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最新专利技术
  • microLED显示面板用垂直堆叠式红绿蓝全彩载体芯片及其制作方法
    microLED显示面板用垂直堆叠式红绿蓝全彩载体芯片及其制作方法_威弗洛得有限公司_202511531916.4
    本发明涉及microLED显示面板用垂直堆叠式红绿蓝全彩载体芯片，包括：临时晶圆；以及多个LED堆叠体，分别包括通过接合层来向垂直方向堆叠的发光部，并排列于所述临时晶圆，多个所述LED堆叠体分别在一部分区域形成短(Short)通道，使电流通...
    2026-05-10
  • 发光模块
    发光模块_冠捷投资有限公司_202510324449.1
    一种发光模块，包含底板，及多个设置于所述底板表面的发光单元，所述发光单元具有第一发光件，及两个与所述第一发光件发出不同色光的第二发光件。所述第一发光件及所述第二发光件分别为四边形，两个所述第二发光件排列于所述第一发光件的相对两侧边，任一所述...
    2026-05-10
  • 一种发光装置及其制备方法、发光模组、显示装置
    一种发光装置及其制备方法、发光模组、显示装置_湖北三安光电有限公司_202512015730.X
    本发明公开一种发光装置及其制备方法、发光模组、显示装置，发光装置包括导电连接层及间隔设置的N个发光单元，N为正整数，N大于等于2，且N为偶数，相邻发光单元通过导电连接层相互串联；在N个发光单元中，包含N/2个第奇数发光单元及N/2个第偶数发...
    2026-05-10
  • 发光器件和包括该发光器件的显示装置
    发光器件和包括该发光器件的显示装置_三星电子株式会社_202510875835.X
    提供了一种发光器件和包括该发光器件的显示装置。该发光器件可以包括包含依次堆叠的发光结构的发光单元，其中，每个发光结构包括依次堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。发光器件可以进一步包括与发光结构的第一导电类型半导体层接触...
    2026-05-10
  • 一种快速调整LED产品白光配比的方法、设备及介质
    一种快速调整LED产品白光配比的方法、设备及介质_深圳市同一方光电技术有限公司_202511900925.6
    本发明公开一种快速调整LED产品白光配比的方法、设备及介质，涉及LED技术领域，包括：构建包含LED芯片CI E色坐标、荧光粉CI E色坐标及荧光粉用量变化率的基础数据库；获取目标光色的目标CI E色坐标与初始产品的初始CI E色坐标；基于...
    2026-05-10
  • 一种改进型全彩SMD发光二极管复合材质支架
    一种改进型全彩SMD发光二极管复合材质支架_江西瑞晟光电科技有限公司_202512004230.6
    本发明公开了一种改进型全彩SMD发光二极管复合材质支架，涉及发光二极管支架技术领域。一种改进型全彩SMD发光二极管复合材质支架，包括有基座机构，基座机构包括有LPC基材；LPC基材的中心部分上表面内凹有盘槽; 盘槽内适配设置有架盘机构；架盘...
    2026-05-10
  • LED灯珠和LED灯珠制备方法
    LED灯珠和LED灯珠制备方法_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202411523256.0
    本申请涉及LED照明和显示产品领域，提供了一种LED灯珠和LED灯珠制备方法，LED灯珠包括：灯珠本体和连接件。其中，灯珠本体具有多个引脚，引脚均位于灯珠本体的同一侧；连接件和引脚一一对应设置，连接件设置于引脚背离灯珠本体的一侧，连接件通过...
    2026-05-10
  • 发光装置及显示设备
    发光装置及显示设备_西湖烟山科技(杭州)有限公司_202311212641.9
    一种发光装置及显示设备，发光装置包括通过粘接层粘接的第一发光单元和第二发光单元，粘接层与第一发光单元或第二发光单元的第二半导体层相向设置，第二半导体层与所述粘接层之间还包括一导电层，导电层朝向粘接层一面的表面粗糙度或表面积大于导电层朝向第二...
    2026-05-10
  • 微型发光二极管芯片及其形成方法、汽车车灯
    微型发光二极管芯片及其形成方法、汽车车灯_上海显耀显示科技股份有限公司_202411498572.7
    一种微型发光二极管芯片及其形成方法、汽车车灯，其中微型发光二极管芯片包括：第一外延层，第一外延层具有相对的第一侧和第二侧；位于第一侧的若干多量子阱层，多量子阱层与第一外延层接触；位于第一侧的若干第二外延层，每个多量子阱层位于第一外延层和对应...
    2026-05-10
  • 反极性发光二极管及其制备方法
    反极性发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511827370.7
    本公开提供了一种反极性发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、金属反射层、透明导电层、介质层、外延层、第一电极和第二电极；所述第二电极设置在所述衬底的第一面，所述金属反射层、所述透明导电层、所述介质层、所述外...
    2026-05-10
  • 芯片结构、显示面板及其制备方法
    芯片结构、显示面板及其制备方法_成都辰显光电有限公司_202411525015.X
    本申请提供一种芯片结构、显示面板及其制备方法。芯片结构包括：外延叠层包括沿其第一表面朝向第二表面的方向依次层叠的第一半导体层、发光层及第二半导体层，且具有自第二表面至少延伸至第一半导体层的引出孔；第一电极与第二半导体层电连接；第二电极包括第...
    2026-05-10
  • 一种Micro-LED元件、显示模组及其制备方法
    一种Micro-LED元件、显示模组及其制备方法_厦门大学_202610139232.8
    本发明公开了一种Micro‑LED元件、显示模组及其制备方法，应用于微型发光二极管技术领域，图案化衬底的表面设置有第一凸起结构，第一凸起结构具有与厚度方向倾斜的侧壁；位于图案化衬底设置有第一凸起结构一侧表面的外延层；外延层包括有源区；外延层...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511894630.2
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、连接电极、第一电极和第二电极；外延结构包括台阶结构，台阶结构包括台阶顶面和台阶底面，台阶顶面为外延结构的出光面；连接电极位于台阶顶面，第一电极位于连接电极的远离所述台阶顶面的...
    2026-05-10
  • 一种基于Zn掺杂渐变复合缓冲层的GaN基蓝绿光LED外延片及其制备方法
    一种基于Zn掺杂渐变复合缓冲层的GaN基蓝绿光LED外延片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202610244281.8
    本发明公开了一种基于Zn掺杂渐变复合缓冲层的GaN基蓝绿光LED外延片及其制备方法。该外延片包括衬底、锌掺杂渐变复合缓冲层及氮化镓基外延层叠结构，其中锌元素浓度沿生长方向呈梯度分布，优选为从靠近衬底侧向远离衬底侧梯度递减。缓冲层包含 Zn3...
    2026-05-10
  • 一种提升LED芯片极限抗静电能力的外延结构及其生长方法
    一种提升LED芯片极限抗静电能力的外延结构及其生长方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202610214817.1
    本发明公开了一种提升LED芯片极限抗静电能力的外延结构及其生长方法，属于半导体光电器件技术领域。该外延结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、应力释放层、MQW发光层、低温P型层、电子阻挡层及复合P型层。应力释放层通...
    2026-05-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202512049117.X
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括有源层以及相对设置于所述有源层两侧的第一半导体层和第二半导体层，有源层包括周期性交替叠置的阱层和垒层；其中，在至少一个周期中，垒层具有依次叠置的第一掺杂层和第二掺杂层，第二掺杂层相较于第一...
    2026-05-10
  • 一种绿光Micro-LED外延结构及其制备方法
    一种绿光Micro-LED外延结构及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202610022159.6
    本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。外延结构中多量子阱发光层包括依次层叠的N极性蓝光多量子阱层、N极性青光多量子阱层、Ga极性绿光多量子阱层和N极性蓝光末量子阱层；N极性蓝光多量子阱层、N极性...
    2026-05-10
  • 一种具有极性反转量子垒结构的紫外发光二极管
    一种具有极性反转量子垒结构的紫外发光二极管_金陵科技学院_202512045039.6
    本发明公开了一种极性反转量子垒结构的紫外发光二极管，其特征在于，包括：由下至上依次设置的衬底、金属极性的AlGaN缓冲层、金属极性的n型AlGaN层、具有氮极性量子垒结构的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、金属极性的电子...
    2026-05-10
  • 一种基于AlN/GaN数字合金结构的深紫外LED
    一种基于AlN/GaN数字合金结构的深紫外LED_南京大学_202610153186.7
    本发明公开了一种基于AlN/GaN数字合金结构的深紫外LED, 其结构自下而上依次包括 : 衬底; n 型注入层; 多量子阱有源层; p 型电子阻挡层; p 型注入层; p 型 GaN 层; 其中所述p 型注入层为GaN与AlN 交替生长的...
    2026-05-10
  • 多层量子阱结构及其外延结构和四元系AlGaInP发光二极管
    多层量子阱结构及其外延结构和四元系AlGaInP发光二极管_材料科学姑苏实验室_202411521094.7
    本发明提供一种多层量子阱结构及其外延结构和四元系AlGaInP发光二极管，涉及发光二极管技术领域。多层量子阱结构包括周期性层叠设置的多个量子阱层和多个量子垒层，量子阱层和量子垒层的材质均为AlGaInP，每个周期的量子阱层和量子垒层之间设置...
    2026-05-10
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