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最新专利技术
  • 增强型的晶体管以及制作方法
    增强型的晶体管以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511797645.7
    本公开提供了一种增强型的晶体管以及制作方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括层叠的GaN沟道层和势垒层，所述势垒层包括至少一个单元结构，所述单元结构层叠设置，每个所述单元结构包括一个InAlGaN层和一个AlGaN层。本公开可以提高晶体管...
    2026-04-29
  • 一种晶体管及其制造方法
    一种晶体管及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510480325.2
    本发明公开一种晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中制造栅布线结构时容易导致晶体管电学性能下降的问题。晶体管包括：半导体衬底，缓冲层设置在所述半导体衬底上，势垒层设置在所述缓冲层上；缓冲层和势垒层构成异质结构；源极和漏极沿...
    2026-04-29
  • 一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法
    一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610103097.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是一种具有空气介质层的复合钝化层结构GaN HEMT的制备方法，方法如下：步骤1：对外延片进行清洗，并定义出源电极、漏电极的欧姆接触区域；再对外延片进行金属蒸镀、金属举离、退火处理，制备出源电极和漏电极；步...
    2026-04-29
  • 一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法
    一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202610102928.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，特别是一种具有栅极空气桥结构的GaN HEMT的制备方法，方法如下：步骤1：对外延片进行清洗，并定义出源电极、漏电极欧姆接触区域；再对外延片进行金属蒸镀、金属举离、退火处理，制备出源电极和漏电极；步骤2：在制备...
    2026-04-29
  • 一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件
    一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202610047089.X
    本发明公开了一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件，属于半导体技术领域。本发明在漂移区的上表面沉积多晶硅，并对所述多晶硅进行掺杂，以在所述漂移区的上表面形成多晶硅掺杂结构，通过形成多晶硅掺杂结构与漂移区的上表面直接接触，能够增大漂移区...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411514876.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层；在所述鳍部的顶部和侧壁依次形成栅介质层和功能层，所述功能层的热膨胀系数小于所述栅介质层的热膨胀系数；在所...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610133047.8
    本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括导电层，所述导电层具有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的浮动区，所述浮动区位于所述漂移区上方；沟槽栅结构，所述沟槽栅结构贯穿部分所述导电层且底部位于所述浮动区内；可以抑制米勒效应，实现降低开关振荡...
    2026-04-29
  • 半导体器件、制备方法以及控制方法
    半导体器件、制备方法以及控制方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610045379.0
    本发明提供一种半导体器件、制备方法以及控制方法，所述制备方法包括：提供基底，基底内形成有体区层且包括多个器件单元区，每个器件单元区包括MOS晶体管区和双极晶体管区；形成第二MOS晶体管，包括在MOS晶体管区的体区层内形成掩埋掺杂区和沟槽式伪...
    2026-04-29
  • 全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511820259.5
    本申请公开了一种全自对准垂直纳米线锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，利用选择性腐蚀或者刻蚀使得硅外延发射区和硅外延集电区以及部分重掺杂硅集电区都相对于锗硅外延基区向内自对准缩进，使得...
    2026-04-29
  • 自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511815163.X
    本申请公开了一种自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述自对准锗硅异质结双极晶体管，包括：衬底；重掺杂集电区埋层，形成在衬底上；硅外延集电区和场区氧化硅层，分别形成在重掺杂集电区埋层上；锗硅外延基区，形成在硅外延集电...
    2026-04-29
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202610061077.2
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，设置为第一导电类型，包括第一表面和第二表面；第一表面设置有第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽；第二沟槽包括第三子沟槽和第...
    2026-04-29
  • 一种硅基材料的低压降芯片制作方法
    一种硅基材料的低压降芯片制作方法_常州银河世纪微电子股份有限公司_202511917833.9
    本发明公开了一种硅基材料的低压降芯片制作方法，包括：S1、提供具有外延层的硅衬底；S2、在外延层的表面形成氧化层；S3、对氧化层进行光刻，而后硼扩散，在外延层中形成若干P+区；S4、对氧化层进行光刻，而后磷掺杂，在外延层中形成N+区；S5、...
    2026-04-29
  • 具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法
    具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法_意法半导体国际公司_202511539274.2
    本公开涉及具有可调正向电压的沟槽肖特基二极管的制造方法。一种肖特基二极管，其包括具有有源区的衬底。沟槽延伸到衬底外延层中，沟槽的侧壁和底表面衬覆有绝缘层，每个沟槽的其余部分填充有多晶体硅(多晶硅)填充物。在相邻沟槽之间的位置处的外延层中注入...
    2026-04-29
  • 一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质
    一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质_华南理工大学_202610154297.X
    本申请提供了一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：对衬底进行刻蚀获得深沟槽，在衬底表面生成第一介质层；利用化学气相沉积对生成第一介质层后的深沟槽进行多晶硅填充，对多晶硅进行回刻蚀处理获得下层...
    2026-04-29
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510861087.X
    提供了一种半导体封装件，该半导体封装件具有堆叠有多个存储芯片的结构，并且具有最小化的物理损伤和改进的可靠性。半导体封装件包括基底芯片；多个存储芯片，多个存储芯片设置在基底芯片上；以及密封材料，密封材料在基底芯片上密封多个存储芯片，其中，多个...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202610310384.X
    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在衬底表面形成若干堆叠层和若干第一开口，各所述第一开口位于相邻两个堆叠层之间；在所述第一开口侧壁和底部表面形成初始第一保护层，以所述第一开口形成第二开口，所述第二开口顶部尺寸小于所述第二开口底部尺寸...
    2026-04-29
  • 存储器器件、半导体器件及其形成方法
    存储器器件、半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512045146.9
    本申请的实施例公开了存储器器件、半导体器件及其形成方法。存储器器件包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个包括串联连接在第一存取线和第二存取线之间的电阻元件和晶体管。第一存取线至少包括第一金属轨道和第二金属轨道，第一金属轨道设置在衬底...
    2026-04-29
  • 存储器阵列及具有其的设备
    存储器阵列及具有其的设备_北京新忆科技有限公司_202511868354.2
    本申请提出一种存储器阵列及具有其的设备，其中，存储器阵列包括多个2T1R结构，所述2T1R结构包括第一晶体管、第一存储器单元和第二晶体管，所述第一晶体管的第一端分别连接所述第一存储器单元的第一端和所述第二晶体管的第二端；位于同一行的多个所述...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411516095.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一导电结构、堆叠结构、接触结构和第二导电结构。堆叠结构位于第一导电结构在第一方向上的一侧，并包括在第一方向上交替堆叠的第一介质层和栅极层。接触结构位于第一导电结构在第一方向...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411516082.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一导电结构和第二导电结构。第二导电结构位于第一导电结构在第一方向上的一侧且与第一导电结构接触。第二导电结构与第一导电结构接触的部分在第二方向上朝第一导电结构凸出。第一方向与...
    2026-04-29
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