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最新专利技术
  • 转换元件和振动传感器
    转换元件和振动传感器_恩德斯豪斯欧洲两合公司_202511469932.5
    本发明涉及一种转换元件和振动传感器，所述转换元件(2)用于在机械振动和电信号之间转换。存在呈堆叠布置的各种压电元件(3)和作为导线的连接器(4)。相邻的压电元件(3)之间的凹槽(6)位于该堆叠的外侧(5)处。所述连接器(4)位于填充有导电填...
    2026-05-09
  • 半导体衬底上具有压电膜的装置
    半导体衬底上具有压电膜的装置_德州仪器公司_202511502610.6
    本申请案涉及半导体衬底上具有压电膜的装置。一种设备包含裸片(101)、接合层(108)及膜(110)。所述裸片(101)包含半导体衬底(102)、位于所述半导体衬底(102)上的金属化结构(104)及围绕所述金属化结构的至少一部分的介电材料...
    2026-05-09
  • 晶圆级射频集成电路结构及其制备方法
    晶圆级射频集成电路结构及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511822299.3
    本发明提供一种晶圆级射频集成电路结构及其制备方法，通过在同一片晶圆上同时集成声波滤波器件与其他功能器件，实现射频前端模组的小型化，极大地提高了芯片的面积利用率，满足移动终端对器件尺寸要求，通过芯片内部的金属互连线实现不同器件之间的电学连接，...
    2026-05-09
  • 一种二维反铁磁材料及其制备方法和应用
    一种二维反铁磁材料及其制备方法和应用_西安电子科技大学_202610099144.X
    本发明公开了一种二维反铁磁材料及其制备方法和应用，该方法包括：采用Mn、Te单质粉末，以I2为运输剂，在真空密封条件下通过真空化学气相传输法合成块状MnTe前驱体；将研磨后的MnTe前驱体与In单质粉末以及助熔剂KCl粉末混合，在恒定法向压...
    2026-05-09
  • 垂直磁矩翻转的电调控方法、器件、磁随机存取存储器及电子设备
    垂直磁矩翻转的电调控方法、器件、磁随机存取存储器及电子设备_上海交通大学_202610117511.4
    本发明公开了一种电操控垂直磁矩翻转方法，该方法利用轨道霍尔效应材料与基片低对称性晶面的耦合，实现轨道电子学器件面外轨道流的产生，进而通过强自旋轨道耦合材料转换成面外轨道转矩，并且在轨道层/强自旋轨道耦合层/磁性层结构中翻转磁性层的磁矩。所述...
    2026-05-09
  • 一种单轴各向异性磁阻器件及其制备方法和应用
    一种单轴各向异性磁阻器件及其制备方法和应用_浙江工业大学_202512058070.3
    本发明公开了一种单轴各向异性磁阻器件及其制备方法和应用，其中器件包括基底、第一非磁金属电极、氧终端化的Cr 2C基MXene有源层以及第二非磁金属电极，第一非磁金属电极沉积于基底的绝缘层上，氧终端化的Cr 2C基MXene有源层沉积于第一非...
    2026-05-09
  • 磁阻元件及其制备方法
    磁阻元件及其制备方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202610048862.4
    本申请实施例提供一种磁阻元件及其制备方法，其中磁阻元件包括依次层叠设置的第一电极层、势垒层以及第二电极层；所述势垒层包括半导体或绝缘体材料；所述第一电极层和所述第二电极层包括交错磁材料；其中，所述交错磁材料包括RuO2、CrSb、RbV2T...
    2026-05-09
  • 自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器
    自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器_浙江驰拓科技有限公司_202411544810.3
    本申请公开了一种自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器。该自旋轨道矩存储单元包括顺序层叠的磁性隧道结、轨道层和连接部，其中：轨道层的背离磁性隧道结的一侧表面为第一表面；连接部为间隔设置的两个，每个连接部具有在第一方向上部分落入第一表...
    2026-05-09
  • 构建自旋量子比特基带控制门的器件及方法
    构建自旋量子比特基带控制门的器件及方法_中国科学技术大学_202512011815.0
    本公开提供了一种构建自旋量子比特基带控制门的器件及方法，该器件包括自旋量子比特单元和1个或多个SOT磁性结构单元；自旋量子比特单元能够形成平面型自旋量子比特；SOT磁性结构单元设置于自旋量子比特单元上，当施加可调电流脉冲至SOT磁性结构单元...
    2026-05-09
  • 一种自旋太赫兹纳米振荡器及其手性调控方法
    一种自旋太赫兹纳米振荡器及其手性调控方法_清华大学_202411528578.4
    本发明公开了一种自旋太赫兹纳米振荡器及其手性调控方法。所述方法包括如下步骤：在飞秒激光手性电场的作用下，诱导自旋太赫兹纳米振荡器的反铁磁层产生光‑自旋轨道矩；所述光‑自旋轨道矩驱动反铁磁磁矩的振荡，形成自旋极化，极化的自旋流转化为电荷流同时...
    2026-05-09
  • 一种约瑟夫森结的制造方法、超导量子芯片以及量子计算机
    一种约瑟夫森结的制造方法、超导量子芯片以及量子计算机_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411463856.2
    本申请公开了一种约瑟夫森结的制造方法、超导量子芯片以及量子计算机，属于量子芯片制备工艺技术领域。约瑟夫森结的制造方法，包括：在衬底表面分别通过镀膜的方式形成依次层叠的第一超导金属层、绝缘层和第二超导金属层；刻蚀第二超导金属层形成连通的、有第...
    2026-05-09
  • 超导量子器件的制造方法以及超导量子器件
    超导量子器件的制造方法以及超导量子器件_中国计量科学研究院_202511899247.6
    本公开提供了一种超导量子器件的制造方法以及超导量子器件。该制造方法包括：在衬底上形成约瑟夫森结，约瑟夫森结的下超导层在横向上延伸超出约瑟夫森结的势垒层和上超导层；在衬底上形成电阻层，电阻层在横向上与约瑟夫森结间隔开；在衬底上形成绝缘层，以覆...
    2026-05-09
  • 基于耐腐蚀约瑟夫森结的超导量子计算芯片及其制备方法
    基于耐腐蚀约瑟夫森结的超导量子计算芯片及其制备方法_北京量子信息科学研究院_202511976307.X
    本申请公开一种基于耐腐蚀的约瑟夫森结的超导量子计算芯片及其制备方法，该超导量子计算芯片包括：衬底；多个超导量子比特，在所述衬底的第一表面呈周期性排列，每个所述超导量子比特包括两个电容电极和连接两个所述电容电极的约瑟夫森结；其中，所述约瑟夫森...
    2026-05-09
  • 一种超导量子比特耦合结构、超导量子芯片和量子计算机
    一种超导量子比特耦合结构、超导量子芯片和量子计算机_山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司_202610399368.2
    本公开提供了一种超导量子比特耦合结构、超导量子芯片和量子计算机，涉及量子技术领域。一种超导量子比特耦合结构包括：第一超导量子比特、第二超导量子比特和耦合器；第一超导量子比特通过第一旁路电容与耦合器的第一节点连接，第二超导量子比特通过第二旁路...
    2026-05-09
  • 基于异质集成的自适应感存算一体芯片及制备方法
    基于异质集成的自适应感存算一体芯片及制备方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202511914393.1
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了基于异质集成的自适应感存算一体芯片及制备方法，包括IGCdO晶体管、TaOx忆阻器，所述IGCdO晶体管包括衬底、铪铝氧化物层、栅极、源金属层、漏极金属、铟镓镉氧化物层以及变色薄膜；所述栅极与衬底直接...
    2026-05-09
  • 一种相变材料层及其制备工艺、基于退火工艺的低阻态锗碲相变开关器件及其制备工艺
    一种相变材料层及其制备工艺、基于退火工艺的低阻态锗碲相变开关器件及其制备工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202610115926.8
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变材料层初始处于高阻态，需要电初始化的问题，提供了一种相变材料层的制备工艺，包括：S100、通过光刻工序和磁控溅射工序制备GeTe相变薄膜；S200、所述相变薄膜通过退火工序制得相变材料层；所述退火工序的...
    2026-05-09
  • 具有混合存储层的半导体器件及其制造方法
    具有混合存储层的半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511074598.3
    本申请涉及具有混合存储层的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括沿第一方向延伸的第一互连线；沿第二方向延伸的第二互连线；及设置在第一互连线与第二互连线之间的存储单元。存储单元包括第一电极；在第一电极之上的包括铁电层的第一存储层；在第一存储层...
    2026-05-09
  • 包括阻变层和热约束电极层的半导体器件
    包括阻变层和热约束电极层的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511302439.4
    根据一种实施例的一种半导体器件包括：衬底；电极结构，该电极结构设置在衬底之上并且包括交替设置的层间绝缘层和水平电极层；阻变层，该阻变层沿着穿透衬底上的电极结构的孔的侧壁表面而设置；氧空位储层，该氧空位储层在孔内设置在阻变层上；第一热约束电极...
    2026-05-09
  • 一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用
    一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用_复旦大学_202512037814.3
    本发明属于新型存储器件技术领域，具体涉及一种BEOL兼容的可调易失性器件及其转变方法与应用，包括依次层叠的底电极、阻变层、氧化钽层和顶电极；氧化钽层的厚度大于阻变层的厚度；底电极、阻变层、氧化钽层和顶电极均满足BEOL的温度窗口要求；通过操...
    2026-05-09
  • 一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法
    一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法_北京印刷学院_202610047846.3
    本发明公开了一种具有复合二维材料功能层的神经突触仿生忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括由下至上依次设置的衬底、下电极层、复合功能层、上电极层和柔性防护膜层，复合功能层包括由二维材料制成的阻变层及堆叠覆盖于阻变层上表面的石墨烯阻隔层，石墨烯阻隔...
    2026-05-09
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