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最新专利技术
  • 具有多个放电路径的暂态电压抑制器
    具有多个放电路径的暂态电压抑制器_晶焱科技股份有限公司_202411908628.1
    本发明公开一种具有多个放电路径的暂态电压抑制器，包括具有第一导电型态的半导体基底与掺杂井型区、具有第二导电型态的磊晶层、及形成于掺杂井型区中具有第二导电型态的第一、第二重掺杂区与第一导电型态的第三重掺杂区。第一重掺杂区电性耦接于第二导电型态...
    2026-04-30
  • 具有多种方块电阻值的标准单元库、制作方法及其应用
    具有多种方块电阻值的标准单元库、制作方法及其应用_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202610004308.6
    本发明公开了一种具有多种方块电阻值的标准单元库、制作方法及其应用，所述制作方法包括以下步骤：设计包含多个标准单元的版图，所述标准单元为能够独立体现一个特定方块电阻值的最小完整结构，所述版图中包括设置在标准单元的多晶硅表面的两个金属硅化物阻挡...
    2026-04-30
  • 薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板以及显示装置和用于制造显示装置的方法
    薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板以及显示装置和用于制造显示装置的方法_乐金显示有限公司_202511472207.3
    本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管基板以及显示装置和用于制造显示装置的方法。本发明的实施方式试图提供一种显示装置，其包括：有源层；栅电极，该栅电极设置在有源层上并且与有源层交叠；层间绝缘膜，该层间绝缘膜在栅电极上；以及氢捕获层，该...
    2026-04-30
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202511439203.5
    显示设备包括衬底。第一半导体层布置在衬底之上。第一栅极层布置在第一半导体层之上。第二栅极层布置在第一栅极层之上。第一层间绝缘层布置在第二栅极层之上。第一层间绝缘层包括具有向下凹入的形状的凹槽图案。第二半导体层布置在第一层间绝缘层之上。第二半...
    2026-04-30
  • 显示面板和电子装置
    显示面板和电子装置_三星显示有限公司_202511478687.4
    本申请涉及显示面板和电子装置，该显示面板包括显示区域和外围区域，并且显示面板包括：衬底；显示层，在衬底上设置在显示区域中；公共电压提供线，向显示层施加公共电压，并且设置在衬底上；以及驱动电压提供线，向显示层提供驱动电压，驱动电压提供线和公共...
    2026-04-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510767614.0
    提供了半导体装置，包括：基体图案；沟道层，设置为在基体图案的前侧上在与基体图案的前侧垂直的第一方向上彼此间隔开；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，电连接到在基体图案的前侧上的沟道层；背侧接触插塞，从基体图案的背侧电连接到第一源极/漏极...
    2026-04-30
  • 一种包含耗尽型和增强型GaN HEMT器件结构
    一种包含耗尽型和增强型GaN HEMT器件结构_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610343442.9
    本发明涉及氮化镓半导体技术领域，且公开了一种包含耗尽型和增强型GaN HEMT器件结构，由衬底层、GaN器件、MOS器件构成，所述GaN器件从下向上依次包括缓冲层、氮化镓通道层、氮化铝镓通道层、介质层以及GaN栅极，所述介质层的两侧还包括G...
    2026-04-30
  • 一种沟槽MOSFET的单元布局优化结构及其制备方法
    一种沟槽MOSFET的单元布局优化结构及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610327982.8
    本发明公开一种沟槽MOSFET的单元布局优化结构及其制备方法，沟槽MOSFET的单元布局优化结构包括外延层，外延层内形成有在厚度方向延伸且深度不同的多个沟槽结构，沟槽结构的槽壁设有栅氧化层并填充多晶硅栅极，沟槽之间形成延伸深度不同的第一阱区...
    2026-04-30
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511463371.8
    提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：第一源极/漏极区域；在所述第一源极/漏极区域上方的第二源极/漏极区域；侧通路结构，连接到所述第二源极/漏极区域；在所述第一源极/漏极区域上的第一背侧接触插塞；在所述侧通路结构上...
    2026-04-30
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510915231.3
    实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极；第二电极；半导体层；第三电极，在半导体层内沿第一方向延伸，包含硅；第四电极，在半导体层内沿第一方向延伸，具有在第二方向上与第三电极的侧面对置的第一侧面、及在第二方向上位于第一...
    2026-04-30
  • 一种FCE二极管及其制造方法
    一种FCE二极管及其制造方法_高文玉_202610063504.0
    公开了一种FCE二极管及其制造方法。在阴极金属上设置有沟槽隔离区、横向交替排列的阴极N+区和阴极P+区，沟槽隔离区将阴极N+区和阴极P+区隔离，且厚度超过二者2um；然后依次设置等离子体存储区、场终止区、基区、阳极P区和阳极金属。增厚沟槽隔...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610157832.7
    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在衬底表面形成硬掩膜层，硬掩膜层暴露出部分第一区；以硬掩膜层为掩膜，刻蚀第一区，在第一区内形成若干栅沟槽；在若干栅沟槽侧壁和底部表面形成沟槽栅氧层；在形成沟槽栅氧层之后，在若干栅沟槽内形成沟槽栅极层...
    2026-04-30
  • 高压碳化硅器件及其制造方法
    高压碳化硅器件及其制造方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202411423273.7
    本发明提供一种高压碳化硅器件及其制造方法，先形成第一侧墙层，第一侧墙层至少覆盖接触孔的上部的侧壁和台阶的顶表面；形成第二侧墙层，第二侧墙层位于台阶顶表面的第一侧墙层上并覆盖第一侧墙层的侧壁；刻蚀第一侧墙层，去除位于台阶顶表面的第一侧墙层，以...
    2026-04-30
  • 三维集成器件及其制备方法与电子设备
    三维集成器件及其制备方法与电子设备_中国科学院微电子研究所_202511871127.5
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种三维集成器件及其制备方法与电子设备。一种三维集成器件的制备方法，包括步骤S01：在半导体衬底的一侧表面上，分布设置多个垂直晶体管单元，相邻的垂直晶体管单元之间包括凹槽区域，每个垂直晶体管单元中包括沟道区...
    2026-04-30
  • 三维器件及其金属互连的制备方法与电子设备
    三维器件及其金属互连的制备方法与电子设备_中国科学院微电子研究所_202511871077.0
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种三维器件及其金属互连的制备方法与电子设备。该三维器件中设置有多个垂直晶体管单元，相邻的垂直晶体管单元之间包括凹槽区域；三维器件包括第一表面和第二表面；该制备方法包括：步骤S01：在凹槽区域生长嵌入式第一...
    2026-04-30
  • 一种半导体器件及制备方法
    一种半导体器件及制备方法_北京工业大学_202610062535.4
    本发明公开了一种半导体器件及制备方法，属于半导体技术领域；包括：衬底、N型漂移层、N型源区、电流扩展层、P型屏蔽层、P型基区、重掺杂P型区、源极、栅极、漏极、栅极氧化层、源极电极；在双沟槽MOSFET的源极两侧集成肖特基二极管或沟道二极管。...
    2026-04-30
  • 含有内集成二极管的功率MOS晶体管
    含有内集成二极管的功率MOS晶体管_北京工业大学_202511880069.2
    含有内集成二极管的功率MOS晶体管涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种含有内集成二极管的功率MOS晶体管结构，包括漏极金属、N型漏区、耐压层、二极管区和MOS区等。该结构把双槽(栅槽和源槽)MOS结构的一个单元一分为二，一侧仍保持为原有...
    2026-04-30
  • 集成电路
    集成电路_英飞凌科技股份有限公司_202511473440.3
    本公开涉及一种集成电路(IC)，其包括：至少一个管芯，其包括包括多个晶体管的晶体管层；连接焊盘，其被设置在管芯上。连接焊盘沿IC的厚度方向与晶体管层重叠。晶体管层包括没有晶体管的切口区域。切口区域沿厚度方向面向连接焊盘。
    2026-04-30
  • 半导体器件、半导体器件封装结构及电子设备
    半导体器件、半导体器件封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202411422641.6
    本申请提供一种半导体器件、半导体器件封装结构及电子设备。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体层、金属导电层和金属硅化物层；半导体层包含硅，比如半导体层可以是硅衬底中的源漏极，金属导电层可以是与源漏极欧姆接触的导电通道；金属硅化物堆叠在...
    2026-04-30
  • 一种低栅极电荷的MOSFET器件及其制备方法
    一种低栅极电荷的MOSFET器件及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202610298442.1
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种低栅极电荷的MOSFET器件及其制备方法，所述器件包括P型Si衬底；LOCOS隔离层；沟道下浅埋P型电场调控层；横向掺杂梯度沟道；栅介质层；主栅极；屏蔽栅结构；非对称LDD区，源侧掺杂浓度为1×101...
    2026-04-30
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