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最新专利技术
  • 显示面板
    显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202610070762.1
    本申请提供一种显示面板，显示面板包括：数据线；晶体管，与数据线电性连接，且晶体管包括图案化有源层，图案化有源层设置于数据线对应的区域；以及屏蔽层，设置于图案化有源层和数据线之间。通过将与数据线电性连接的晶体管的图案化有源层设置于数据线对应的...
    2026-04-30
  • 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
    一种阵列基板及其制备方法、显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610145852.2
    本公开提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括基底和位于基底上的额驱动层，驱动层包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；开关薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极绝缘层和第一栅极；驱动薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极...
    2026-04-30
  • 阵列基板及其制备方法和显示面板
    阵列基板及其制备方法和显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610146001.X
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板包括衬底、第一有源层、第二导电层。第一导电层包括第一电极部和第二电极部，第一电极部和第二电极部在第一沟道部的两侧与第一沟道部接触连接。第二导电层包括第一栅极，第一栅极在衬底的正投影和第...
    2026-04-30
  • 驱动背板及显示装置
    驱动背板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411508459.2
    本公开的实施例提供了一种驱动背板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示装置的显示效果。该驱动背板包括衬底和目标导电层。目标导电层包括第一导电部，且位于衬底的一侧，第一导电部的电阻率小于5.6×10‑8Ω·m；第一导电部具有相对设置的第一...
    2026-04-30
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_合肥京东方光电科技有限公司_202411510154.5
    提供一种阵列基板，包括呈阵列排布的多个像素区域，阵列基板包括衬底基板；位于多个像素区域内的多个像素驱动电路，像素驱动电路包括驱动晶体管和存储电容，存储电容包括第一电容电极、第二电容电极和第三电容电极；有机绝缘层，位于驱动晶体管远离衬底基板的...
    2026-04-30
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_苏州华星光电技术有限公司_202610093661.6
    本申请公开了一种阵列基板及显示面板；阵列基板包括栅极、有源层以及第一栅极绝缘层；有源层设置于栅极的一侧；第一栅极绝缘层设置于栅极和有源层之间，并与有源层相接触；其中，第一栅极绝缘层中靠近有源层一侧的氮含量小于第一栅极绝缘层中远离有源层一侧的...
    2026-04-30
  • 显示面板以及显示装置
    显示面板以及显示装置_重庆京东方光电科技有限公司_202610121117.8
    本申请提供了一种显示面板以及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括第一基板、第二基板以及密封胶的显示面板，其中，第一基板的衬底的边框区包括多个驱动模块，该驱动模块包括上拉单元、上拉节点以及目标晶体管，该上拉节点分别与目标晶体管以及上拉单...
    2026-04-30
  • 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板
    阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610135217.6
    本申请实施例提供的一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，涉及显示技术领域，该衬底、驱动走线层，驱动走线层位于衬底的一侧，驱动走线层包括晶体管，驱动走线层包括位于衬底一侧的第一有源层、位于第一有源层远离衬底一侧的第一导电层以及位于第一导...
    2026-04-30
  • 用于三维芯片的保护二极管电路的布局与结构
    用于三维芯片的保护二极管电路的布局与结构_联华电子股份有限公司_202411628291.9
    本发明公开一种用于三维芯片的保护二极管电路的布局与结构，其中用于三维芯片的保护二极管电路包含一覆硅绝缘体基板、一后段金属互连结构位于该覆硅绝缘体基板上、一底接触件连接该覆硅绝缘体基板的硅基底与该后段金属互连结构的第一部分、一第一保护二极管，...
    2026-04-30
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202610052992.5
    本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳能电池单晶硅衬底、第一钝化接触结构和第二钝化接触结构，单晶硅衬底的第一侧包括第一区域和第二区域；第一钝化接触结构设置在第一区域上，第一钝化接触结构包括依次层叠的本征非晶硅层、掺杂硅材料...
    2026-04-30
  • 一种具有选择性磷掺杂结构的电池板及其制备方法
    一种具有选择性磷掺杂结构的电池板及其制备方法_中环(桐城)新能源科技有限公司_202610112103.X
    本发明公开了一种具有选择性磷掺杂结构的电池板及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该电池板包括基板，基板的正面依次设有P+发射极层、氧化铝钝化层以及氮化硅减反层，反面依次设有隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、氧化铝钝化层以及氮化硅减反层；其中，在...
    2026-04-30
  • 太阳能电池片、光伏组件、参数确定方法和生产设备
    太阳能电池片、光伏组件、参数确定方法和生产设备_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202610411995.3
    本申请公开了一种太阳能电池片、光伏组件、参数确定方法和生产设备，属于太阳能电池技术领域。所述太阳能电池片包括：基底和多晶硅层，所述多晶硅层位于所述基底的一面；所述太阳能电池片的所述多晶硅层的薄层电阻与所述基底的电阻率的比值处于预设比值范围，...
    2026-04-30
  • 一种彩色光伏组件
    一种彩色光伏组件_上饶海优威应用薄膜有限公司_202511283002.0
    本申请涉及一种彩色光伏组件，包括前板玻璃，与前板玻璃牢固粘合的彩色层，与彩色层一自由面牢固熔合的第一封装层，与第一封装层一自由面牢固粘合的电池阵列，与电池阵列一自由面牢固粘合的第二封装层，以及与第二封装层一自由面牢固粘合的背板；彩色层的厚度...
    2026-04-30
  • 太阳能电池模块
    太阳能电池模块_丰田自动车株式会社_202511502307.6
    提供一种能够确保来自模块端部的水蒸气透过率性能的太阳能电池模块。太阳能电池模块(1)具备：以包围被密封材料(6)密封的太阳能电池单元的方式配置于表面板(2)的端部和背面板(3)的端部之间，确保在太阳能电池单元的厚度方向上配置太阳能电池单元的...
    2026-04-30
  • 审美性优异的透光型太阳能电池模组及其制造方法
    审美性优异的透光型太阳能电池模组及其制造方法_马卡罗有限公司_202511530589.0
    本发明涉及一种审美性优异的透光型太阳能电池模组及其制造方法，本发明一实施例所述的透光型太阳能电池模组的制造方法包括：第一步骤，形成薄膜太阳能电池，该薄膜太阳能电池包括在玻璃基板上经过图案化而成的薄膜太阳能电池层；以及第二步骤，在所述薄膜太阳...
    2026-04-30
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202610141673.1
    本申请涉及一种光伏组件，包括多个电池串，电池串包括多个串联的电池片，电池片的尺寸较小，减小了电池串内的电流，进而降低了光伏组件中的功率损失。多个电池串的两端均设置有汇流条，以连接多个电池串。汇流条包括间隔设置的第二汇流条和第三汇流条，第二汇...
    2026-04-30
  • 一种金属卤化物钙钛矿异质结X射线探测器及其制备方法
    一种金属卤化物钙钛矿异质结X射线探测器及其制备方法_深圳技术大学_202610262111.2
    本发明公开了一种金属卤化物钙钛矿异质结X射线探测器及其制备方法，属于钙钛矿技术领域。本发明通过在钙钛矿异质结的电极与卤化钙钛矿层之间引入稀土氧化物缓冲层，形成金属电极层/稀土氧化物缓冲层/卤化钙钛矿活性层/稀土氧化物缓冲层/金属电极层的对称...
    2026-04-30
  • 一种基于隧穿结的低维材料光电探测器及其制造方法
    一种基于隧穿结的低维材料光电探测器及其制造方法_浙江大学嘉兴研究院_202610021201.2
    本发明公开了一种基于隧穿结的低维材料光电探测器及其制造方法。包括金属电极及等离子波导结构、绝缘隧穿层、二维材料导电沟道、吸收层、输入光波导和输出光波导；金属电极及等离子波导结构采用类工字形结构，类工字形结构中部的条形中部设置有狭缝，狭缝与条...
    2026-04-30
  • 一种量子点光电探测器及其制备方法
    一种量子点光电探测器及其制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202511874265.9
    本发明公开了一种量子点光电探测器及其制备方法，属于半导体技术领域。所述量子点光电探测器包括：衬底，所述衬底表面开设有盲孔；量子点层，设于所述盲孔内的中部区域；空穴传输层与电子传输层，彼此相对地覆盖设于所述量子点层的两侧侧壁上；第一电极层，覆...
    2026-04-30
  • 具有超高响应度的高速锗硅光电探测器
    具有超高响应度的高速锗硅光电探测器_希烽光电科技(南京)有限公司_202610411012.6
    本发明公开了一种具有超高响应度的高速锗硅光电探测器，包括面入射光电探测器，所述面入射光电探测器包括衬底、吸收区、多晶硅层、顶部接触区、顶部电极区、掩膜层、底部接触区、底部电极区和金属电极层，面入射光电探测器上增加光反射结构，光反射结构位于面...
    2026-04-30
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