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最新专利技术
  • 芯片封装结构、制造方法和逆变器的半桥模块
    芯片封装结构、制造方法和逆变器的半桥模块_采埃孚股份公司_202411513791.8
    本发明涉及汽车零部件技术领域，提供芯片封装结构、制造方法和逆变器的半桥模块。芯片封装结构包括：母排，母排上设置有多个芯片槽；多个芯片单元，分别嵌入多个芯片槽中，多个芯片单元中至少包括两个不同类型的芯片单元；其中，芯片槽的底部设置有电化学镀层...
    2026-05-10
  • 用于锗基器件的低阻金属半导体接触结构及其制备方法、器件
    用于锗基器件的低阻金属半导体接触结构及其制备方法、器件_西安电子科技大学_202511753690.2
    本发明公开了一种用于锗基器件的低阻金属半导体接触结构及其制备方法、器件。该低阻金属半导体接触结构，包括依次层叠设置的锗掺杂层、石墨烯层和金属电极；锗掺杂层中的锗掺杂浓度为1×1019 cm‑3至5×1019 cm‑3；石墨烯层至少包含一层石...
    2026-05-10
  • 一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法
    一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610406125.7
    本发明公开一种分裂栅MOSFET的栅极应力缓释结构及其制备方法，结构包括半导体外延层、形成于半导体外延层中的沟槽、设置于沟槽内的栅极绝缘层以及由栅极绝缘层限定形成的至少一个安装腔；在各安装腔内分别设置有栅极导电层，并在栅极导电层外表面与对应...
    2026-05-10
  • 一种分段式介电调控的石墨烯场效应晶体管结构
    一种分段式介电调控的石墨烯场效应晶体管结构_河北工业大学_202610140229.8
    本发明公开一种分段式介电调控的石墨烯场效应晶体管结构，包括源电极、漏电极、基础衬底层、绝缘层、六方氮化硼衬底层、石墨烯沟道层、栅电极和栅介质层；基础衬底层、绝缘层、六方氮化硼衬底层、石墨烯沟道层由下至上依次布置，源电极和漏电极分别位于石墨烯...
    2026-05-10
  • 一种功率半导体器件及其制备方法
    一种功率半导体器件及其制备方法_杭州士兰微电子股份有限公司_202610034315.0
    本申请公开了一种功率半导体器件及其制备方法，功率半导体器件包括基底，基底包括衬底以及位于衬底上的外延层；若干第一元胞和第二元胞，第一元胞和第二元胞在第一方向并行排布；第二元胞包括：连通沟槽，从外延层的表面穿至外延层内部，连通沟槽包括第二沟槽...
    2026-05-10
  • 晶体管、半导体器件及其制造方法、电子设备
    晶体管、半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411525453.6
    一种晶体管、半导体器件及其制造方法、电子设备，所述晶体管包括：第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间并且依次排列的半导体层、栅极绝缘层和栅电极；所述第一电极和所述第二电极沿第一方向分布在所述半导体层的两侧，所述栅电极沿第二方...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制作方法、芯片
    半导体器件及其制作方法、芯片_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202610117326.5
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法、芯片，涉及半导体技术领域，用于解决在采用后金属栅工艺制作半导体器件时，出现半导体器件低电阻的优势无法体现的问题。所述半导体器件的制作方法包括：在衬底基板上制作异质结膜层；在异质结膜层背向衬底基板的一侧制...
    2026-05-10
  • 碳化硅栅极氧化层及其制备方法、半导体器件
    碳化硅栅极氧化层及其制备方法、半导体器件_北京智慧能源研究院_202512000219.2
    本申请涉及碳化硅栅极氧化层及其制备方法、半导体器件。碳化硅栅极氧化层的制备方法包括以下步骤：将碳化硅外延片在含氮气氛下进行氧化处理，在所述碳化硅外延片的表面制备栅极氧化膜，形成第一结构；对所述第一结构进行偏压温度应力处理，制备第二结构；对所...
    2026-05-10
  • LDMOS器件及其制造方法
    LDMOS器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411538399.9
    本发明涉及一种LDMOS器件及其制造方法，所述LDMOS器件包括：源极区；漏极区；栅极；漂移区，至少部分位于所述源极区和漏极区之间；场氧层，位于所述漂移区上；低K介质层，位于所述栅极上和所述场氧层上，所述低K介质层的介电常数小于所述场氧层的...
    2026-05-10
  • 应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构及其生长方法
    应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构及其生长方法_西安理工大学_202610118625.0
    本发明公开了应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构，自下而上依次为Ge衬底，Si缓冲层，SiGe外延层；Si缓冲层的厚度为5‑12nm；SiGe外延层的厚度为180‑200nm。本发明还公开了应变缓释型Ge/Si/SiGe异质结构的生长方法...
    2026-05-10
  • HEMT外延片及其制备方法、HEMT
    HEMT外延片及其制备方法、HEMT_江西兆驰半导体有限公司_202610416893.0
    本发明涉及场效应晶体管技术领域，具体公开了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT。其中，HEMT外延片包括硅衬底，依次层叠于所述硅衬底上的复合缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和盖帽层；其中，所述复合缓冲层包括依次层叠于所述硅衬底上的SiO2...
    2026-05-10
  • 半导体结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411523580.2
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体结构包括：交替堆叠的若干第一半导体层和第二半导体层；第一半导体层包括第一子层以及第二子层；第一子层位于第二子层沿第一方向相对的两侧，第一方向平行于第一半...
    2026-05-10
  • 基于SOI的锗硅异质结双极晶体管集电区结构及加工方法
    基于SOI的锗硅异质结双极晶体管集电区结构及加工方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511911598.4
    本发明公开了一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管集电区结构及加工方法，该结构包括：绝缘体上硅基础结构；覆盖氧化硅层；刻蚀沟槽，穿过覆盖氧化硅层、绝缘体上硅基础结构并延伸进入p型轻掺杂硅衬底内；氧化硅内侧墙，形成在刻蚀沟槽的侧壁并延伸至所述p...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610121654.2
    本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例中的半导体器件包括半导体衬底、掺杂区、深终端结构和至少一个源极区和漏极区。其中，掺杂区形成于半导体衬底之上，掺杂区包括深终端沟槽，深终端沟槽从掺杂区的上表面延伸至掺杂区内，深终端结构...
    2026-05-10
  • SiC基AlN外延层结构及垂直型功率器件
    SiC基AlN外延层结构及垂直型功率器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511990402.5
    本发明涉及一种SiC基AlN外延层结构及垂直型功率器件，所述SiC基AlN外延层结构包括自下而上层叠设置的SiC衬底、成核层和N‑AlN漂移区；根据实际材料需求，所述成核层和N‑AlN漂移区之间可设置缓冲层；所述N‑AlN漂移区上还可设置P...
    2026-05-10
  • 一种TVS器件及其制备方法
    一种TVS器件及其制备方法_安徽大鹏半导体有限公司_202411522811.8
    本发明公开了一种TVS器件及其制备方法，其中，TVS器件包括：衬底；多个管芯和多个划片道，管芯和划片道在衬底的一侧间隔设置；划片道设置有第一凹槽，第一凹槽延伸至衬底内，第一凹槽的侧壁设置有绝缘隔离层；划片道将相邻的管芯绝缘隔离；第一电极，第...
    2026-05-10
  • 一种非对称GCT芯片
    一种非对称GCT芯片_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411469399.8
    本发明属于功率半导体领域，具体涉及一种非对称GCT芯片，包括从下至上依次层叠设置的P+透明发射阳极、N‑基区、P基区和P+基区以及部分嵌入P+基区内的N+发射区；或者P+透明发射阳极区与N‑基区之间设有N′缓冲层；N+发射区的中心设有凹槽，...
    2026-05-10
  • 一种具有过压短路击穿结构的GCT芯片
    一种具有过压短路击穿结构的GCT芯片_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411468967.2
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有过压短路击穿结构的GCT芯片，包括P+透明发射阳极区、N′缓冲层、N‑基区、P基区、P+基区、N+发射区；芯片中心处设置有过压短路击穿区，且过压短路击穿区在N‑基区与阳极之间，过压短路击穿区包括N+...
    2026-05-10
  • 超结集成方法及超结集成芯片
    超结集成方法及超结集成芯片_合肥托尔半导体有限公司_202610422564.7
    本申请公开了超结集成方法及超结集成芯片，属于超结半导体技术领域，所述方法包括，构建衬底层；衬底层上成型集成超结结构，其中，所述集成超结结构限定有外延层以及外延层内P柱与N柱交替，所述集成超结结构内具有至少一隔离结构，所述隔离结构限定有P梁，...
    2026-05-10
  • 一种改善超重掺B衬底双层低阻硅外延片过渡区宽度的外延方法及其外延片
    一种改善超重掺B衬底双层低阻硅外延片过渡区宽度的外延方法及其外延片_安徽晶隆半导体科技有限公司_202610158594.1
    本发明提供一种改善超重掺B衬底双层低阻硅外延片过渡区宽度的外延方法及经该外延方法得到的外延片，方法主要包括在掺B衬底上依次设置P型外延内层、N型缓冲层、以及P型外延外层的步骤。本发明的优点在于，相较于现有直接外延工艺，通过优化外延结构与工艺...
    2026-05-10
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