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最新专利技术
  • 玻璃基板及其制备方法、电子设备
    玻璃基板及其制备方法、电子设备_深圳莱宝高科技股份有限公司_202512032940.X
    本申请提供一种玻璃基板及其制备方法、电子设备，涉及半导体封装领域。该玻璃基板包括玻璃芯板、第一金属层、绝缘层、第二金属层和阻焊层；玻璃芯板具有多个开孔部，玻璃芯板的第一表面和/或第二表面上形成有凹槽结构；第一金属层至少包括设置于凹槽结构内的...
    2026-05-08
  • 一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法
    一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法_电子科技大学_202511883602.0
    本发明公开了一种接地堆叠集成射频前端芯片堆叠结构及其制备方法，属于射频微系统技术领域。本发明基于硅基封装，将射频前端芯片：功分器、低噪声放大器及多功能芯片进行功能划分，并将四通道的射频芯片分别进行硅基内嵌封装，通过硅通孔(TSV)引出。将分...
    2026-05-08
  • 基板
    基板_爱玻索立克公司_202511565607.9
    实例的基板包括玻璃芯。玻璃芯包括沿厚度方向贯通所述玻璃芯的贯通过孔。贯通过孔的直径为50μm至100μm。玻璃芯的硫含量(原子%)和氮含量(原子%)之和为0.2原子%至8原子%。在这种情况下，可以提供更稳定地实现贯通玻璃芯的电连接，并在高湿...
    2026-05-08
  • 封装基板
    封装基板_爱玻索立克公司_202511530489.8
    实例涉及封装基板，封装基板(100)包括：玻璃晶片(20)；多个过孔(25)，配置于所述玻璃晶片(20)；铜电极(40)，配置于所述过孔(25)或所述玻璃晶片(20)的表面；以及绝缘层(30)，包饶所述过孔(25)或所述铜电极(40)。所述...
    2026-05-08
  • 基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构
    基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构_广西华芯振邦半导体有限公司_202512038202.6
    本发明公开了基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构，属于半导体封装领域，基于双面覆晶薄膜的双芯片封装结构，包括覆晶薄膜(Tape)、双芯片、铜通孔、线路层、阻焊层、封胶区，所述覆晶薄膜为多层复合结构，包括基材、导电层、绝缘层及层间粘合剂，所述基材...
    2026-05-08
  • 一种引线框架及其制备方法
    一种引线框架及其制备方法_济南晶恒电子有限责任公司_202610181184.9
    本发明涉及半导体器件封装技术领域，公开一种引线框架及其制备方法。在本申请中一种引线框架包括由铜或铜合金制成的框架基材，所述框架基材上具有至少一个封装单元，所述封装单元包含用于安装芯片的内引脚区域和用于与外部电路连接的外引脚区域；所述引线框架...
    2026-05-08
  • 一种可兼容Econodual3封装的高集成度、高功率密度模块
    一种可兼容Econodual3封装的高集成度、高功率密度模块_无锡利普思半导体有限公司_202610159741.7
    本发明涉及一种可兼容Econodual3封装的高集成度、高功率密度模块, 包括外壳、设置于外壳内的两块基板、DC正负端子和AC端子。通过正负端子之间重叠设置, 基板上两个连接区相邻且电流相反, 产生邻近效应抵消磁场, 降低杂散电感。设计底板...
    2026-05-08
  • 光学传感器的封装结构、方法及电子设备
    光学传感器的封装结构、方法及电子设备_广东国峰半导体有限公司_202610124906.7
    本申请涉及传感器封装技术领域，公开了一种光学传感器的封装结构、方法及电子设备，其中，该申请的封装结构包括：引线框架以及固定于引线框架上的射频主控芯片和光学传感器芯片；引线框架包括第一基岛、第二基岛、射频天线和管脚组，第一基岛与第二基岛相互电...
    2026-05-08
  • 一种多FC封装框架结构及其加工方法
    一种多FC封装框架结构及其加工方法_华天科技(宝鸡)有限公司_202610082087.4
    本发明属于半导体FC封装技术领域，具体公开了一种FC封装框架结构及其加工方法，包括有沿横向和/或纵向形成于框架上的多个封装单元；每个封装单元上设置有相背的芯片连接面和底面，芯片连接面通过蚀刻工艺形成有管脚，且管脚的表面沿延伸方向设置有焊接端...
    2026-05-08
  • 一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体
    一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体_宁波康强电子股份有限公司_202512008870.4
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种镍铁合金镀铜引线框架其制备方法及集成电路封装体。本发明公开了一种镍铁合金镀铜引线框架，包括：引线框架基材及包覆在所述引线框架基材至少部分表面的复合铜镀层；其中，所述引线框架基材为Ni80Fe20镍铁...
    2026-05-08
  • 电源模块
    电源模块_成都芯源系统有限公司_202511169145.9
    本揭露提供一种提供电源模块。电源模块包括第一引线框架、第一裸芯片、基板、第二引线框架以及第二裸芯片。第一引线框架具有第一和第二部分。第一裸芯片设置在第一引线框架的第一部分的上方。第一功率装置形成在第一裸芯片的上方。基板设置在第一引线框架的第...
    2026-05-08
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_无锡华润安盛科技有限公司_202411549545.8
    本申请提供一种半导体结构。所述半导体结构包括引线框、散热基板及支撑连接线。引线框包括基岛区，及位于所述基岛区一侧并且与所述基岛区间隔的第一外接引脚区，所述基岛区设有裸片，所述第一外接引脚区具有多个第一引脚；散热基板与所述第一外接引脚区位于所...
    2026-05-08
  • 引脚框架、SSD模组以及SSD装置
    引脚框架、SSD模组以及SSD装置_深圳三地一芯电子股份有限公司_202411531717.9
    本申请公开了一种引线框架、SSD模组以及SSD装置。该方案包括：第一基岛，第一基岛用于安装存储控制芯片；第二基岛，第二基岛用于安装Flash；引脚阵列，引脚阵列分布于第一基岛的四周。由于第一基岛和第二基岛的设置，使得引线框架能够同时集成有存...
    2026-05-08
  • 功率模块封装基板及其制作方法
    功率模块封装基板及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202511960790.2
    本公开提供一种功率模块封装基板及其制作方法。具体地，通过在嵌埋功率模块的框架基板的两个表面对称布设第三介质层，并且在第三介质层上设置第一散热槽暴露针对功率模块的散热面，能够在提高散热面积的同时保持封装基板的对称性，有效防止封装基板产生翘曲。
    2026-05-08
  • 一种用于埋入大尺寸芯片的芯板制造方法、FCBGA基板及其制造方法
    一种用于埋入大尺寸芯片的芯板制造方法、FCBGA基板及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202610144768.9
    本发明涉及一种用于埋入大尺寸芯片的芯板制造方法、FCBGA基板及其制造方法，属于半导体封装和印刷线路板领域，解决了现有大尺寸芯片在埋入芯板时易发生扭曲或上翘导致共面性不良、芯片贴装对位精度较差以及由此带来的产品良率下降等问题中的至少一个。一...
    2026-05-08
  • 封装基板的通孔成型方法
    封装基板的通孔成型方法_清华大学_202610046876.2
    本申请的实施例提供了一种封装基板的通孔成型方法，涉及半导体工艺领域，主要解决目前封装基板的通孔工艺存在着刻蚀速度慢，成孔效率低或者成孔工艺不良的问题。该方法包括：在封装基板上定义通孔位置；采用掩膜版，在第一表面的通孔位置形成第一电极，并在第...
    2026-05-08
  • 一种金属化高导热绝缘金属基板及其制备方法
    一种金属化高导热绝缘金属基板及其制备方法_北京航空航天大学_202512041485.X
    本发明提供一种金属化高导热绝缘金属基板及其制备方法，通过先制备有散热结构的金属基板，再在金属基板上沉积梯度化高导热陶瓷绝缘层，之后在绝缘层表面依次沉积并加厚电极层，最后对电极层进行图案化，即得所述金属化高导热绝缘金属基板。通过渐变式沉积技术...
    2026-05-08
  • 集合体片材的制造方法、以及集合体片材
    集合体片材的制造方法、以及集合体片材_日东电工株式会社_202511479843.9
    集合体片材(1)的制造方法包括：蚀刻工序，通过向金属制的基材(M)喷射蚀刻液而对基材(M)进行蚀刻，形成仅由金属构成的金属部分。在蚀刻工序中，调整具有金属部分的尺寸变得大于目标值的倾向的列的蚀刻条件，以使金属部分的尺寸变小，调整具有金属部分...
    2026-05-08
  • 一种显示面板、显示装置及制备方法
    一种显示面板、显示装置及制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202411546061.8
    本申请公开一种显示面板、显示装置及制备方法，涉及显示技术领域，能够改善显示面板的漏光问题。本申请的显示面板包括驱动基板和发光器件层，驱动基板包括衬底层和驱动层，发光器件层设置于驱动层远离衬底层的一侧，驱动层包括像素电路；发光器件层包括第一电...
    2026-05-08
  • 硅衬底上方的蛇形高电压电阻器
    硅衬底上方的蛇形高电压电阻器_德州仪器公司_202511500421.5
    本公开涉及硅衬底上方的蛇形高电压电阻器。集成电路(100)包含：多层级金属化结构，其位于半导体层(102)上方，所述多层级金属化结构具有介电层(116)；焊盘金属层(118)，其位于所述介电层(116)上且包含第一电阻器端子(131)和第二...
    2026-05-08
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