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最新专利技术
  • 一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法
    一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法_电子科技大学_202511883602.0
    本发明公开了一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法，属于射频微系统技术领域。本发明基于硅基封装，将射频前端芯片：功分器、低噪声放大器及多功能芯片进行功能划分，并将四通道的射频芯片分别进行硅基内嵌封装，通过硅通孔(TSV)引出。将分...
    2026-05-08
  • 玻璃基板及其制备方法、电子设备
    玻璃基板及其制备方法、电子设备_深圳莱宝高科技股份有限公司_202512032940.X
    本申请提供一种玻璃基板及其制备方法、电子设备，涉及半导体封装领域。该玻璃基板包括玻璃芯板、第一金属层、绝缘层、第二金属层和阻焊层；玻璃芯板具有多个开孔部，玻璃芯板的第一表面和/或第二表面上形成有凹槽结构；第一金属层至少包括设置于凹槽结构内的...
    2026-05-08
  • 一种OFPGA芯片封装结构及工艺方法
    一种OFPGA芯片封装结构及工艺方法_宁波德葳智能科技有限公司_202610162866.5
    本发明公开了一种OFPGA芯片封装结构，其包括OFPGA硅芯片主体和玻璃基板，玻璃基板上设置有TGV通孔、细间距波导和耦合光栅，所述OFPGA硅芯片主体与所述玻璃基板通过微凸点键合及共价键结合，实现机械固定与信号互联；所述玻璃基板承通过高密...
    2026-05-08
  • 内埋基板、内埋基板的制造方法、电源装置及电子设备
    内埋基板、内埋基板的制造方法、电源装置及电子设备_华为技术有限公司_202411515932.X
    本申请实施例公开了一种内埋基板、内埋基板的制造方法、电源装置及电子设备。该内埋基板包括芯部保持体和埋嵌在芯部保持体中的芯片，其正面增层包括覆于芯部保持体的第一面的正面第一增层，该芯片的正面朝向芯部保持体的第一面设置，芯片的正面包括焊盘和位于...
    2026-05-08
  • 晶圆级PCB封装结构及PCB封装方法
    晶圆级PCB封装结构及PCB封装方法_海光信息技术股份有限公司_202610121229.3
    本发明提供一种晶圆级PCB封装结构及PCB封装方法。所述晶圆级PCB封装结构包括封装晶圆和PCB载板，所述PCB载板上表面设置有金属连接端子，所述封装晶圆通过所述金属连接端子与PCB载板连接；所述封装晶圆内部设置有多个压力传感器，用于监测晶...
    2026-05-08
  • 封装基底和制造封装基底的方法
    封装基底和制造封装基底的方法_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202610125340.X
    提供了封装基底和制造封装基底的方法。所述封装基底包括：基底层，包括第一表面和在垂直于第一表面的第一方向上与第一表面相对的第二表面；第一上布线层和第一下布线层，第一上布线层在基底层的第一表面上，第一下布线层在基底层的第二表面上；第一绝缘层，在...
    2026-05-08
  • 半导体衬底、半导体封装及其形成方法
    半导体衬底、半导体封装及其形成方法_日月光半导体制造股份有限公司_202610143853.3
    本公开提供一种半导体衬底，其包含：第一图案化导电层；在所述第一图案化导电层上的介电结构，其中所述介电结构具有侧表面；第二图案化导电层，其处于所述介电结构上且在所述侧表面上延伸；以及第三图案化导电层，其处于所述第二图案化导电层上且在所述侧表面...
    2026-05-08
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411607338.3
    本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构包括一基板、一导电柱、一电容结构以及多个虚设柱状结构。导电柱设置于基板中。电容结构设置于基板中，与导电柱彼此分开。虚设柱状结构随机分布于导电柱与电容结构之间。
    2026-05-08
  • 封装基板
    封装基板_爱玻索立克公司_202511545950.7
    本发明提供一种封装基板，包括玻璃芯、布线层及绝缘层，玻璃芯是配置有通孔的板状玻璃，布线层是配置于玻璃芯的表面上的导电层，绝缘层是配置于导电层之间的空间并包含高分子树脂与绝缘性粒子的混合物的层，封装基板具有用于安装电子元件的上表面和与其相对的...
    2026-05-08
  • 封装基板
    封装基板_爱玻索立克公司_202511545951.1
    实例涉及通过调节玻璃芯的上部和下部的物性差异来提高抗热震性、耐冲击性、耐久性、可靠性等的封装基板。实例的封装基板是包括玻璃芯、布线层及绝缘层的封装基板，布线层为配置于玻璃芯的表面的导电层，绝缘层为配置于导电层之间的层，封装基板具有上部面以及...
    2026-05-08
  • 封装基板
    封装基板_爱玻索立克公司_202511545952.6
    实例的封装基板为包括玻璃芯、上部重布线层及下部重布线层的封装基板，玻璃芯为配置有过孔的板状玻璃，上部重布线层配置于玻璃芯的上部，下部重布线层配置于玻璃芯的下部。重布线层包括布线层及绝缘层，布线层由具有晶粒的铜层图案化而成，在上部重布线层的上...
    2026-05-08
  • 基板及其制造方法
    基板及其制造方法_爱玻索立克公司_202511545955.X
    实例的基板包括具有上部面的玻璃芯。作为玻璃芯的上部面的最大高度粗糙度的Rmax值为3nm至7nm。玻璃芯的上部面的表面能为50mN/m至63mN/m。在这种情况下，可在玻璃芯上实现具有得到提高的耐剥离性的绝缘层，并可以进一步提高基板的电气可...
    2026-05-08
  • 封装基板及包括其的半导体封装件
    封装基板及包括其的半导体封装件_爱玻索立克公司_202511549440.7
    实例的封装基板包括芯层及配置于所述芯层上的绝缘层。所述绝缘层包含绝缘树脂。所述绝缘层包括第一绝缘层及配置于所述第一绝缘层上的第二绝缘层。所述第二绝缘层的利用傅里叶变换红外光谱(FT‑IR)来测定的羟基峰强度小于所述第一绝缘层的利用傅里叶变换...
    2026-05-08
  • 芯片的打线加工装置
    芯片的打线加工装置_西安航思半导体有限公司_202411505455.9
    本发明公开一种芯片的打线加工装置，包括机台、夹具基板、控制单元和超声焊接头，所述超声焊接头与固定板之间连接有一套设于伸缩杆外侧的弹簧，下表面与机台连接的所述夹具基板的上表面开设有至少2个相互平行的滑槽，每个所述滑槽内均设置有2个与该滑槽滑动...
    2026-05-08
  • 晶圆流片用贴片装置
    晶圆流片用贴片装置_安徽丰芯半导体有限公司_202511947508.7
    本发明涉及晶圆流片用贴片装置，涉及晶圆贴片技术领域，包括用于对芯片进行放置的支撑框架，支撑框架中间固定有支撑推板，支撑推板固定安装在纵向移动板上，纵向移动板通过气缸安装在固定支撑板上，且支撑推板上均匀设置有若干个真空吸附孔，本申请支撑框架上...
    2026-05-08
  • 一种基于多视觉协同的热压键合设备及方法
    一种基于多视觉协同的热压键合设备及方法_武汉芯力科技术有限公司_202512029258.5
    本发明公开了一种基于多视觉协同的热压键合设备及方法，属于半导体封装技术领域，包括载台、中转平台、拾取头、键合头、第一视觉组件、第二视觉组件和第三视觉组件，拾取头用于将待键合芯片逐个放置在所述中转平台的各摆放位上，键合头用于拾取所述中转平台上...
    2026-05-08
  • 提升端子振动性能的半导体功率模块及其制备方法
    提升端子振动性能的半导体功率模块及其制备方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202512031309.8
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体涉及一种提升端子振动性能的半导体功率模块及其制备方法，包括：基板；外壳，垂直于基板的一侧边缘设置，外壳朝向基板的一侧设有外壳端子；覆铜陶瓷基板，设置于基板上；芯片，设置于覆铜陶瓷基板上，芯片通过键合线连...
    2026-05-08
  • 基于热压键合设备的芯片贴装位置识别方法
    基于热压键合设备的芯片贴装位置识别方法_无锡芯享信息科技有限公司_202512041126.4
    本发明涉及芯片贴装检测技术领域，具体为基于热压键合设备的芯片贴装位置识别方法。本发明通过预设位置部署参数采集组采集关键点温度、应变、采集坐标及初始贴装坐标，基于AEKF算法的动态误差修正模型，经状态预测、卡尔曼增益计算、状态更新输出x/y/...
    2026-05-08
  • 焊剂托盘、焊剂浸润装置、SMT键合机及表面贴片方法
    焊剂托盘、焊剂浸润装置、SMT键合机及表面贴片方法_长电科技(江阴)有限公司_202610055327.1
    本申请涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种焊剂托盘、SMT焊剂浸润装置、SMT键合机及倒装芯片表面贴片方法，由于本申请焊剂托盘的焊剂容置槽内不同容置区域的不同深度与待贴片的若干倒装芯片中不同的凸点高度相对应，因此当需在单个封装中键合多种凸点...
    2026-05-08
  • 基于氮化铝键合结构的三维系统芯片的制造方法及三维系统芯片
    基于氮化铝键合结构的三维系统芯片的制造方法及三维系统芯片_上海曜感科技有限公司_202610058067.3
    本发明公开了一种基于氮化铝键合结构的三维系统芯片的制造方法及三维系统芯片，属于半导体先进封装领域。该制造方法包括：提供母晶圆，其表面具有母芯金属电极阵列；提供至少一个子芯粒，其表面具有子芯金属电极阵列；在所述母晶圆的表面和/或所述子芯粒的表...
    2026-05-08
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