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一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法
本发明公开了一种采用金刚石热沉的半导体芯片及其制备方法,包括:功率芯片,为高能量密度、高发热的高功率半导体芯片;导热基板,为常用的热沉基板;金刚石沉积层,为在导热基板上沉积形成的图形化金刚石薄膜;过渡层,设于金刚石沉积层远离导热基板的一侧,...
堆叠散热封装结构及其制备方法
本发明涉及堆叠散热封装结构技术领域,公开了堆叠散热封装结构及其制备方法,包括安装板,安装板上内设置有安装槽,安装槽上两侧端部设置有凹槽,凹槽之间均匀设有散热槽;安装板上设有芯片组件,芯片组件卡接安装在牢固组件上,牢固组件固定设在牢固座上,牢...
一种嵌入式功率模块、电路结构和设计方法
本申请属于半导体技术领域,公开一种嵌入式功率模块、电路结构和设计方法,通过将TEC散热器与MOS芯片紧密集成,并利用TEC散热器的主动制冷能力,在MOS芯片开启前使TEC散热器预先启动,从而在MOS芯片开启的瞬时提供快速、局部的热抑制,能够...
微流道层与微流道冷板
本发明公开一种微流道层与微流道冷板,其中,微流道层包括多个金属箔片,每一金属箔片分别具有镂空网格,多个金属箔片的网孔连通设置,所述金属箔片的网线经过有相邻所述金属箔片的网孔,这样,冷却流体流经相邻两金属箔片时产生扰动,以此降低了固液界面的热...
一种环路热管散热装置
本发明涉及芯片散热领域,尤其涉及一种环路热管散热装置,蒸发器由蒸发端盖、蒸发底面及烧结多孔毛细芯组成,烧结多孔毛细芯将蒸发器的内腔分隔为上部的储液腔和下部的蒸发区域,蒸发底面的内表面设有微米级微槽道结构,并且烧结多孔毛细芯焊接于蒸发底面上。...
一种具有晶格结构气冷相变散热器
本发明属于散热技术领域,尤其涉及一种具有晶格结构气冷相变散热器,包括外壳,外壳内设有腔体,外壳上设有连通腔体的第一进气口和第一出气口;晶格结构,晶格结构内设有多个第一气体通道以及多个第二气体通道,第一进气口与第一出气口与第一气体通道连通;相...
双向静电放电检测器
本公开涉及一种双向静电放电检测器。一种设备可包含:熔丝,其耦合在双向静电放电ESD元件与第一接合触点之间,所述熔丝经配置以接收在所述第一接合触点与第二接合触点之间产生的ESD放电电流,且所述熔丝经配置以响应于所述ESD放电电流超过阈值电流量...
芯片、温度测量方法、电子设备
本申请提供一种芯片、温度测量方法、电子设备,涉及半导体技术领域,通过电压端和电流端测得的值,可以计算得到导通晶体管中栅极的实际电阻值,从而得到导通晶体管的实际温度。该芯片包括多个电压端、多个电流端、以及相同的多个晶体管。相邻两个晶体管在行方...
太阳能电池及其制备方法、光伏组件、追溯方法及系统
本公开提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件、追溯方法及系统,可以应用于半导体技术领域。该太阳能电池包括:具有至少一组图形化标记,每组图形化标记均包括多个图形化子标记,图形化标记具有第一特征,第一特征用于区分多个图形化子标记,不同图形化...
一种高可靠性SOP引线框架及其制作方法
本发明属于半导体封装技术领域,公开了一种高可靠性SOP(Small Outline Package,小外形封装)引线框架及其制作方法。该方法包括:S1预处理;S2底层沉积;S3应力调节层沉积;S4功能顶层沉积;优选的,还包括S5化学气相沉积...
异构集成基板及其加工方法
本发明公开了一种异构集成基板及其加工方法,包括:将第一基板的超薄铜层电镀增厚、形成阻挡层,在阻挡层上制作出内层线路图形雏形和焊盘雏形;对焊盘雏形及其旁边预设范围内的阻挡层覆膜保护,选择性闪蚀,制得内层线路图形;去膜得中间板A;将设有通槽的第...
一种基于无定形氮化硼的重布线层传输线及其制备方法
本发明公开了一种基于无定形氮化硼的重布线层传输线及其制备方法,该制备方法包括准备清洗、沉积无定形氮化硼的第一介质层、形成光刻胶掩膜、沉积导电材料制传输线导体、去除掩膜、沉积无定形氮化硼的第二介质层,获得无定形氮化硼介质包覆的重布线层传输线结...
一种功率芯片封装方法、塑封芯片单元及功率模块
本申请提供一种功率芯片封装方法、塑封芯片单元及功率模块,涉及芯片封装技术领域。功率芯片封装方法包括:获取功率芯片,对功率芯片的各个空旷区进行填充塑封处理,形成塑封体。对塑封体的表面进行处理,使其表面平整, 以形成塑封芯片单元。将塑封芯片单元...
芯片封装结构、芯片封装结构的制造方法和电子设备
本申请公开一种芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法和电子设备,芯片封装结构包括:芯片、引线框架和封装层;芯片的背面与引线框架的上表面贴合;封装层与引线框架的上表面贴合,且芯片被封装层包覆;芯片的正面设置有第一焊盘,引线框架上设置有电气焊盘,...
芯片封装结构和电子设备
本申请公开一种芯片封装结构和电子设备,芯片封装结构包括:芯片、引线框架和封装层;芯片的第一表面与引线框架的上表面贴合,且芯片与引线框架电连接;封装层与引线框架的上表面贴合,且芯片被封装层包覆;引线框架包括的多个引脚中的至少部分目标引脚伸出封...
半导体封装器件及其制造方法、电子设备
本申请涉及半导体领域,提供了半导体封装器件及其制造方法、电子设备,器件包括:电子元件,固定在基板的表面;第一电路结构件和第二电路结构件,固定在表面;用于电连接电子元件的输入端和第一电路结构件的第一互连线,用于电连接电子元件的输出端和第二电路...
芯片封装结构、芯片封装结构的制造方法和电子设备
本申请公开一种芯片封装结构、芯片封装结构的制作方法和电子设备,芯片封装结构包括:至少一个子封装结构,子封装结构包括:至少一个芯片、第一互连层、第一填充层和封装层;封装层上开设有至少一个凹槽,每个凹槽用于容纳至少一个芯片;芯片的背面与封装层通...
一种新型低成本高隔离度多通道TR SiP封装结构
本申请的实施例提供了一种新型低成本高隔离度多通道TR SiP封装结构,涉及无线通信设备领域,所述结构包括:依次叠层设置的上层陶瓷介质板、中层陶瓷介质板和下层陶瓷介质板;所述上层陶瓷介质板的下表面设置有射频控制组件;所述中层陶瓷介质板的上表面...
金刚石通孔金属化互连基底及其制备方法
本发明属于半导体先进封装与三维集成互联技术领域,具体涉及一种金刚石通孔金属化互连基底及其制备方法。一种金刚石通孔金属化互连基底,包括金刚石基底和填充于金刚石基底通孔中的金属化互连层;金属化互连层包括Fe、Ni,以及Cr、Co、Mo、Mn、C...
电子装置及制造电子装置的方法
电子装置及制造电子装置的方法。在一个范例中,一种电子装置包含衬底和安置在所述衬底上方的第一电介质。所述第一电介质界定第一迹线开口。第一导电图案可安置在所述迹线开口中且从所述第一电介质的上部侧凹陷。所述第一导电图案包含第一迹线。第二导电图案可...
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工程元件,部件;绝热;紧固件装置的制造及其应用技术
气体或液体的贮存或分配装置的制造及其应用技术
测量装置的制造及其应用技术
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控制;调节装置的制造及其应用技术
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电子通信装置的制造及其应用技术
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