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最新专利技术
  • 非洲猪瘟病毒感染
    非洲猪瘟病毒感染_爱丁堡大学董事会_202480062029.4
    公开了调节猪白细胞抗原复合物II(SLA II)基因和/或SLA II蛋白质的功能、活性和/或表达的化合物，用于医学的用途、用作药物的用途或用于治疗或预防ASF或ASFV感染的用途。本公开还提供了SLA‑DMA、SLA‑DMB、RFXANK...
    2026-04-30
  • 作业车辆
    作业车辆_井关农机株式会社_202480060848.5
    本发明提供一种作业车辆，其执行与作业计划图相应的行驶。作业车辆在田地进行作业，其中，所述作业车辆具备：行驶车体；天线，其从卫星接收卫星信号；卫星定位装置，其基于所述卫星信号来检测所述行驶车体的位置；以及控制装置，其基于所述行驶车体的位置和作...
    2026-04-30
  • 三维集成电路芯片及其设计方法
    三维集成电路芯片及其设计方法_算苗科技(北京)有限公司_202610030757.8
    一种三维集成电路芯片及其设计方法，三维集成电路芯片包括第一芯片层、第二芯片层以及设置在第一芯片层和第二芯片层之间的缓冲芯片层，缓冲芯片层与第一芯片层之间通过三维堆叠结构垂直互连，缓冲芯片层与第一芯片层之间的互连信号连接点为第一信号连接点；缓...
    2026-04-30
  • 一种可拼接微光储集成电源模块
    一种可拼接微光储集成电源模块_中国电子科技集团公司第十八研究所_202512017442.8
    本发明公开了一种可拼接微光储集成电源模块，属于新能源与微电子技术领域。该模块采用三维异质集成堆叠架构，将光学窗口层、光电转换层、信号处理与电源管理层以及储能层垂直集成于单一封装体内。通过系统级封装技术实现各功能层之间的高密度垂直互连，并在模...
    2026-04-30
  • 一种IC封装结构及IC芯片转移方法
    一种IC封装结构及IC芯片转移方法_湖北三安光电有限公司_202512059222.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种IC封装结构及IC芯片转移方法。该IC封装结构包括临时衬底、若干间隔设置的IC芯片、临时间隔层、临时锚链层。若干间隔设置的IC芯片，IC芯片具有相对的第一表面、第二表面，以及位于第一表面和第二表面之...
    2026-04-30
  • 组装设备和半导体结构的制备方法
    组装设备和半导体结构的制备方法_深圳市联得半导体技术有限公司_202610089149.4
    本申请涉及一种组装设备和半导体结构的制备方法。组装设备包括第一工作台，包括第一承载面；第二工作台；包括第二承载面，且与第一工作台间隔设置；第一绑头；相对于第一工作台可活动的设置；第二绑头；相对于第二工作台可活动的设置；在第一绑头处于第一状态...
    2026-04-30
  • 一种安装稳定的新能源汽车控制芯片基座
    一种安装稳定的新能源汽车控制芯片基座_深圳市盛岭电子信息有限公司_202310383620.7
    本发明公开了一种安装稳定的新能源汽车控制芯片基座，包括安装板，所述安装板上接触有基座，所述基座上开设有四个均匀分布的安装孔，所述安装孔的内部滑动连接有螺栓，所述螺栓与安装板通过螺钉连接，所述基座上固定连接有安装座，所述安装座的内部固定安装有...
    2026-04-30
  • 用于纤维集成电路的复合基底及其制备方法
    用于纤维集成电路的复合基底及其制备方法_复旦大学_202610073405.0
    本发明公开了一种用于纤维集成电路的复合基底，包括：柔性高分子层，柔性高分子层包括改性表面，改性表面通过等离子体处理得到，柔性高分子层的材料为聚二甲基硅氧烷、苯乙烯‑丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物以及聚氨酯中的一种；缓冲层，位于柔性高分子层之上，并...
    2026-04-30
  • 一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法
    一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法_江苏应能微电子股份有限公司_202610352324.4
    本发明涉及一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法。本发明包括封装主体，为一体成型结构，内部设置有封闭功能腔体；第一内导体结构与第二内导体结构，设置于所述封闭功能腔体内部并相对设置；第一外电极与第二外电极，分别设置于所述封装主体的外表面，并...
    2026-04-30
  • 一种功率半导体器件的封装结构
    一种功率半导体器件的封装结构_吉林华微斯帕克电气有限公司_202610103801.3
    本发明属于但不限于功率半导体封装技术领域，公开了一种功率半导体器件的封装结构；其包括引线框架、塑封体、基岛、键合线及半导体芯片组件，集成第一、第二两个功率单元：第一单元含两颗驱动 IC、六颗 IGBT 及六颗 FRD 芯片，第二单元含两颗驱...
    2026-04-30
  • 纤维集成电路器件及其制备方法和应用
    纤维集成电路器件及其制备方法和应用_复旦大学_202610075131.9
    本发明提供了一种纤维集成电路器件，其具有弹性基质和包裹在弹性基质中的功能电路层，纤维集成电路器件由平面预制体沿一轴线卷绕而成，形成多层螺旋叠层纤维体；平面预制体包括弹性基底、设于弹性基底上的功能电路层、以及覆盖于功能电路层上的层间粘结层；其...
    2026-04-30
  • 半导体封装结构
    半导体封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202411458538.7
    一种半导体封装结构包含基板、影像感测芯片、金属线、盖体、第一封胶层及焊球阵列。影像感测芯片位于基板的上表面上。金属线的二端分别电性连接影像感测芯片及基板的上表面的上接触点。盖体的下表面连接盖体的第一盖体侧面，且盖体的下表面与第一盖体侧面之间...
    2026-04-30
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511397360.4
    在半导体装置的壳体的嵌入成形中防止电极端子的位置偏移和漏配置。半导体装置的壳体(1)具有多个由一组电极端子(10)形成的电极端子块(20)。在该壳体(1)的形成工序中，准备经由连接杆(11)连接多个电极端子块(20)而形成的连接电极端子块(...
    2026-04-30
  • 互连体、封装模组及其制备方法
    互连体、封装模组及其制备方法_长电科技(江阴)有限公司_202610028232.0
    本发明涉及电子设备技术领域，尤其是涉及一种互连体、封装模组及其制备方法。所述互连体中的第一互连结构位于所述互连体第一侧端面，第二互连结构位于所述互连体第二侧端面，当采用所述互连体制备堆叠结构的封装模组时，确保所述互连体通过现有的SMT设备进...
    2026-04-30
  • 具有镀铜源极焊盘的半导体封装及其制造方法
    具有镀铜源极焊盘的半导体封装及其制造方法_万国半导体国际有限合伙公司_202511498852.2
    本发明公开了一种半导体封装包括引线框架、场效应晶体管(FET)、铜层、源极金属夹和模塑封装。FET在其顶表面具有栅极总线、栅极电极和源极电极，在其底表面具有漏极电极。模塑封装包裹FET、铜层、源极金属夹以及引线框架的大部分。本发明还公开了一...
    2026-04-30
  • 一种功率半导体器件及其金属焊盘改性提升方法
    一种功率半导体器件及其金属焊盘改性提升方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202511830336.5
    本发明涉及功率器件封装技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其金属焊盘改性提升方法。一种功率半导体器件，包括：芯片半导体材料层；介质层，形成于所述芯片半导体材料层的上方；金属层，形成于所述介质层的上方，部分所述金属层的底部抵达所述芯片半导体...
    2026-04-30
  • 基于焊点对位的键合机龙门机构定位校准方法
    基于焊点对位的键合机龙门机构定位校准方法_江苏圣创半导体科技有限公司_202610371056.0
    本发明涉及电机控制领域，尤其涉及基于焊点对位的键合机龙门机构定位校准方法，包括：监测龙门机构中两侧独立控制的两台伺服电机的速度差和实时位移偏差；基于速度差和实时位移偏差计算龙门机构两侧的预测位移偏差；根据预测位移偏差计算龙门机构的横梁相对于...
    2026-04-30
  • 一种超高真空常温键合设备
    一种超高真空常温键合设备_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202610267350.7
    本发明提供一种超高真空常温键合设备，属于半导体器件键合技术领域，适用于常温下芯片与基板的金属键合互联。设备包括键合腔，其内设芯片传输模组以移送芯片，晶圆载台模组承载固定晶圆，与晶圆载台模组对置的压头模组拾取芯片并常温键合至晶圆表面，还配有视...
    2026-04-30
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_颀中科技(苏州)有限公司_202610118465.X
    本申请公开了一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括含铜凸块，含铜凸块包括层叠设置的铜层和金属层，制备方法包括：在半导体封装结构的含铜凸块表面形成保护膜层，保护膜层为Cu‑N复合物膜层。本申请通过在含铜凸块表面形成Cu‑N复合物膜...
    2026-04-30
  • 芯片及其芯片制备方法、芯片封装结构
    芯片及其芯片制备方法、芯片封装结构_通富超威(苏州)微电子有限公司_202610057698.3
    本公开实施例提供一种芯片及其芯片制备方法、芯片封装结构，该芯片制备方法包括：提供芯片本体，并在芯片本体背面的中央区域形成沟槽；在沟槽的底壁沉积形成阻挡层；在阻挡层上形成间隔分布的多个碳纳米管位点；在碳纳米管位点上垂直生长致密均匀的碳纳米管；...
    2026-04-30
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