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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 一种具有防坠落结构的智能爬壁机器人
    一种具有防坠落结构的智能爬壁机器人_成都信息工程大学_202610297998.9
    本发明涉及爬壁机器人技术领域，具体公开了一种具有防坠落结构的智能爬壁机器人，包括机器人本体，机器人本体通过内部设置的负压结构吸附在立面表面，机器人本体靠近立面的一侧外壁安装有密封垫，机器人本体远离立面的一侧外壁通过安装有安装板，安装板的上下...
    2026-04-22
  • 车辆悬架系统
    车辆悬架系统_现代自动车株式会社_202510282384.9
    本发明涉及一种车辆悬架系统，包括：一对扭力弹簧轴，该一对扭力弹簧轴中的每个扭力弹簧轴的第一扭力弹簧轴端分别连接到车辆的左侧车轮和右侧车轮，并且一对扭力弹簧轴中的每个扭力弹簧轴的第二扭力弹簧轴端沿车辆宽度方向延伸以彼此对称地面对；以及连接支架...
    2026-04-22
  • 基于车机和云端交互的汽车智能充电系统、方法及存储介质
    基于车机和云端交互的汽车智能充电系统、方法及存储介质_中腾大庞互联网科技(广州)有限公司_202311757778.2
    本申请公开了一种基于车机和云端交互的汽车智能充电系统、方法及存储介质，涉及新能源汽车及充电控制技术领域。该系统包括：车机端、云端、车充站端；所述车机端包括人车交互模块、随车定位模块、余量检测模块和车机通信模块；所述云端包括通信中心、站点管理...
    2026-04-22
  • 一种可垫高分格式纸质内托包装
    一种可垫高分格式纸质内托包装_云南侨通包装印刷有限公司昆明分公司_202520257136.4
    本实用新型涉及一种可垫高分格式纸质内托包装，包括上层内托和下层内托，上层内托和下层内托均是由一张卡纸折叠而成的；上层内托包括第一底板，所述第一底板左右两侧边均连接有第一垫高板，第一底板上至少设有一个第一分格墙和至少一个第一搭接槽，所述第一搭...
    2026-04-22
  • 一种基于激光散斑的凝血点识别方法
    一种基于激光散斑的凝血点识别方法_中国人民解放军海军军医大学_202512034326.7
    本发明涉及医学检测技术领域，具体涉及一种基于激光散斑的凝血点识别方法，包括以下步骤：S1，对光纤激光扩束生成覆盖透析壶的圆形光斑作为散斑激发源；S2，在散斑反射路径中依次设置滤光片和偏振片以滤除环境光与反射光斑，采集血流散斑图像矩阵；S3，...
    2026-04-22
  • 质量分析器和控制方法
    质量分析器和控制方法_聚光科技(杭州)股份有限公司_202512038752.8
    本发明属于质谱领域，具体涉及一种质量分析器和控制方法，所述质量分析器包括多极杆；导热件贴在各个极杆的外侧，制冷单元连接所述导热件；电源为所述制冷单元供电，温度传感器用于获得极杆的温度；控制器用于根据质荷比Aj调整第i个极杆上制冷单元的工作电...
    2026-04-22
  • 一种包覆NFPP正极材料及其制备方法与应用
    一种包覆NFPP正极材料及其制备方法与应用_格林美(无锡)能源材料有限公司_202511877853.8
    本发明属于钠离子电池技术领域，具体涉及一种包覆NFPP正极材料及其制备方法与应用。本发明提供的制备方法包括：将NFPP内核和复合补钠剂混合后，进行热处理，得到包覆NFPP正极材料；复合补钠剂包括有机酸钠盐、分散剂和导电碳材料；以NFPP内核...
    2026-04-22
  • 锂离子二次电池及其正极结构与充放电方法
    锂离子二次电池及其正极结构与充放电方法_乾坤科技股份有限公司_202511487951.0
    本发明提出了一种锂离子二次电池，包含一正极，含有一第一集电层与一第一活性材料、一负极、一隔离膜介于该正极与该负极之间、一电场电极位于该正极相对于该负极的一侧、以及一第一绝缘层隔绝该正极与该电场电极。
    2026-04-22
  • 一种含铯铝钎剂中铝、钾含量的检测方法
    一种含铯铝钎剂中铝、钾含量的检测方法_广州汉源微电子封装材料有限公司_202512025961.9
    本发明涉及一种含铯铝钎剂中铝、钾含量的检测方法，属于化学检测分析技术领域。本发明提供的检测方法包括如下步骤：S1.向含铯铝钎剂样品中加水混匀，然后加入体积为V1的浓硝酸和体积为V2的高氯酸，煮沸使总体积浓缩至V2，冷却后稀释、过滤得到待测液...
    2026-04-22
  • 隐私预算的优化使用
    隐私预算的优化使用_诺基亚通信公司_202511474824.7
    本公开涉及维护私有数据的隐私，本公开的实施例提供了一种方法，该方法包括：在可信执行环境中基于存储在该可信执行环境中的私有数据来确定机器学习模型的超参数的值，其中超参数包括：系统特定的超参数和模型特定的超参数。在可信执行环境中训练机器学习模型...
    2026-04-22
  • 一种信创环境下的文档中台系统及其运行方法
    一种信创环境下的文档中台系统及其运行方法_祥保玉_202610002846.1
    本发明提供了一种信创环境下的文档中台系统及其运行方法，系统采用了多存储介质统一适配与智能调度机制，通过存储策略引擎能够根据文件特性动态选择最优存储后端，并结合分片上传、断点续传及基于混合哈希的秒传技术，大幅提升了海量文件尤其是大文件的处理效...
    2026-04-22
  • 用于控制电动车辆充电的装置和方法
    用于控制电动车辆充电的装置和方法_现代自动车株式会社_202111226912.7
    本发明提供一种用于控制电动车辆充电的装置和方法。用于控制电动车辆充电的装置配置为在通过多个输入电压进行充电之前，基于设置在驱动电机中的转子角度来计算在充电期间预期发生的转子扭矩，并且当计算出的转子扭矩大于参考扭矩时，通过将电动车辆移动指定距...
    2026-04-22
  • 三维存储器及其制作方法、存储器系统
    三维存储器及其制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202610239595.9
    本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域，所述第一方向垂直于所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上形成多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的堆叠结构；在所述第一区域上形成...
    2026-04-22
  • 沟槽栅功率器件及其制造方法
    沟槽栅功率器件及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610343559.7
    本发明公开了一种沟槽栅功率器件，包括：第一导电类型掺杂的半导体外延层。在半导体外延层的顶部区域形成有多个器件单元结构。器件单元结构包括：沟槽栅，第二导电类型掺杂的阱区以及第一导电类型重掺杂的源区；沟槽栅纵向穿过阱区，被沟槽栅侧面覆盖的阱区的...
    2026-04-22
  • 基于内核加密与文件重定向的企业终端防泄漏方法及系统
    基于内核加密与文件重定向的企业终端防泄漏方法及系统_厦门工学院_202511639119.8
    本发明涉及数据加密领域，具体公开了基于内核加密与文件重定向的企业终端防泄漏方法及系统，包括以下步骤：S1、在终端层，部署安全终端，利用VeraCrypt内核驱动对终端硬盘的C‑Y盘进行全盘加密，并创建隔离的、不加密的Z盘作为外网专用盘；S2...
    2026-04-22
  • 可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法
    可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610044860.8
    本发明涉及一种可缓解电流突变的快恢复二极管及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种可缓解电流突变的快恢复二极管，所述快恢复二极管包括：半导体基板，至少包括N型漂移区；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列排布的元胞，其中，对于任一...
    2026-04-22
  • 一种沟槽MOSFET的单元布局优化结构及其制备方法
    一种沟槽MOSFET的单元布局优化结构及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610327982.8
    本发明公开一种沟槽MOSFET的单元布局优化结构及其制备方法，沟槽MOSFET的单元布局优化结构包括外延层，外延层内形成有在厚度方向延伸且深度不同的多个沟槽结构，沟槽结构的槽壁设有栅氧化层并填充多晶硅栅极，沟槽之间形成延伸深度不同的第一阱区...
    2026-04-22
  • 一种漆雾吸附用的组装式过滤装置
    一种漆雾吸附用的组装式过滤装置_浙江日鼎涂装科技有限公司_202410017665.7
    本发明涉及漆雾过滤装置技术领域，且公开了一种漆雾吸附用的组装式过滤装置，包括：支撑框架，由多根长杆组成，用于支撑过滤装置内的滤芯；纸壳，是一块长条形纸板，头部和尾部通过设置延长板连接在一起，从而包裹在支撑框架外侧，安装和拆卸过滤装置时通过延...
    2026-04-22
  • 一种联产3-氯-4-氟苯甲酰氯和3, 5-二氯-4-氟苯甲酰氯的方法
    一种联产3-氯-4-氟苯甲酰氯和3, 5-二氯-4-氟苯甲酰氯的方法_湖北联昌新材料有限公司_202610119374.8
    本发明提供一种联产3‑氯‑4‑氟苯甲酰氯和3, 5‑二氯‑4‑氟苯甲酰氯的方法，包括以下步骤：S1、将对氟苯甲酰氯与含氯催化剂混合，获得混合物；S2、将所述混合物加热，并在氯氛下进行反应，获得反应物；S3、将反应物进行精馏后，获得3‑氯‑4...
    2026-04-22
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202010971697.2
    半导体器件包括：第一和第二有源图案，分别在衬底的第一和第二有源区上；一对第一源极/漏极图案和在其间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极/漏极图案在第一有源图案的上部中；一对第二源极/漏极图案和在其间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极/漏极...
    2026-04-22
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