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最新专利技术
  • 太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    太阳能电池及其制备方法和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511984518.8
    本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。电池包括电池本体以及形成在电池本体上的电极结构；电极结构包括主体部，以及分散于主体部的若干导电颗粒，导电颗粒的部分表面凸出于主体部的表面。连续的主体部不仅可有效屏蔽水汽等杂质对电池的侵蚀，还...
    2026-05-10
  • 一种电池片及光伏组件
    一种电池片及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511958494.9
    本申请公开了一种电池片及光伏组件，电池片包括基底，基底的表面设有两种相反导电类型的掺杂层，在两种掺杂层之间设有隔离区；掺杂层包括沿第一方向延伸的主体部和设于主体部沿第二方向的至少一侧的指状部；沿第二方向靠近基底第一边缘的主体部为第一主体部，...
    2026-05-10
  • 一种太阳能电池以及光伏组件
    一种太阳能电池以及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511958475.6
    本发明涉及一种太阳能电池以及光伏组件，该太阳能电池中，太阳能电池包括硅基底、第一半导体层、第二半导体层、第一导电层和第二导电层；第一半导体层背离硅基底的一面设置有第一导电层；至少部分第一导电层包括交替的非晶导电层和微晶导电层；第二半导体层背...
    2026-05-10
  • 电池电极印刷方法、背接触电池及光伏组件
    电池电极印刷方法、背接触电池及光伏组件_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511953141.X
    本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种电池电极印刷方法、背接触(Back Contact)电池及光伏组件。该方法包括：网版不变，先印刷N型副栅与P型副栅，最后印刷主栅，主栅印刷为三道工序叠加印刷主栅的顺序，在电池背面形成复合电极结构。本发明...
    2026-05-10
  • 一种可见-近红外宽光谱半导体透明电极及其制备方法
    一种可见-近红外宽光谱半导体透明电极及其制备方法_西南技术物理研究所_202511905979.1
    本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种可见‑近红外宽光谱半导体透明电极及其制备方法。可见‑近红外宽光谱半导体透明电极包括：包括基片和形成在其上的氧化铟锡薄膜，氧化铟锡薄膜包含In、O、Sn三种元素，薄膜结构为玻璃态氧化铟锡镶嵌In2O3和S...
    2026-05-10
  • 低成本金属衬底薄膜砷化镓太阳电池及其制备方法
    低成本金属衬底薄膜砷化镓太阳电池及其制备方法_上海空间电源研究所_202511851860.0
    本发明涉及低成本金属衬底薄膜砷化镓太阳电池及其制备方法，太阳电池从顶到底依次包括：减反射膜与上金属电极；倒装生长的砷化镓外延层；蒸镀金属钛层；蒸镀金属铬层；蒸镀金属镍层；电镀金属镍或镍合金层。制备方法包括倒装外延生长、应力平衡金属过度层蒸镀...
    2026-05-10
  • 背接触太阳能电池、组件、系统及方法
    背接触太阳能电池、组件、系统及方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610416942.0
    本申请适用于光伏技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、组件、系统及方法，包括：硅衬底；设置于所述硅衬底背面的掺杂区域；所述掺杂区域包括层叠设置的第一介电层和第一掺杂层，所述掺杂区域包括第一子区域以及第二子区域；本申请通过将掺杂区域分为第一子...
    2026-05-10
  • 一种太阳能电池结构、分片、整片、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池结构、分片、整片、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511867332.4
    本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池结构、分片、整片、电池组件及光伏系统。电池结构包括：基底，基底沿第一方向的两侧分别设有第一边缘及第二边缘；汇流单元，包括沿第一方向依次排布的第一汇流单元、第三汇流单元及第二汇流单元；第一汇...
    2026-05-10
  • 异质结电池及其制备方法
    异质结电池及其制备方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202411534156.8
    本申请公开了异质结电池及其制备方法。制备方法包括准备半导体衬底层；在半导体衬底层相对的两面分别制备本征非晶硅层；在本征非晶硅层沉积掺杂层；在掺杂层上制作透明导电层。在本征非晶硅层制备掺杂层包括：在至少一面本征非晶硅层上沉积收集层；在收集层上...
    2026-05-10
  • 电池片栅线转印装置及方法
    电池片栅线转印装置及方法_北京载诚科技有限公司_202610319919.X
    本申请涉及一种电池片栅线转印装置及方法。装置包括放卷组件与收卷组件，用于图案化转印膜的输送；视觉检测组件，用于获取膜与电池片的位置信息；贴覆承载平台，其载台用于承载电池片并由第一移动部件驱动，实现水平移动及垂直于膜面的移动，以完成对位与贴合...
    2026-05-10
  • 一种用于紫外光电探测器的二维金属材料及其制备方法
    一种用于紫外光电探测器的二维金属材料及其制备方法_四川东泽科技有限公司_202610163859.7
    本发明涉及一种用于紫外光电探测器的二维金属材料及其制备方法，属于探测器制备技术领域，通过等离子体处理通过高活性粒子活化蓝宝石衬底，引入羟基活性位点，为超宽禁带Ga2O3薄膜的异质外延生长奠定洁净界面基础，确保Ga2O3对紫外光的特异性吸收能...
    2026-05-10
  • 一种铜铟镓硒吸收层的制备方法及太阳能电池
    一种铜铟镓硒吸收层的制备方法及太阳能电池_河北大学_202610160978.7
    本发明提供了一种铜铟镓硒吸收层的制备方法及太阳能电池。该方法包括：在氢等离子体环境中采用磁控溅射法制备铜铟镓硒前驱体，随后在其表面沉积一层铜铟镓硫薄膜，最后高温退火制备CIGSe梯度吸收层。该方法利用表面铜铟镓硫作为盖层延迟结晶并促进晶粒横...
    2026-05-10
  • 一种TBC太阳能电池及其制备方法
    一种TBC太阳能电池及其制备方法_南京工业大学_202610143887.2
    本发明公开了一种TBC太阳能电池制备方法，步骤如下：碱抛；依序沉积二氧化硅隧穿氧化层和本征非晶硅层；硼扩转化为P型多晶硅；激光图形化为沉积N区做准备；酸洗并碱抛；再次依序沉积二氧化硅隧穿氧化层和本征非晶硅层；磷扩转化为N型多晶硅；正面去PS...
    2026-05-10
  • 一种基于Poly Finger结构的高双面率TOPCon电池及其制备方法
    一种基于Poly Finger结构的高双面率TOPCon电池及其制备方法_南京工业大学_202610143881.5
    本发明公开了一种基于Poly Finger结构的高双面率TOPCon电池及其制备方法，步骤为：S1、碱制绒处理形成正金字塔绒面；S2、硼扩散形成硼扩散层；S3、背面去硼硅玻璃；S4、基底抛光；S5、背面依序沉积二氧化硅隧穿氧化层、磷掺杂非晶...
    2026-05-10
  • 用于隧穿氧化层钝化接触电池的高熵合金电极的制备方法
    用于隧穿氧化层钝化接触电池的高熵合金电极的制备方法_复旦大学义乌研究院_202610141699.6
    本发明属于电子材料技术领域，具体为一种用于隧穿氧化层钝化接触电池的高熵合金电极的制备方法。本发明所述的制备方法包括隧穿氧化层钝化接触电池清洗、激光开槽、酸性氧化液反向电镀、碱性氧化液反向电镀、淋洗、电镀高熵合金电极以及真空退火；高熵合金电极...
    2026-05-10
  • TBC电池及其制备方法
    TBC电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202610128447.X
    本申请公开一种TBC电池及其制备方法，通过在硅片背面依次构建硼掺杂与磷掺杂的载流子选择性接触区域，并结合隧穿氧化层与多晶/非晶硅薄膜的协同作用，有效实现了对少数载流子的高效阻挡与多数载流子的选择性传输，显著抑制了界面复合损失，从而大幅提升电...
    2026-05-10
  • 低压刻蚀背接触电池及其制备方法
    低压刻蚀背接触电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202610128155.6
    本申请公开一种低压刻蚀背接触电池及其制备方法，通过引入低压环境下的两次选择性刻蚀工艺，结合精准的薄膜沉积与掺杂顺序设计，从源头抑制了底切缺陷的形成，同时兼顾了表面钝化质量与载流子选择性传输性能，从而在提高TBC电池光电转换效率的同时，显著提...
    2026-05-10
  • 重掺杂背接触电池及其制备方法
    重掺杂背接触电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202610127474.5
    本申请公开一种重掺杂背接触电池及其制备方法，通过沉积含硼或磷的掺杂掩膜并结合激光选择性掺杂，精准控制掺杂位置与浓度，避免传统高温扩散中掺杂原子挥发、横向扩散及污染问题，确保掺杂分布的一致性与重复性。该方法可实现精细图案化，工艺适配性强，且无...
    2026-05-10
  • 一种耐辐照超快响应硅探测器及其制备方法
    一种耐辐照超快响应硅探测器及其制备方法_东华理工大学_202610110153.4
    本发明公开了一种耐辐照超快响应硅探测器及其制备方法，以硅作为衬底层，在硅衬底上下双面采用化学气相沉积技术生长Si3N4钝化层，利用匀胶机在一面的Si3N4钝化层上旋涂负性光刻胶层，对负性光刻胶层进行曝光显影，在另一面重复上述步骤，正反两面光...
    2026-05-10
  • 一种多晶铌酸锂薄膜的微结构阵列及其制备方法和用途
    一种多晶铌酸锂薄膜的微结构阵列及其制备方法和用途_中国科学技术大学苏州高等研究院_202610108787.6
    本发明涉及一种多晶铌酸锂薄膜的微结构阵列及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用具有预设图案的光刻掩膜，在基底上刻蚀，形成具有预设图案的微柱模板；(2)对所述微柱模板上未被掩膜覆盖的侧壁进行疏液修饰，去除掩膜，得到非对称浸润...
    2026-05-10
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