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最新专利技术
  • 钠二次电池、过渡金属氧化物类正极活性材料及其制备方法、用电设备
    钠二次电池、过渡金属氧化物类正极活性材料及其制备方法、用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411479285.1
    本申请公开了钠二次电池、过渡金属氧化物类正极活性材料及其制备方法、用电设备，钠二次电池包括正极极片，正极极片包括正极集流体，正极集流体的至少一侧具有正极膜层，所述正极膜层包括过渡金属氧化物类正极活性材料，所述过渡金属氧化物类正极活性材料的晶...
    2026-04-30
  • 一种内部凹凸结构的含固态电解质的极片和应用
    一种内部凹凸结构的含固态电解质的极片和应用_北京新能源汽车股份有限公司_202610082109.7
    本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种内部凹凸结构的含固态电解质的极片和应用。极片的活性物质层背离集流体层的表面为第一配合面，第一配合面形成有多个第一凸起和多个第一凹槽，任意相邻两个第一凸起之间通过一个第一凹槽相连；极片的纯固态电解质层接...
    2026-04-30
  • 电化学装置和包含其的电子装置
    电化学装置和包含其的电子装置_宁德新能源科技有限公司_202610006612.4
    本申请涉及电化学装置和包含其的电子装置。本申请的电化学装置包括：正极、负极和电解液，所述正极包括正极集流体和位于所述正极集流体上的正极活性物质区、绝缘区和交互区；所述交互区位于所述正极活性物质区和所述绝缘区之间，并且与所述正极活性物质区和所...
    2026-04-30
  • 一种二次电池及电子装置
    一种二次电池及电子装置_宁德新能源科技有限公司_202610002122.7
    本申请提供了一种二次电池及电子装置，二次电池包括电极组件，电极组件包括负极极片、正极极片和隔膜，负极极片包括负极集流体以及设置在负极集流体至少一个表面上的负极材料层，负极材料层包括硅碳材料，硅碳材料包括基体、硅包覆层以及碳包覆层，基体包括多...
    2026-04-30
  • 一种双极性电极及全固态电池
    一种双极性电极及全固态电池_上海兆钠新材料科技有限公司_202511932981.8
    本发明提供一种双极性电极及全固态电池，涉及固态电池技术领域，包括绝缘层，在绝缘层的同一表面上间隔设有多个导电层，每个导电层上涂覆有活性物质，并且相邻的两导电层的活性物质的极性不同形成正极单元和负极单元；在绝缘层的首端和末端之间的多组相邻的正...
    2026-04-30
  • 一种全固态电池、复合极片及其制备方法
    一种全固态电池、复合极片及其制备方法_兆钠新能源科技有限公司_202511901173.5
    本发明提供一种全固态电池、复合极片及其制备方法，包括箔材，箔材的第一面具有锂离子正极材料层，箔材的第二面具有钠离子正极材料层，锂离子正极材料层背离箔材的一面具有第一固态电解质层，钠离子正极材料层背离箔材的一面具有第二固态电解质层。将锂离子正...
    2026-04-30
  • 电极和非水电解质二次电池
    电极和非水电解质二次电池_丰田自动车株式会社_202511502881.1
    本公开提供能够抑制反应电阻增加的电极和非水电解质二次电池。一种电极，具有集电体和活性物质层，所述活性物质层包含：形成于所述集电体之上的第1活性物质层、以及以覆盖所述第1活性物质层的方式形成于所述第1活性物质层及其周围的所述集电体之上的第2活...
    2026-04-30
  • 电极以及电极的制造方法
    电极以及电极的制造方法_丰田自动车株式会社_202511383745.5
    本公开提供电极以及电极的制造方法。电极具有集电体和电极层，该电极层形成于集电体上，且至少包含活性物质和相对于电解液的溶胀度为150%以上的粘合剂，在电极层中，将比电极层的厚度方向的中央更靠电极层的表面侧设为表面侧部、将比电极层的厚度方向的中...
    2026-04-30
  • 一种等离子体辅助调控的O3型层状氧化物正极材料及其制备方法与应用
    一种等离子体辅助调控的O3型层状氧化物正极材料及其制备方法与应用_浙江工业大学_202610407028.X
    本发明属于钠离子电池电极材料技术领域，具体涉及一种等离子体辅助调控的O3型层状氧化物正极材料及其制备方法与应用。本发明所述方法是在等离子体处理气氛中进行高温固相烧结过程，得到等离子体辅助调控的O3型层状氧化物正极材料，所述等离子体处理气氛由...
    2026-04-30
  • 兼具顶底单面片中转的极片处理设备、方法及叠片机
    兼具顶底单面片中转的极片处理设备、方法及叠片机_广东利元亨智能装备股份有限公司_202610137838.8
    本发明涉及极片处理技术领域，具体涉及一种兼具顶底单面片中转的极片处理设备、方法及叠片机。兼具顶底单面片中转的极片处理设备包括：安装于主架的取片机构、中转机构和放片机构，中转机构设置在取片机构和放片机构之间；取片机构包括取片板，取片板用于将极...
    2026-04-30
  • 一种基于1H-四氮唑的锌电极表面改性方法及其在水系锌电池中的应用
    一种基于1H-四氮唑的锌电极表面改性方法及其在水系锌电池中的应用_天府绛溪实验室_202610124680.0
    本发明公开了一种基于1H‑四氮唑的锌电极表面改性方法及其在水系锌电池中的应用。所述改性方法为：将锌电极浸入1H‑四氮唑水溶液(NIM)中进行化学腐蚀处理。该腐蚀过程利用1H‑四氮唑分子中‑NH‑基团的温和酸性及其配位能力，实现对锌表面凸起区...
    2026-04-30
  • 一种采用连续挤压技术制备铝空气电池铝阳极板的方法
    一种采用连续挤压技术制备铝空气电池铝阳极板的方法_中铝瑞闽股份有限公司_202610089330.5
    本发明涉及一种采用连续挤压技术制备铝空气电池铝阳极板的方法，包括铝阳极板，所述铝阳极板按质量百分比计，其成分包括：Mg : 0.3~1.0%、Sn : 0.05~0.10%、In : 0.05~0.10%、Ga : 0.05~0.15%，余...
    2026-04-30
  • 一种电池电极的干法制造设备
    一种电池电极的干法制造设备_淄博鼎晟电源材料有限公司_202511919403.0
    本发明公开了一种电池电极的干法制造设备，涉及电池电极技术领域，包括初步混料装置，所述初步混料装置包括第一外壳体，所述第一外壳体下方设置有第一支架，所述第一外壳体上方设置有若干进料机构，所述进料机构下方设置有第一出料管，所述第一出料管上设置有...
    2026-04-30
  • 电极的制造方法
    电极的制造方法_丰田自动车株式会社_202511525276.6
    本发明的一方式所涉及的电极的制造方法，其使用热塑性树脂材料来包覆金属箔，所述电极的制造方法具备：层叠步骤，在金属箔的周缘部层叠树脂材料；第1熔接步骤，在将树脂材料上的区域分割成在与树脂材料的周向交叉的方向上具有多个区域时，对该多个区域中的第...
    2026-04-30
  • 极卷、极片的制备方法及极片、电池和用电装置
    极卷、极片的制备方法及极片、电池和用电装置_江苏睿恩新能源科技有限公司_202511995847.2
    本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种极卷、极片的制备方法及极片、电池和用电装置。所提供的极卷，包括：前体，前体包括集流体，以及集流体厚度方向一侧表面上的活性涂层；前体在长度方向上收卷形成极卷，极卷包括螺旋形的多层前体，在螺旋形的任意两个前体...
    2026-04-30
  • 基于切换式透镜的质谱装置和方法
    基于切换式透镜的质谱装置和方法_宁波华仪宁创智能科技有限公司_202512043736.8
    本发明属于质谱技术，具体提供了基于切换式透镜的质谱装置和方法，所述质谱装置包括多极杆和透镜，所述透镜具有允许离子通过的通孔，并设置在所述多极杆的出口处；所述透镜设置支架上，并在驱动单元驱动下绕着转轴旋转，至少2个通孔选择性地处于多极杆出射离...
    2026-04-30
  • 一种电感耦合等离子体质谱仪自动进样器
    一种电感耦合等离子体质谱仪自动进样器_成都理工大学_202610134719.7
    本发明公开了一种电感耦合等离子体质谱仪自动进样器，属于质谱仪技术领域，包括进样针、吸液管路系统、三轴运动系统、光电限位传感器、电控系统、样品架和交互系统；本发明提供的自动进样器实现了全自动样品吸取与清洗，且几乎能适配几乎可以兼容现有的所有型...
    2026-04-30
  • 分析仪器进样口
    分析仪器进样口_塞莫费雪科学(不来梅)有限公司_202511167204.9
    一种用于分析仪器(例如质谱仪)的进样口(例如常压进样口)，包括：具有上游端和下游端的转移管以及布置在所述转移管上游端处或邻近该端的沉积区域。所述转移管被配置为将离子与气流一起从上游端输送到下游端。所述转移管和沉积区域被配置为使得气流在所述沉...
    2026-04-30
  • 一种电离室、检测探头及检测设备
    一种电离室、检测探头及检测设备_常州锐奇精密测量技术有限公司_202610065479.X
    本发明公开了一种电离室、检测探头及检测设备，电离室包括壳体和集电极，壳体设置为中空的柱状，壳体的一端开设有射线采集腔，射线采集腔的腔口由透射窗膜密封，射线采集腔内填充有惰性气体或惰性气体与淬灭气体混合后的气体，集电极安装于射线采集腔内，其上...
    2026-04-30
  • 一种电容位置优化方法及半导体工艺设备
    一种电容位置优化方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411505626.8
    本申请提供了一种电容位置优化方法及半导体工艺设备，该方法基于匹配装置中各可调电容的初始位置对各可调电容的位置进行迭代更新，并在满足迭代终止条件时基于各次迭代中的反射功率确定各可调电容的目标位置，其中，在当次迭代中，基于当前功率梯度确定当次迭...
    2026-04-30
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