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最新专利技术
  • 晶圆刻蚀方法、装置及电子设备
    晶圆刻蚀方法、装置及电子设备_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411422502.3
    本发明公开了一种晶圆刻蚀方法、装置及电子设备，属于芯片制备技术领域。该方法中获取暴露初始晶圆上目标刻蚀区域的光刻胶掩膜；利用光刻胶掩膜，对初始晶圆重复执行目标次数个刻蚀步骤，直至对目标刻蚀区域刻蚀目标刻蚀量，得到目标晶圆；刻蚀步骤包括：电离...
    2026-05-01
  • 等离子处理方法
    等离子处理方法_株式会社日立高新技术_202610110180.1
    提供一种等离子处理方法，能够实现批次处理第一片中的工艺变动的减少，该等离子处理方法具有：第一工序，向所述处理室供给气体；以及第二工序，在所述第一工序后，使用等离子对所述试样进行蚀刻，所述气体是含有碳元素和氢元素的气体、含有氯元素的气体或包含...
    2026-05-01
  • 一种碳化硅U槽的刻蚀方法
    一种碳化硅U槽的刻蚀方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202311219092.8
    本发明提供了一种碳化硅U槽的刻蚀方法，属于半导体技术领域。本发明以薄膜A作为掩膜版，可以避免光刻胶形貌变化造成的刻蚀不均匀的问题；本发明通过改进刻蚀工艺，可以使U槽左右两端完全垂直与碳化硅外延片平面，避免因U槽左右两端不平行导致的各向异性。...
    2026-05-01
  • 半导体器件的制作方法
    半导体器件的制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411497879.5
    本发明提供一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括：在基底上形成第一氧化层，第一氧化层覆盖基底的第一区域和第二区域；在第一氧化层上形成掩模层，掩模层覆盖第二区域且露出第一区域；通过原子层沉积工艺在基底上形成第二氧化层，第二氧化层覆盖第一区域...
    2026-05-01
  • 一种防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法、碳化硅外延晶片
    一种防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法、碳化硅外延晶片_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202512056209.0
    本申请涉及一种防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法、碳化硅外延晶片。本申请的防止碳化硅外延过程中晶圆形成背部白斑的方法包括如下步骤：提供碳化硅衬底，碳化硅衬底包括相对设置的碳面和硅面；于碳面上制备碳保护层；于硅面上外延生长碳化硅外延层...
    2026-05-01
  • 一种MoO3-HfO2异质结忆阻器及其制备方法
    一种MoO3-HfO2异质结忆阻器及其制备方法_厦门稀土材料研究所_202610177053.3
    本发明提供了一种MoO3‑HfO2异质结忆阻器及其制备方法。本发明忆阻器包括依次层叠设置的底电极、HfO2层、MoO3层、顶电极。本发明采用MoO3‑HfO2异质结，利用MoO3层的快速离子迁移特性降低操作能垒，结合HfO2层的高绝缘性与离...
    2026-05-01
  • 一种基于薄硅的光电忆阻器及其制备方法与应用
    一种基于薄硅的光电忆阻器及其制备方法与应用_西北工业大学_202610022348.3
    本发明属于光电器件技术领域，公开了一种基于薄硅的光电忆阻器及其制备方法与应用，包括绝缘衬底、薄硅有源层、源电极漏电极、栅介质层以及栅电极。其中，薄硅有源层设置在绝缘衬底上方，且表面具有通过等离子体刻蚀引入的缺陷态，源电极设置在薄硅有源层上方...
    2026-05-01
  • 一种Ni/NiO阻变器件的制备方法及调控方法及应用
    一种Ni/NiO阻变器件的制备方法及调控方法及应用_华北水利水电大学_202610074891.8
    本发明涉及一种Ni/NiO阻变器件的制备方法及调控方法及应用，使用脉冲激光沉积系统在Pt/SiO2/Si衬底上沉积NiO薄膜，沉积前腔室的背底真空低于5.0×10‑6Pa；在沉积过程中，氧气压力保持在10Pa，衬底温度保持在550℃，溅射时...
    2026-05-01
  • 一种GaSbSe自选通材料及自选通器件
    一种GaSbSe自选通材料及自选通器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512005331.5
    本发明涉及一种GaSbSe自选通材料及自选通器件，所述GaSbSe自选通材料的化学通式为GaxSbySez，其中，0.1≤x≤0.3, 0.1≤y≤0.3，且x+y+z=1。所述自选通器件采用三明治结构设计，以GaSbSe自选通材料作为核心...
    2026-05-01
  • 一种基于低温硬掩模层的相变存储器件的制备方法
    一种基于低温硬掩模层的相变存储器件的制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512004955.5
    本发明涉及一种基于低温硬掩模层的相变存储器件的制备方法，通过本发明的方法可以显著提升相变材料的性能，通过降低光刻叠层中旋涂有机碳的烘烤温度，防止相变材料在烘烤过程中结晶，导致元素偏析与应力增加。该方法可以在不改变光刻胶膜层结构以及光刻工艺的...
    2026-05-01
  • 一种可控厚度的铋锶钙铜氧高温超导单晶微米线的制备方法
    一种可控厚度的铋锶钙铜氧高温超导单晶微米线的制备方法_南京大学_202610387167.0
    本发明公开一种可控厚度的铋锶钙铜氧高温超导单晶微米线的制备方法，属于超导微纳电子器件制备技术领域。本发明通过高真空环境下Scotch胶带解理BSCCO单晶获得新鲜表面并原位蒸镀金膜，经光刻与湿法刻蚀制备金电极后，二次光刻结合氩离子束刻蚀至预...
    2026-05-01
  • 一种在衬底中制造金属化结构的方法及其应用
    一种在衬底中制造金属化结构的方法及其应用_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411422505.7
    本申请公开了一种在衬底中制造金属化结构的方法及其应用，属于量子计算领域。在衬底中制造金属化结构的方法包括：获得具有孔的衬底；在孔的内壁形成在临界温度以下的温度下表现出超导特性的附着层，附着层限定空腔；以及，在空腔内填充绝缘的电介质柱，电介质...
    2026-05-01
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411607250.1
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法，其主要先提供一基底包含MRAM区域以及逻辑区域，然后形成一第一...
    2026-05-01
  • 一种柔性叠层压电薄膜感驱器件及其制备方法
    一种柔性叠层压电薄膜感驱器件及其制备方法_西安交通大学_202512026225.5
    本发明提供一种柔性叠层压电薄膜感驱器件及其制备方法，包括：S1，配制压电薄膜的前驱体溶胶；S2，将部分所述前驱体溶胶烘干成干凝胶，煅烧、造粒、压片、烧结，获得压电陶瓷片作为衬底；S3，在衬底上制备牺牲层；S4，在牺牲层表面制备图案化的电极层...
    2026-05-01
  • 一种可用于热电器件等装置的低热惯性电极板的设计与制备方法
    一种可用于热电器件等装置的低热惯性电极板的设计与制备方法_北京航空航天大学_202610136112.2
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种可用于热电器件等装置的低热惯性电极板的设计与制备方法。所述电极板包括载体基板和导电线路；所述导电线路设置于所述载体基板上，所述导电线路与所述载体基板之间为电学绝缘，本发明通过采用低比热容的载体基板，...
    2026-05-01
  • 自组装分子底富集的钙钛矿层及其制备方法和应用
    自组装分子底富集的钙钛矿层及其制备方法和应用_中核光电科技(上海)有限公司_202610012550.8
    本发明是关于一种自组装分子底富集的钙钛矿层及其制备方法和应用。其包括，其是由掺杂长链烷基磷酸分子和咔唑‑膦酸分子的钙钛矿前驱液制成；所述长链烷基磷酸分子和所述咔唑‑膦酸分子的共掺杂浓度为0.4～0.6mg/mL。所要解决的技术问题是如何提供...
    2026-05-01
  • 一种玻璃面板拼接方法及其在OLED显示面板制备中的应用
    一种玻璃面板拼接方法及其在OLED显示面板制备中的应用_陕西致知博约光电科技有限公司_202610139103.9
    本发明属于有机电致发光(OLED)显示面板技术领域，具体公开了一种玻璃面板拼接方法及其在OLED显示面板制备中的应用，所述玻璃面板拼接方法采用间断式涂布方法对玻璃面板进行拼接。包括如下步骤：首先对两块待拼接玻璃基板的接合面进行定位准备，确保...
    2026-05-01
  • 一种用于钙钛矿太阳能电池组件激光划线区的光化学预钝化方法及组件
    一种用于钙钛矿太阳能电池组件激光划线区的光化学预钝化方法及组件_重庆大学_202610226287.2
    本发明实施例提供了一种用于钙钛矿太阳能电池组件激光划线区的光化学预钝化方法及组件，涉及钙钛矿太阳能电池制作技术的技术领域。其方法包括：提供基板，所述基板包括涂覆有钙钛矿前驱体湿膜，钙钛矿前驱体湿膜包含有机铵阳离子；在钙钛矿前驱体湿膜结晶之前...
    2026-05-01
  • 一种基于动力学调控的大面积均匀薄膜印刷制备方法
    一种基于动力学调控的大面积均匀薄膜印刷制备方法_南京工业职业技术大学_202511927318.9
    本发明涉及一种基于动力学调控的大面积均匀薄膜印刷制备方法，其制备方法包括对功能性墨水印刷施加于衬底形成的湿膜进行阶梯退火来制备固体功能薄膜，过程中以功能性墨水的流平速度、再浸润速度控制为基本原则，通过联动调控功能性墨水的表面张力、粘度的物理...
    2026-05-01
  • 基于Cd1-xHgxSe量子点电子传输层的HgTe红外探测器及其制备方法
    基于Cd1-xHgxSe量子点电子传输层的HgTe红外探测器及其制备方法_云南大学_202610308428.5
    本发明公开了一种基于Cd1‑xHgxSe量子点电子传输层的HgTe红外探测器及其制备方法，属于红外光电探测技术领域。本发明首先制备镉前驱体溶液与硒前驱体溶液，将两者混合制备成CdSe量子点溶液，通过旋涂工艺将溶液均匀涂覆形成固态薄膜，随后采...
    2026-05-01
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