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最新专利技术
  • 显示面板及制备方法
    显示面板及制备方法_深圳大学_202511989437.7
    本发明公开了一种显示面板及制备方法，涉及显示装置技术领域。本发明中的技术方案中的滤光层通过采用特定配方的蓝色光阻材料并结合蓝光光致发光材料显示层，能够将455nm以下的高危害短波蓝光转换为低危害的长波蓝光，有效解决了现有技术对有害蓝光只进行...
    2026-04-30
  • 封装结构
    封装结构_隆达电子股份有限公司_202510736399.8
    本发明公开一种封装结构。封装结构包括介电层、重布线层、多个发光元件、光劣化防止层及覆盖层。重布线层设置于介电层上。多个发光元件设置于重布线层上，且电连接重布线层。光劣化防止层设置于介电层上，且围绕多个发光元件。覆盖层设置于多个发光元件及光劣...
    2026-04-30
  • 一种发光装置及显示装置
    一种发光装置及显示装置_湖北三安光电有限公司_202512059168.0
    本发明公开一种发光装置及显示装置，发光装置包括间隔布置的三个发光元件、驱动芯片及四个焊盘。驱动芯片与三个发光元件间隔设置，驱动芯片包括电源端子、数字信号端子及模拟信号端子，数字信号端子包括数据信号端子及时钟信号端子；模拟信号端子包括第一模拟...
    2026-04-30
  • 显示装置和制造该显示装置的方法
    显示装置和制造该显示装置的方法_乐金显示有限公司_202511218136.4
    提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板；基板上的包括多个像素的有源区域；设置在有源区域中的多个绝缘层；设置在多个绝缘层上的第一堤和第二堤；设置在第一堤和第二堤上的第一电极；设置在第一堤和第二堤上的至少一个微LED；包围第一堤、第二堤、以及...
    2026-04-30
  • 微型LED显示面板及其制造方法、以及显示装置
    微型LED显示面板及其制造方法、以及显示装置_上海显耀显示科技股份有限公司_202511757607.9
    本公开实施例提供了一种微型LED元件、一种微型LED显示面板、以及一种显示装置。所述微型LED显示面板包括：微型LED芯片，所述微型LED芯片包括驱动层和设置在所述驱动层上的微型LED阵列，所述驱动层用于接收驱动所述微型LED阵列的信号；基...
    2026-04-30
  • 一种基于MOSAIC技术的Micro LED光模块
    一种基于MOSAIC技术的Micro LED光模块_海迪科(南通)光电科技有限公司_202512020551.5
    本发明涉及一种基于MOSAIC技术的Micro LED光模块，包括核心发光层、驱动与控制层和光学与封装层，核心发光层采用Micro LED矩阵，Micro LED矩阵包括400个2Gbps/通道；本发明的Micro LED光模块采用Mosa...
    2026-04-30
  • 封装结构
    封装结构_隆达电子股份有限公司_202510655875.3
    本发明公开一种封装结构。封装结构包括第一介电层、重布线结构、多个发光元件、集成电路元件及覆盖层。第一介电层具有一顶表面与一侧表面。重布线结构设置于第一介电层中。多个发光元件设置于第一介电层上。集成电路元件设置于第一介电层上，且相邻多个发光元...
    2026-04-30
  • 照明光源
    照明光源_赛万特科技有限责任公司_202411505453.X
    本公开涉及照明光源。照明光源包括发光二极管以及用于封装发光二极管的荧光胶，荧光胶包括荧光粉以及与荧光粉混合的硅胶组合物，发光二极管为蓝光芯片，荧光粉包括半峰全宽FWHM小于60nm的第一红色荧光粉和半峰全宽FWHM大于60nm的第二红色荧光...
    2026-04-30
  • 一种LED支架单元、LED灯珠及其制造方法
    一种LED支架单元、LED灯珠及其制造方法_吉安市木林森光电有限公司_202610148945.0
    本申请属于LED封装技术领域，具体涉及一种LED支架单元、LED灯珠及其制造方法。包括金属支架，所述金属支架包括用于承载LED灯珠的焊盘部，用于电路连接的引脚部，以及用于连接所述焊盘部和所述引脚部的支撑部，所述引脚部呈平面设置且作为用于表面...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制作方法、微型发光芯片
    半导体结构及其制作方法、微型发光芯片_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202610095977.9
    本发明公开了一种半导体结构及其制作方法、微型发光芯片。该半导体结构包括外延层，外延层包括至少两个平面排布的发光台面；第一反射层，设置于发光台面顶面的一侧，用于对外延层发射的光进行反射；其中，发光台面的顶面为外延层靠近半导体结构背光面的一侧；...
    2026-04-30
  • 改善良率的倒装LED芯片及其制备方法、发光器件
    改善良率的倒装LED芯片及其制备方法、发光器件_华引芯(张家港)半导体有限公司_202610401496.6
    本申请提供一种改善良率的倒装LED芯片及其制备方法、发光器件，倒装LED芯片包括依次层叠设置的第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层、第一功能层和第二功能层，第一功能层具有第一开口，第二功能层具有第二开口，第二开口与第一开口对应设置，且...
    2026-04-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202512049166.3
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括外延结构、背面绝缘层，外延结构配置有台面，台面形成于第一半导体层未覆盖有第二半导体层和发光层的表面区域；外延结构还具有第一侧壁，第一侧壁分别连接第一表面与第二表面...
    2026-04-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202512058407.0
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管中电极结构的上表面具有开口部，电极结构具有分界线位于所述开口部的底部区域内的第一部分及第二部分，第一部分和第二部分的最小距离及覆盖面积的设置，增加了第一部分在电极通孔的底部的覆盖性，保证电极结构...
    2026-04-30
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511823736.3
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延层、电流阻挡层、透明导电层和第一电极；电流阻挡层位于外延层的表面，透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层；第一透明导电子层包括台阶结构，台阶结构包括相...
    2026-04-30
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202512058275.1
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，其中的半导体外延叠层中形成有台面结构及孔结构，台面结构的侧壁与半导体外延叠层的表面所在的平面之间具有第一夹角，以及孔结构的侧壁与半导体外延叠层的表面所在的平面之间具有第二夹角，并且第一夹角和第二夹角均介于...
    2026-04-30
  • 一种倒装背光LED芯片及其制备方法
    一种倒装背光LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610396149.9
    本发明涉及半导体发光二极管的技术领域，公开了一种倒装背光LED芯片及其制备方法。倒装背光LED芯片包括衬底，以及于所述衬底上设置的外延层、电流阻挡层、透明导电层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和Pad层；其中，电流阻挡层包括...
    2026-04-30
  • 一种具有重掺杂空穴阻挡层的双波长发光二极管外延结构
    一种具有重掺杂空穴阻挡层的双波长发光二极管外延结构_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202610141552.7
    本发明公开了一种具有重掺杂空穴阻挡层的双波长发光二极管外延结构。该结构在第一多量子阱层与第二多量子阱层之间直接生长一层厚度为20nm至50nm的重掺杂硅空穴阻挡层。该阻挡层利用高浓度掺杂形成的势垒阻挡空穴注入第一多量子阱层，使其在器件工作时...
    2026-04-30
  • 一种LED芯片及其制备方法
    一种LED芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202610132859.0
    本发明提供一种LED芯片及其制备方法，包括层叠在衬底上的发光层；高反射DBR层，层叠在发光层上；透明导电层，设置在发光层以及高反射DBR层上；金属电极，分别设置在发光层以及透明导电层上。本发明通过高反射DBR层与透明导电层的混合结构避免电流...
    2026-04-30
  • 降低位错密度的发光二极管及其制备方法
    降低位错密度的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511827405.7
    本公开提供了一种降低位错密度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的缓冲层、位错阻挡层和外延层；所述位错阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层包括GaN层，所述第二子层包括掺碳的G...
    2026-04-30
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_江西兆驰半导体有限公司_202410188412.6
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、位错调控层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述位错调控层为周期性结...
    2026-04-30
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