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最新专利技术
  • 一种背接触太阳能电池及其制备工艺
    一种背接触太阳能电池及其制备工艺_中环(桐城)新能源科技有限公司_202610089260.3
    本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备工艺，属于太阳能电池技术领域，包括单晶硅片、P‑poly区和N‑poly区，P‑poly区和单晶硅片之间设有第一隧穿层，N‑poly区和单晶硅片之间设有第二隧穿层，单晶硅片的背面且位于P‑poly区和...
    2026-05-01
  • 一种用于HJT组件的工艺贴膜工艺
    一种用于HJT组件的工艺贴膜工艺_无锡市羿可成新材料有限公司_202310592836.4
    本发明公开了一种用于HJT组件的工艺贴膜工艺，包括材料周转基材、固定胶带、膜带，材料周转基材两边位置开出规格孔装，固定胶带位于材料周转基材两边，膜带位于两侧的固定胶带之间，固定胶带材料产用聚烯烃类或者聚酯类薄膜为基材，固定胶带尺寸大于膜带的...
    2026-05-01
  • 一种改善光伏电池片边缘绕镀色差及实现隔离保护的方法
    一种改善光伏电池片边缘绕镀色差及实现隔离保护的方法_江苏荷雨科技股份有限公司_202511805621.1
    本发明公开了一种改善光伏电池片边缘绕镀色差且实现隔离保护的方法，包括：在光伏电池片边缘形成至少一层层叠设置的光学胶膜；所述光学胶膜的折光率大于光伏电池片的折光率而小于玻璃的折光率。本发明通过在光伏电池片边缘形成至少一层层叠设置的光学胶膜，所...
    2026-05-01
  • 一种流转式层压机系统及流转方法
    一种流转式层压机系统及流转方法_秦皇岛晟成自动化设备有限公司_202610260701.1
    本发明公开了一种流转式层压机系统及流转方法，系统包括输送线、堆栈前换向升降机、层前堆栈、升降托架、进出共享料台、多个模块化层压机集成、多个层前升降机和AGV，输送线、堆栈前换向升降机和层前堆栈依次排布且传动位置相对应；进出共享料台放置在升降...
    2026-05-01
  • 光伏小功率太阳能电池板阵列拓扑结构
    光伏小功率太阳能电池板阵列拓扑结构_中国计量大学_202310460791.5
    本发明涉及光伏小功率太阳能电池板阵列拓扑结构，属于太阳能电池板技术领域。在太阳能电池板阵列中的某个太阳能电池板的光照辐射强度下降后，既能保证整个太阳能电池板阵列能输出较佳的电流，也能保证每个太阳能电池板不会因热斑效应而烧坏。第一组太阳能电池...
    2026-05-01
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511912709.3
    本发明公开了一种光伏组件，包括两个电池串组、第一互联件和中间汇流件，每个电池串组均包括多个电池串；电池串中，多个电池片包括位于电池串的端部且靠近光伏组件的中部的第一电池片；中间汇流件位于两个电池串组之间；或者，中间汇流件设于第一电池片的背侧...
    2026-05-01
  • 光伏组件及光伏组件制备方法
    光伏组件及光伏组件制备方法_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511914016.8
    本发明公开了一种光伏组件及光伏组件制备方法，光伏组件包括电池串和汇流件，电池串包括多个电池片和多个互联件，电池串中，多个电池片沿第一方向排布；互联件与汇流件焊接形成第一焊接区域，互联件与电池片焊接形成第二焊接区域；第一焊接区域的第一表面具有...
    2026-05-01
  • 一种三分片背接触电池组件
    一种三分片背接触电池组件_陕西众森电能科技有限公司_202610073087.8
    一种三分片背接触电池组件，属于太阳电池组件领域，包括电池串组和接线盒；其特征在于：电池串组包括至少两个；每个电池串组包括沿X方向上设置的三个并联连接的电池串；每个电池串包括沿Y方向上设置的若干个背接触电池片；通过对电池结构的改进消除相邻电池...
    2026-05-01
  • 一种光伏组件及包含该光伏组件的光伏发电系统
    一种光伏组件及包含该光伏组件的光伏发电系统_浙江普照新能源有限公司_202610154611.4
    本申请公开了一种光伏组件及具有该光伏组件的光伏发电系统，涉及太阳能光伏发电系统技术领域，光伏组件包括背板和多个光伏片，光伏片包括对称设置且采用并联形式相连的两片晶片，多个所述光伏片呈矩形阵列形式集成在所述背板上，位于同一纵向线上的所述光伏片...
    2026-05-01
  • 一种电池组件和光伏组件
    一种电池组件和光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202610196835.1
    本发明公开一种电池组件和光伏组件。该电池组件包括：电池串和汇流条；电池串包括沿第一方向设置的多个电池片；电池片的背面间隔设置多个焊接部，多根背面焊带沿第一方向设置于电池片的背面并且每根背面焊带连接沿第一方向间隔设置的多个焊接部；汇流条沿与第...
    2026-05-01
  • 一种异质结型宽带偏振敏感光电探测器及其制备方法
    一种异质结型宽带偏振敏感光电探测器及其制备方法_东北师范大学_202511850322.X
    本发明公开了一种异质结型宽带偏振敏感光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。包括：衬底；设置在衬底上的二维窄带隙材料；部分设置在二维窄带隙材料上方且与二维窄带隙材料能带匹配的二维偏振敏感材料；设置在二维窄带隙材料和二维偏振敏感材料上...
    2026-05-01
  • 一种Ⅲ族氮化物非对称紫外光电探测器及制备、测试方法
    一种Ⅲ族氮化物非对称紫外光电探测器及制备、测试方法_安徽大学_202610074350.5
    本发明属于半导体光电器件领域，具体涉及一种Ⅲ族氮化物紫外光电探测器及制备、测试方法。所述探测器具有一种非对称结构，其非对称性在于：阳极电极设置于p型氮化物层的侧壁/边缘暴露面处，并与其直接接触形成侧壁异质肖特基结界面。区别于阳极电极位于p型...
    2026-05-01
  • 光电转换元件
    光电转换元件_微讯股份有限公司_202511489929.X
    光电转换元件包括：第一导电类型的半导体层；形成于该半导体层上且杂质浓度低于该半导体层的低浓度杂质半导体层；以及形成于低浓度杂质半导体层表面层的高浓度杂质半导体区域，该高浓度杂质半导体区形成于低浓度杂质半导体层的表面层上，其杂质浓度高于低浓度...
    2026-05-01
  • 基于胶体量子点的光电化学型双波段探测器件及制备方法
    基于胶体量子点的光电化学型双波段探测器件及制备方法_西南技术物理研究所_202511781976.1
    本发明公开了一种基于胶体量子点的光电化学型双波段探测器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。其中，所述光电化学型器件采用PIN型光电阳极结构，由透明衬底基底、透明导电阳极、N型胶体量子点可见光吸收层、本征型胶体量子点可见光吸收层、P型胶体量...
    2026-05-01
  • HgTe、Ag2Te胶体量子点异质结光电探测器及其制备方法
    HgTe、Ag2Te胶体量子点异质结光电探测器及其制备方法_昆明物理研究所_202511791520.3
    HgTe、Ag2Te胶体量子点异质结光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域，器件自上而下依次采用ITO/Ag2Te/HgTe/ZnO/Au的多层结构，其中，Ag2Te胶体量子点薄膜作为p型空穴传输层，HgTe胶体量子点薄膜作为光吸收层，Z...
    2026-05-01
  • 半导体光电子器件结构、制备方法及光电探测器
    半导体光电子器件结构、制备方法及光电探测器_清华大学_202511728768.5
    本申请涉及一种半导体光电子器件结构、制备方法及光电探测器，包括衬底；N型结构，设置于衬底的一侧；P型结构，设置于衬底上与N型结构相同的一侧；栅极结构，设置于衬底上与N型结构和P型结构相同的一侧；电极层，设置于栅极结构背离衬底的一侧。采用该半...
    2026-05-01
  • 一种集成金属纳米滤波结构的硅-狄拉克半金属异质结雪崩光电探测器及其制备方法
    一种集成金属纳米滤波结构的硅-狄拉克半金属异质结雪崩光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511756883.3
    本发明属于半导体与微纳光电子技术领域，具体公开一种集成金属纳米滤波结构的硅‑狄拉克半金属异质结雪崩光电探测器及其制备方法，该光电探测器从上至下依次为金属纳米结构层、狄拉克半金属‑硅异质结层、倍增层和衬底层。本发明制备的光电探测器通过硅‑狄拉...
    2026-05-01
  • 雪崩光电二极管及其制作方法
    雪崩光电二极管及其制作方法_苏州晶歌半导体有限公司_202610353038.X
    本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法。所述雪崩光电二极管的衬底为半绝缘InP衬底，并且所述雪崩光电二极管的倍增层和电荷层为InAlAs/GaAsSb超晶格。本发明采用InAlAs/GaAsSb超晶格材料作为InP基雪崩光电二极管的倍增...
    2026-05-01
  • 一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法
    一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法_湖北大学_202512010368.7
    本发明提供一种半导体基快响应自驱动紫外光电探测器及其制备方法，包括：衬底、设置于衬底上的半导体层、设置于半导体层上的第一电极层以及与半导体层同层设置于衬底上的第二电极层；其中，半导体层具有与第一电极层接触的等离子体化表面，等离子体化表面通过...
    2026-05-01
  • 一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法
    一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法_国科大杭州高等研究院_202610088116.8
    本发明的一种开放式BIC近场增强型红外光电探测器及制备方法，包括，Si衬底，Si衬底上覆有Si3N4膜，Si3N4膜上覆盖有MoS2层，在MoS2层一端制备源极，另一端制备漏极；所述衬底为N型轻掺杂Si衬底；所述Si3N4膜厚度为300纳米...
    2026-05-01
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