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最新专利技术
  • 硅基PIN光电二极管、制作方法及电子器件
    硅基PIN光电二极管、制作方法及电子器件_上海申矽凌微电子科技股份有限公司_202511920501.6
    本发明提供了一种硅基PIN光电二极管、制作方法及电子器件，采用FZ单晶作为衬底，采用离子注入加退火方式形成掺杂区，可以有效控制结深和浓度。采用Taiko背面减薄工艺将硅片减薄。光敏区采用浅结和深结结合结构，浅结可以增加蓝光吸收率，深结形成欧...
    2026-04-30
  • 暗电流抑制的双色超晶格红外探测器深台面成型方法及双色超晶格红外探测器
    暗电流抑制的双色超晶格红外探测器深台面成型方法及双色超晶格红外探测器_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511901927.7
    本申请提供一种暗电流抑制的双色超晶格红外探测器深台面成型方法及双色超晶格红外探测器，涉及半导体材料与器件技术领域；该方法包括：对超晶格材料片，利用PECVD在其上生长二氧化硅硬掩膜层；在所述二氧化硅硬掩膜层上形成光刻胶掩膜图案，所述图案包括...
    2026-04-30
  • 硅掺锑甚长波红外探测器及其制作方法
    硅掺锑甚长波红外探测器及其制作方法_上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)_202511867754.1
    本发明提供了一种硅掺锑甚长波红外探测器及其制作方法，包括采用锑作为掺杂剂，相对于掺杂砷和磷，杂质能带更浅，探测波段进一步向长波拓展，可完全覆盖甚长波红外波段。采用高纯硅衬底并通过离子注入在高纯硅衬底上形成公共负电极接触层的制备方法。采用高纯...
    2026-04-30
  • 一种异质结电池的电极及其制备方法与应用
    一种异质结电池的电极及其制备方法与应用_广东明阳薄膜科技有限公司_202511839602.0
    本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种异质结电池的电极及其制备方法与应用。该电极的制备方法包括以下步骤：先在透明导电氧化物层的表面采用丝网印刷银浆，热处理，形成银栅电极；然后在银栅电极的表面采用丝网印刷铜浆，形成铜栅电极；进行光子烧结固化...
    2026-04-30
  • 一种铜锌锡硫吸收层、制备方法及其在太阳电池器件上的应用
    一种铜锌锡硫吸收层、制备方法及其在太阳电池器件上的应用_深圳大学_202511801304.2
    本发明涉及太阳电池器件领域，尤其涉及一种铜锌锡硫吸收层、制备方法及其在太阳电池器件上的应用。铜锌锡硫吸收层的制备方法，包括制备铜锌锡硫前驱体薄膜，将得到的铜锌锡硫前驱体薄膜与硫源在惰性气体氛围下进行第一硫化处理；然后在含H2S气体氛围下进行...
    2026-04-30
  • 一种薄膜太阳能电池的制造工艺
    一种薄膜太阳能电池的制造工艺_中建材玻璃新材料研究院集团有限公司_202511742872.X
    本发明提供一种薄膜太阳能电池的制造工艺。其中，基板预处理工序采用阶梯式升温方式预加热基板，使基板受热均匀；半导体薄膜沉积工序通过对原料输送管温度控制提升光吸收层的沉积质量；活化退火工序根据沉积温度与活化退火温度的差值调控基板温度，充分完成晶...
    2026-04-30
  • 一种太阳能电池及其激光刻蚀方法
    一种太阳能电池及其激光刻蚀方法_武汉帝尔激光科技股份有限公司_202411448994.3
    本发明公开一种太阳能电池及其激光刻蚀方法，涉及太阳能电池技术领域，该方法包括：提供前驱体，前驱体包括衬底及功能层，功能层包括隧穿氧化层、P型掺杂多晶硅层和BSG层，和/或，功能层包括隧穿氧化层、N型掺杂多晶硅层和PSG层；利用预设波长范围内...
    2026-04-30
  • 搬运机构、搬运方法、电池成串设备及成串方法
    搬运机构、搬运方法、电池成串设备及成串方法_无锡奥特维科技股份有限公司_202411422035.4
    本申请提供了一种搬运机构、搬运方法、电池成串设备及成串方法，其中的搬运机构包括移动机构、第一安装架、第一加热光源、第二加热光源及若干第一吸盘，其中：第一安装架连接在移动机构的活动部件上；第一吸盘设置在第一安装架上，第一加热光源和第二加热光源...
    2026-04-30
  • 一种太阳能电池板生产工艺
    一种太阳能电池板生产工艺_张千缘_202311834179.6
    本发明涉及光伏发电领域，特别是一种太阳能电池板生产工艺，该生产工艺包括以下步骤：步骤一：将硅片制作成电池片；步骤二：将电池片放入拼接设备内，对电池片进行拼接；步骤三：将电池片串、玻璃、EVA和背板粘接在一起；步骤四：将太阳能电池板装框，并进...
    2026-04-30
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511800393.9
    画素传感器包括位于第一半导体晶粒上传输晶体管与第二半导体晶粒上源极随耦器栅极之间的晶体管。晶体管的排列可降低源极随耦器栅极的输入电容，这导致在多个半导体晶粒影像传感器装置的低光照条件下(例，高转换增益模式)增加转换增益。在耦合到传输晶体管的...
    2026-04-30
  • 传感器封装及其制造方法
    传感器封装及其制造方法_豪威科技股份有限公司_202511458478.3
    本发明提供一种传感器封装及其制造方法，传感器封装包括传感器管芯、覆盖传感器管芯的第二侧的绝缘层、盖体层、在盖体层和传感器管芯之间的介电挡坝、耦合到传感器管芯的电路衬底以及侧向地覆盖盖体层、介电挡坝和绝缘层的包封体。传感器管芯包括相对的第一和...
    2026-04-30
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411984004.8
    本公开提供一种影像感测器，包括对应第一波长波段的两个第一滤光片、对应第二波长波段的第二滤光片和对应第三波长波段的第三滤光片所排列成的滤光片阵列，以及滤光片阵列上方的多个纳米光柱。在平面图中，纳米光柱包括位于各个第一滤光片内的两个第一纳米光柱...
    2026-04-30
  • 背照式图像传感器及其形成方法
    背照式图像传感器及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202411450827.2
    本发明公开了一种背照式图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；所述衬底正面形成有像素区和逻辑区的器件；在所述衬底的背面形成深沟槽；通过低温外延生长工艺，在所述深沟槽表面形成掺杂外延层；所述外延生长的温度不超过550℃、压力不超过40Tor，以...
    2026-04-30
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202510444633.X
    图像感测装置可以包括光电转换结构和设置在光电转换结构上方的光入射结构。光入射结构包括网格图案、多个滤色器和具有平坦的上表面的聚光层。聚光层包括形成在聚光层的至少一部分上以调节入射光的聚焦位置的调节部分。
    2026-04-30
  • 一种单片集成光接收机芯片结构及制备方法
    一种单片集成光接收机芯片结构及制备方法_苏州微光电子融合技术研究院有限公司_202512037138.X
    本发明涉及光谱芯片技术领域，具体涉及一种单片集成光接收机芯片结构及制备方法，结构整体被构造为上窄下宽的锥形结构，芯片结构包括衬底、叠层结构、源电极和漏电极，衬底包括顶层金属互连层，衬底被配置为CMOS读出电路衬底；叠层结构设置于顶层金属互连...
    2026-04-30
  • 一种图像传感器及其形成方法
    一种图像传感器及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202512058827.9
    本发明公开了一种图像传感器及其形成方法。通过在硅衬底上形成氧化层并对其进行表面氮化处理，可提升氧化层界面稳定性并抑制载流子在界面处复合。同时，在深沟槽内沉积经硼掺杂的多晶硅，通过热处理使硼向沟槽侧壁扩散形成表面钉扎层，从而增强像素电荷存储能...
    2026-04-30
  • 用于图像传感器芯片拼接的窄拼缝、高平整度装片工艺
    用于图像传感器芯片拼接的窄拼缝、高平整度装片工艺_北京时代民芯科技有限公司_202512052549.6
    本发明一种用于图像传感器的多芯片拼接的窄拼缝、高平整度装片工艺方法，拼接芯片的焊盘统一设计到未拼接的侧边上，理论上可实现芯片间无拼缝的拼接。芯片装片后可通过侧边微调机构实现拼缝宽度、平行度的调节。为保证装片的平整度，采用带球形铰链的高平面度...
    2026-04-30
  • 一种应力调控的片上二维材料导质结多维度光电探测器
    一种应力调控的片上二维材料导质结多维度光电探测器_华中科技大学_202610046719.1
    本发明提供了一种应力调控的片上二维材料导质结多维度光电探测器。本发明的探测器，包括衬底、金属电极、二维材料范德华异质结、源极和漏极；二维材料范德华异质结由至少两种二维层状材料层堆叠形成，金属电极，用于对异质结施加应力以打破材料的面内对称性；...
    2026-04-30
  • 一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法
    一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法_国科大杭州高等研究院_202610088116.8
    本发明的一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法，包括，Si衬底，Si衬底上覆有Si3N4膜，Si3N4膜上覆盖有MoS2层，在MoS2层一端制备源极，另一端制备漏极；所述衬底为N型轻掺杂Si衬底；所述Si3N4膜厚度为300纳米...
    2026-04-30
  • 一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法
    一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法_湖北大学_202512010368.7
    本发明提供一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法，包括：衬底、设置于衬底上的半导体层、设置于半导体层上的第一电极层以及与半导体层同层设置于衬底上的第二电极层；其中，半导体层具有与第一电极层接触的等离子体化表面，等离子体化表面通过...
    2026-04-30
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