202511864262.7
    本发明公开了一种具有可变显影时间的光刻胶快速建模方法与系统，涉及计算光刻领域，解决现有基于深度学习的光刻胶快速仿真模型存在的理论缺陷，能够根据输入的光刻空间像预测具有不同显影时间的光刻胶显影后轮廓。其方案为：根据实际使用场景设置相关参数，建...
    2026-05-08
  • 晶圆的量测点的确定方法、电子设备和存储介质
    晶圆的量测点的确定方法、电子设备和存储介质_苏州镁伽科技有限公司_202511966145.1
    本发明实施例提供了一种晶圆的量测点的确定方法、电子设备和存储介质。晶圆的量测点的确定方法包括确定目标晶圆的工艺参数数据；将目标晶圆的工艺参数数据输入量测点预测模型，以获得目标晶圆的多个目标量测点的位置信息，其中，量测点预测模型利用训练数据进...
    2026-05-08
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