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最新专利技术
  • 一种高维持电压的SCR器件版图结构
    一种高维持电压的SCR器件版图结构_杰平方半导体(上海)有限公司_202411512337.0
    本发明公开了一种高维持电压SCR器件版图结构，属于电子电路技术领域，该高维持电压的SCR器件版图结构，包括衬底；N型阱区；第一N型重掺杂区，纵向设置在N型阱区中，第一N型重掺杂区的一侧连接有第一P型重掺杂区；第三N型重掺杂区，横向设置在N型...
    2026-05-10
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_昆山国显光电有限公司_202610142271.3
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括：衬底；第一导电层，包括第一端电极；第一间隔层，包括贯穿设置的第一开口，至少部分第一端电极由第一开口露出；第二导电层，包括第二端电极；第一有源层，包括第一有源部，其中，第一端电极、...
    2026-05-10
  • 阵列基板及其制备方法和显示面板
    阵列基板及其制备方法和显示面板_昆山国显光电有限公司_202610139790.4
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板包括衬底、第一晶体管和第二晶体管。位于中间区域的第一晶体管包括第一有源层，第一有源层的材料包括氧化物。位于侧边区域的第二晶体管包括第二有源层，第二有源层的材料包括硅，即中间区域均为氧化...
    2026-05-10
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_昆山国显光电有限公司_202610139728.5
    本申请提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括驱动晶体管和第一开关晶体管，阵列基板包括：衬底、第一底栅极层、第二底栅极层、有源层和第一顶栅极层；第一底栅极层包括第一开关晶体管的第一栅极；第二底栅极层设置于第一底栅极层背离衬底一侧，第二底栅极...
    2026-05-10
  • 显示装置和包括该显示装置的电子装置
    显示装置和包括该显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202511064895.X
    本申请涉及显示装置和包括该显示装置的电子装置。显示装置包括：显示面板，包括显示区域和非显示区域；第一电力线，形成在非显示区域的第一层中；以及第二电力线，包括形成在第一层中的第一部分和形成在非显示区域的第二层中以与第一电力线重叠的第二部分，其...
    2026-05-10
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411515584.6
    本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，所述显示面板包括：第一缓冲层和沿第一缓冲层垂直方向设置的第一器件层和第二器件层；第一器件层包括至少一个第一晶体管结构、第一信号线层和连接柱，第一晶体管结构包括第一电极层和第二电极层，第一信号线层...
    2026-05-10
  • 一种显示面板及其制作方法、显示装置
    一种显示面板及其制作方法、显示装置_云谷(固安)科技有限公司_202610146120.5
    本公开提供一种显示面板及其制作方、显示装置，显示面板包括第一显示区和至少部分围绕第一显示区的第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，显示面板还包括基板、阵列层和遮挡结构，阵列层位于基板的一侧，阵列层包括薄膜晶体管；遮挡结构的至...
    2026-05-10
  • 阵列基板及其制作方法、显示面板
    阵列基板及其制作方法、显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610146101.2
    本公开提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括衬底以及位于衬底上的第一有源部和第二有源部，第二有源部与第一有源部同层同材料设置，第一有源部在所述衬底上的正投影和第二有源部在所述衬底上的正投影间隔设置，且在垂直于衬底所在面的方向...
    2026-05-10
  • 阵列基板及其制备方法和显示面板
    阵列基板及其制备方法和显示面板_昆山国显光电有限公司_202610142322.2
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板包括衬底、第一有源层、第二有源层。第一有源层构成第一晶体管的部分结构。第二有源层构成第二晶体管的部分结构。第一有源层包括第一注入区、第一沟道区和第二注入区。第二有源层包括第三注入区、第...
    2026-05-10
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置_江苏汇显显示技术有限公司_202610142160.2
    本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。阵列基包括：衬底、第一类晶体管和第二类晶体管，第一类晶体管和第二类晶体管分别位于衬底上；其中，第一类晶体管包括第一有源层，第一有源层包括第一沟道，所述第一沟道与所述衬底之间具有第一夹...
    2026-05-10
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202610129214.1
    本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，阵列基板包括基底、阵列层以及导体层，基底包括沿自身厚度方向依次层叠设置的第一衬底、缓冲层以及第二衬底；阵列层设置于第二衬底背离缓冲层的一侧，阵列层包括多个晶体管；导体层设置于第二衬底背...
    2026-05-10
  • 显示驱动板、微电腔显示装置及电子设备
    显示驱动板、微电腔显示装置及电子设备_深圳莱宝高科技股份有限公司_202512057010.X
    本申请提供一种显示驱动板、微电腔显示装置及电子设备，涉及显示领域。显示驱动板包括基底层、栅极层、第一绝缘层、源漏极层、第二绝缘层、保护层及导电层；各层依次层叠设置，源漏极层能通过第一绝缘层上的第一通孔与栅极层接触；导电层能通过第二绝缘层上的...
    2026-05-10
  • 布线基板及显示装置
    布线基板及显示装置_夏普显示科技株式会社_202511413440.4
    抑制短路的发生。布线基板(21)具备第一布线(26α)、第一导电部(17Aα)、第二布线(26β)、第二导电部(17Aβ)，第一布线(26α)具有由第一导电膜的一部分构成的第一布线构成部(26Aα)和由第二导电膜的一部分构成的第二布线构成部...
    2026-05-10
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510730199.1
    提供了一种显示装置，其可通过使用氢脱气路径使根据显示区域中的位置的薄膜晶体管的阈值电压偏差最小化。该显示装置可包括：显示面板，其包括其中布置有栅极线、数据线和薄膜晶体管的显示区域、以及位于显示区域周围的第一边框区域和第二边框区域；栅极驱动电...
    2026-05-10
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610130593.6
    本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，方法包括：提供衬底；在衬底上制作金属氧化物薄膜；对金属氧化物薄膜进行紫外光照射处理，以减少金属氧化物中的羟基键含量，增加金属氧键密度；对金属氧化物薄膜进行图形化处理，形成有源层。本申请通过在有...
    2026-05-10
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_厦门天马光电子有限公司_202610118875.4
    本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。制备方法包括：提供一基底；在基底上形成有源层、欧姆接触层和第一源漏电极层；利用湿法刻蚀在第一源漏电极层上刻蚀出第一开口，以暴露出欧姆接触层的第一区域；在第一源漏电极层背离基底的一侧以及欧姆接触...
    2026-05-10
  • 阵列基板的制备方法、阵列基板及电子设备
    阵列基板的制备方法、阵列基板及电子设备_浙江莱宝显示科技有限公司_202511957472.0
    本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及电子设备，包括：在衬底基板的表面依次形成栅极及栅极绝缘层；在栅极绝缘层的表面形成有源层及源漏极；在薄膜晶体管的表面形成防护结构，并对防护结构进行刻蚀处理形成防护结构的第一通孔，及对栅极绝缘层进行刻...
    2026-05-10
  • 环栅纳米片场效应晶体管和制备方法
    环栅纳米片场效应晶体管和制备方法_华为技术有限公司_202512006468.2
    一种环栅纳米片场效应晶体管(100)和制备方法，该纳米片场效应晶体管(100)包括：衬底(10)，设置于所述衬底(10)表面的半导体凸起(11)；形成于所述半导体凸起(11)的两侧、并覆盖所述衬底(10)表面的绝缘层(12)，所述绝缘层(1...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511395775.8
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种半导体器件，其包括：沿第一方向延伸的位线；沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第一栅极；与第一栅极平行延伸的第二栅极；有源区，其包括位于第一栅极与第二栅极之间的垂直部分以及与位线和垂直部分接触的水平部...
    2026-05-10
  • 堆叠式集成电路器件
    堆叠式集成电路器件_三星电子株式会社_202511284027.2
    一种堆叠式集成电路器件包括多个纳米片堆叠结构、栅极分隔部、下栅电极、上栅电极、下栅极切割结构、上栅极切割结构和耦合栅极切割结构。上栅电极沿着耦合栅极切割结构的侧表面延伸并且电连接到下栅电极。
    2026-05-10
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