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最新专利技术
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥海图微电子有限公司_202511853603.0
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，所述图像传感器包括衬底；衬底，所述衬底中设置间隔的光电二极管和深沟槽隔离结构；复合介电堆叠层，设置在所述衬底上，且所述复合介电堆叠层包括叠置的第一氧化层、高介电常数层和第二氧化层；光学间隙，设置在每个所...
    2026-05-10
  • 图像传感器及其制备方法、摄像头模组和电子设备
    图像传感器及其制备方法、摄像头模组和电子设备_荣耀终端股份有限公司_202411551415.8
    本申请实施例提供一种图像传感器及其制备方法、摄像头模组和电子设备，涉及成像技术领域，用于提高图像传感器的图像采集效果。图像传感器包括光吸收层，光吸收层的材料包括SixGe1‑x‑ySny合金，其中，x、y均大于0，且小于1。光吸收层包括多个...
    2026-05-10
  • 一种平板探测器、使用平板探测器的方法及装置
    一种平板探测器、使用平板探测器的方法及装置_中国核工业二三建设有限公司_202411545970.X
    本申请公开了一种平板探测器、使用平板探测器的方法及装置。以均匀铺设有六边形像素的图案的非晶硅基底为基础，构建平板探测器。六边形像素在二维平面上能够更紧密地排列，减少像素间的间隙，从而以较高的填充率最大化感光区域，提高探测器的空间分辨率。且六...
    2026-05-10
  • 高性能图像传感器及其形成方法
    高性能图像传感器及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202411526692.3
    本发明公开了一种高性能图像传感器及其形成方法，利用交替堆叠的多层掺杂层衬底，结合深沟槽隔离结构以及通过外延形成的侧向PN结结构，形成所述图像传感器的光电转换单元，以提升所述光电转换单元的电荷容量，并降低所述图像传感器像素阵列中的坏点概率。
    2026-05-10
  • CIS器件及其制作方法
    CIS器件及其制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202411525612.2
    本发明涉及一种CIS器件及其制作方法。所述CIS器件包括堆叠基板结构，堆叠基板结构垂向上包括相互键合的第一像素基板和第二像素基板、且横向上非重叠分布有至少一个可见光像素单元和至少一个红外光像素单元，可见光像素单元包括形成于第一像素基板中的可...
    2026-05-10
  • 图像传感结构、传感器及制备方法
    图像传感结构、传感器及制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610416871.4
    本发明公开了一种图像传感结构、传感器及制备方法，属于半导体领域，本发明在衬底背面外延P型的第一半导体层，刻蚀第一凹槽后填充第一光敏层，根据需要外延缓冲层，之后继续外延P型的第二半导体层，刻蚀第二凹槽后填充第二光敏层，继续外延第三半导体层，刻...
    2026-05-10
  • 三维半导体像素探测器及其制造方法
    三维半导体像素探测器及其制造方法_清华大学_202610076525.6
    本公开涉及一种三维半导体像素探测器及其制造方法。获取预先制备的设置有呈阵列排布的多个探测腔体的阵列载体，探测腔体的内表面设置导电层且每个探测腔体中设置有探测像素的中心电极，中心电极与探测腔体的内表面不接触，导电层用于作为探测像素的面电极；采...
    2026-05-10
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511435900.3
    提供了一种图像传感器。该图像传感器包括：包括彼此相对的第一表面和第二表面的第一基板，表面绝缘膜，包括第一布线和第一布线间绝缘层的第一布线结构，在第一基板中延伸到表面绝缘膜中并包括焊盘图案的第一通孔沟槽，在第一基板中连接到第一通孔沟槽的第二通...
    2026-05-10
  • 一种对8寸读出电路进行手动In柱剥离的方法
    一种对8寸读出电路进行手动In柱剥离的方法_安徽晶芯科技有限公司_202610171786.6
    本发明公开了一种对8寸读出电路进行手动In柱剥离的方法，在专用设计的石英浸泡槽中放入低腐蚀性有机溶剂中去胶；将8寸读出电路芯片固定于专用夹具上，手持夹具把手将夹具和芯片垂直放入石英浸泡槽，使剥离液完全浸没芯片；将夹具向有读出电路的一面倾斜，...
    2026-05-10
  • 一种图像传感器封装结构及图像传感器封装方法
    一种图像传感器封装结构及图像传感器封装方法_成都微光集电科技有限公司_202610132162.3
    本申请公开了一种图像传感器封装结构及图像传感器封装方法，属于半导体集成电路制造工艺领域，该图像传感器封装结构包括：图像传感器芯片、支撑层、第一挡光层和透明盖板；图像传感器芯片表面设置有像素区；第一挡光层包括第一部分和第二部分；第一部分设置在...
    2026-05-10
  • CMOS图像传感器及形成方法
    CMOS图像传感器及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610113684.9
    本发明提供了一种CMOS图像传感器及形成方法，包括：将衬底从中心到边缘依次分为有源像素区、遮光区和外围区，在有源像素区和遮光区的衬底内均形成有像素二极管；在有源像素区、遮光区和外围区的衬底表面的堆叠设置的多层金属互连层，金属互连层包括层间介...
    2026-05-10
  • 一种探测器金属底电极的制备方法
    一种探测器金属底电极的制备方法_安徽量芯光电科技有限公司_202511874163.7
    本发明公开了一种探测器金属底电极的制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明的方法中通过“刻蚀‑沉积‑刻蚀返回”的工艺，从根本上避免了传统“剥离”工艺中因溅射各向异性而在电极边缘产生的“围栏”或“耳朵”效应；最终制备的金属底电极表面与周围的钝...
    2026-05-10
  • 基于硫卤族半导体Cu2Br2-nInSe6的X射线探测器及其制备方法
    基于硫卤族半导体Cu2Br2-nInSe6的X射线探测器及其制备方法_山东大学_202610162744.6
    本发明公开一种基于硫卤族半导体Cu2Br2‑nInSe6的X射线探测器及其制备方法，该探测器是以Cu2Br2‑nInSe6晶体作为探测半导体，其中0≤n≤2；在晶体的上下两侧设置金属电极；其制备方法包括以下步骤：(1)制备Cu2Br2‑nI...
    2026-05-10
  • 一种自适应可重构的高动态范围红外探测器及其控制方法
    一种自适应可重构的高动态范围红外探测器及其控制方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202610171573.3
    本发明提供一种自适应可重构的高动态范围红外探测器及其控制方法。该探测器包括第一电极、N型InP层和本征InGaAs层；在本征InGaAs层的侧壁外侧设有环状的P型InP区，氧化层设于本征InGaAs层的另一侧表面，氧化层上设有透明电极；P型...
    2026-05-10
  • 一种具有U型电势的光电探测器
    一种具有U型电势的光电探测器_苏州大学_202610426251.9
    本申请提供一种具有U型电势的光电探测器，涉及光电探测技术领域。光电探测器包括由下至上依次层叠布置的衬底层、N型沟道层和P型光敏结构层，N型沟道层两侧设有施加偏压的第一电极层和第二电极层，对第一电极层施加的电压大于第二电极层，以在N型沟道层内...
    2026-05-10
  • 一种垂直光入射型的锗硅光电探测器及其制备方法
    一种垂直光入射型的锗硅光电探测器及其制备方法_希烽光电科技(南京)有限公司_202610418736.3
    本发明公开了一种垂直光入射型的锗硅光电探测器及其制备方法，垂直光入射型的锗硅光电探测器，包括衬底和探测区，探测区置于衬底上方；在衬底的底层上刻蚀出背孔，在背孔的孔底制备金属反射层；探测区自该区域中心向外侧依次为硅Si光栅结构、N型掺杂区、锗...
    2026-05-10
  • 一种三维阵列结构的WS2/MoS2异质结光电探测器及其制备方法
    一种三维阵列结构的WS2/MoS2异质结光电探测器及其制备方法_甘肃省科学院传感技术研究所_202610180829.7
    本发明公开了一种三维阵列结构的WS2/MoS2异质结光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。本发明通过先构筑具有空间有序三维锥状结构的阵列衬底，该结构利用三维界面特有的几何与物理优势，在显著提升光吸收与光捕获能力的同时，优化了载流子传...
    2026-05-10
  • 一种量子点偏振光电探测器及其制备方法与应用
    一种量子点偏振光电探测器及其制备方法与应用_西湖大学光电研究院_202610138316.X
    本发明公开了一种量子点偏振光电探测器及其制备方法与应用，涉及光电探测技术领域。所述量子点偏振光电探测器包括自下而上依次设置的衬底、金层、三氧化二铝层、图案化金层1、ZnO量子点层和图案化金层2。本发明的量子点偏振光电探测器能实现紫外光的偏振...
    2026-05-10
  • 基于二硒化铂/碳化硅异质结的超宽光谱光电探测器及其制备方法
    基于二硒化铂/碳化硅异质结的超宽光谱光电探测器及其制备方法_西安电子科技大学_202610075270.1
    本发明公开了基于二硒化铂/碳化硅异质结的超宽光谱光电探测器及其制备方法，该探测器包括基底，基底自下而上包含N+型SiC衬底和N‑型SiC外延层；N‑型SiC外延层表面的部分区域层叠设置有绝缘隔离层，剩余部分区域定义为异质结接触区，异质结接触...
    2026-05-10
  • 一种双顶极4H-SiC位置探测器及其制备方法和应用
    一种双顶极4H-SiC位置探测器及其制备方法和应用_松山湖材料实验室_202610053793.6
    本发明公开了一种双顶极4H‑SiC位置探测器及其制备方法和应用。所述双顶极4H‑SiC位置探测器包括：4H‑SiC基底；设置在基底硅面彼此分立的第一、第二顶电极；设置在基底碳面的底电极。该探测器利用分立双顶极结构在单一4H‑SiC材料体系中...
    2026-05-10
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