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最新专利技术
  • 一种功率模块的封装结构及封装方法
    一种功率模块的封装结构及封装方法_江西万年芯微电子有限公司_202511901464.4
    本发明公开了一种高效散热的半导体封装结构及封装方法，涉及半导体技术领域，本发明所示方法在对功率模块进行封装时，通过制备具有凸起部的封装支架，具有弯曲部的的陶瓷基板，以及具有凹槽部的散热铜板，然后将封装支架与陶瓷基本进行耦合连接，使封装支架与...
    2026-05-08
  • 一种微流道散热芯片的制造方法
    一种微流道散热芯片的制造方法_厦门大学_202610151153.9
    本申请公开了一种微流道散热芯片的制造方法，涉及半导体加工及封装的技术领域，该方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆表面形成有微流道结构，在所述微流道结构中填充第一支撑层；提供第二晶圆，所述第二晶圆上形成有进出水口，将所述第一晶圆与所述第二晶圆...
    2026-05-08
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电科技(宿迁)有限公司_202610119421.9
    本申请公开了一种封装结构及其形成方法，其中，封装结构的形成方法，包括：提供基板，包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有第一金属层；提供半导体芯片，包括相对的第三表面和第四表面，第三表面具有第一连接端，第四表面具有第二连接端，将半导体芯片...
    2026-05-08
  • 一种功率模组和功率转换装置
    一种功率模组和功率转换装置_华为数字能源技术有限公司_202411516014.9
    本申请提供一种功率模组和功率转换装置。功率模组包括热扩板、第一器件和第二器件。热扩板的一侧表面设有间隔且同层的第一金属层和第二金属层。第一器件设于第一金属层背离热扩板的一侧表面，第二器件设于第二金属层背离热扩板的一侧表面。热扩板包括金刚石。...
    2026-05-08
  • 半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件
    半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件_三星电子株式会社_202510901557.0
    提供了一种包括具有改善的散热特性的穿通件的半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装件。半导体装置包括：半导体衬底；有源层，其位于半导体衬底的下表面上；穿通件，其穿过半导体衬底并延伸；以及散热层，其包括氮化铝(AlN)层，并设置在半导体衬底的...
    2026-05-08
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_株式会社电装_202511547661.0
    一种电子装置及其制造方法。电子装置(1)具备壳体(3)、配置于壳体(3)内的基板(5)、以及安装于基板(5)的封装部件(45)。封装部件(45)具备中介层(7)、配置在中介层(7)上的芯片(9)及加强件(11)。在芯片(9)与壳体(3)之间...
    2026-05-08
  • 一种扇出型封装集成散热结构及其制备方法
    一种扇出型封装集成散热结构及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511856232.1
    本发明提供一种扇出型封装集成散热结构及其制备方法，所述扇出型封装集成散热结构包括扇出型封装结构，在所述扇出型封装结构上设置第一介质‑热界面材料层，在所述第一介质‑热界面材料层上设置散热器和/或均热片；其中，所述扇出型封装结构包括的芯片与所述...
    2026-05-08
  • 一种双层结构的双面水冷散热功率模块及其制作方法
    一种双层结构的双面水冷散热功率模块及其制作方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202512031212.7
    本发明公开了一种双层结构的双面水冷散热功率模块及其制作方法，其中双层结构的双面水冷散热功率模块包括：第一水冷散热基板、第二水冷散热基板和双层集成化结构，所述双层集成化结构设置于所述第一水冷散热基板和第二水冷散热基板之间；所述双层集成化结构包...
    2026-05-08
  • 一种碳化硅功率模块封装结构及方法
    一种碳化硅功率模块封装结构及方法_基本半导体(无锡)有限公司_202512034564.8
    本发明属于半导体器件领域，公开了一种碳化硅功率模块封装结构，包括：电路基板和分别设置在所述电路基板两侧的散热底板和绝缘密封件；所述散热底板远离所述电路基板的一侧表面设有散热鳍片阵列，所述散热底板除所述散热鳍片阵列所在表面之外的其余表面上设置...
    2026-05-08
  • 一种带独立工质回流通路的3DVC散热器
    一种带独立工质回流通路的3DVC散热器_广州华钻电子科技有限公司_202610041735.1
    本申请涉及散热器技术领域，尤其涉及一种带独立工质回流通路的3DVC散热器。该3DVC散热器包括热板及至少一个具有冷凝腔的冷却件，所述热板内部设有接头和导流件，所述冷却件通过接头连通热板的腔室，且腔室与冷凝腔形成真空腔，所述接头设有引流槽，所...
    2026-05-08
  • 一种带有微结构的复合散热器及其制备方法
    一种带有微结构的复合散热器及其制备方法_黄山广捷表面处理科技有限公司_202610132391.5
    本发明公开了一种带有微结构的复合散热器及其制备方法，用于功率半导体封装技术领域。本发明包括基板和盖板，基板的针翅间隙具有密集排布的微结构，所述微结构包括水滴形微结构和波浪形微结构；所述水滴形微结构的形状是旋转椭球体的上半部分，旋转椭球体的短...
    2026-05-08
  • 液冷封装盖板及其制造方法
    液冷封装盖板及其制造方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202610171801.7
    本发明提供一种液冷封装盖板及其制造方法，液冷封装盖板由冷却板和支承环两部分结构组合而成，冷却板由至少两层预制片材层叠而成，各层预制片材上设置有具有预设的平面图形且贯通其厚度方向的至少一个通孔结构，通孔结构在层叠后相互连通形成液冷微流道，在液...
    2026-05-08
  • 散热盖、芯片封装结构、电路板组件及电子设备
    散热盖、芯片封装结构、电路板组件及电子设备_华为技术有限公司_202411534029.8
    本申请提供了一种散热盖、芯片封装结构、电路板组件及电子设备。其中，散热盖包括：底座；盖体，盖体设于底座上，盖体包括朝向底座的第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一表面与底座之间形成第一容纳腔，第二表面上设有第一孔，第一表面上设有与第一孔...
    2026-05-08
  • 用于功率电子设备的防错设计
    用于功率电子设备的防错设计_罗伯特·博世有限公司_202511548848.2
    本发明涉及一种用于冷却功率电子元件的冷却器，包括壳体部件，所述壳体部件具有用于冷却流体的流动通道；和湍流器，所述湍流器具有周期性交替结构，其中，所述湍流器布置在所述流动通道中，其中，所述流动通道沿流动方向延伸，并且其中，到所述湍流器中的流入...
    2026-05-08
  • 一种微型电子器件主动冷却装置
    一种微型电子器件主动冷却装置_长三角国创超声(上海)有限公司_202511897353.0
    本发明公开一种微型电子器件主动冷却装置，包括：一个配置有多个入口阀的共振腔，所述共振腔还具有至少一个排出口；设置于所述共振腔内的压电冷却元件，所述压电冷却元件受控于电信号产生振动，所述振动驱动所述共振腔内的流体形成至少一条流体通道的单向流动...
    2026-05-08
  • 微流道集成导热基板和应用微流道集成导热基板的功率模块以及制备方法
    微流道集成导热基板和应用微流道集成导热基板的功率模块以及制备方法_烟台大爱熠炜新材料有限公司_202610105033.5
    本发明公开了一种微流道集成导热基板及其制备方法，包括液冷散热器(60)，具有高导热绝缘介质层(601)，所述高导热绝缘介质层设置有液冷微流道(603)；所述高导热绝缘介质层具有第一表面，在所述第一表面上沉积有过渡层(605)；和在所述过渡层...
    2026-05-08
  • 电力驱动产品封装结构及其形成方法
    电力驱动产品封装结构及其形成方法_长电科技管理有限公司_202610003484.8
    本申请公开了一种电力驱动产品封装结构及其形成方法，电力驱动产品封装结构包括：基岛和位于基岛周围的多个分立的管脚；功率芯片，功率芯片贴装在基岛上，功率芯片与管脚电连接；多个分立的第一垂直打线，位于功率芯片上且与其电连接；多个分立的第二垂直打线...
    2026-05-08
  • 一种均热微通道散热装置及其生产工艺
    一种均热微通道散热装置及其生产工艺_无锡格林沃科技有限公司_202610135230.1
    本发明涉及热交换设备技术领域，具体涉及一种均热微通道散热装置及其生产工艺，包括中间散热块；底板，上表面中部开设有容纳槽，容纳槽与容纳孔相连通共同形成密闭的均热腔室；均热件，其由填充于均热腔室内的金属粉末经烧结成型，形成内部具有金属毛细孔结构...
    2026-05-08
  • 用于检测电子设备的背面减薄的设备及其制造和使用方法
    用于检测电子设备的背面减薄的设备及其制造和使用方法_意法半导体国际公司_202511542786.4
    本公开涉及用于检测电子设备的背面减薄的设备及其制造和使用方法。本说明书涉及一种检测设备，该检测设备包括从第一导电类型的半导体衬底的第一表面被掩埋的半导体区域，被掩埋的半导体区域具有第二导电类型，并且介于半导体衬底的第二表面与电子电路之间；在...
    2026-05-08
  • 一种半导体器件制备方法及半导体器件
    一种半导体器件制备方法及半导体器件_华南理工大学_202610417674.4
    本申请提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：在晶圆标记区域内，在P型衬底上生成N型注入区，在N型注入区表面形成接触孔，N型注入区与P型衬底构成PN结二极管；在N型注入区表面生成第一层金属层；按芯片金属...
    2026-05-08
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