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最新专利技术
  • 一种基于生长传导模块的金属凸块结构及集成方法
    一种基于生长传导模块的金属凸块结构及集成方法_上海曜感科技有限公司_202610071122.2
    本发明公开了一种基于生长传导模块的金属凸块结构及集成方法，包括步骤：S1：提供一晶圆，所述晶圆表面形成有钝化层及暴露焊盘的开口；S2：在晶圆表面沉积生长传导模块材料层，使其填充所述焊盘开口并覆盖焊盘，并对该材料层进行图形化，形成与焊盘电连接...
    2026-05-08
  • 倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法、电子设备
    倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法、电子设备_北京芯力技术创新中心有限公司_202610177273.6
    本发明提供一种倒装芯片球栅阵列封装结构及其制备方法、电子设备。制备方法至少包括以下步骤：提供设有用于焊接倒装芯片球栅阵列封装所需的片式电阻的焊盘及对应的阻焊开窗的基板；在所述焊盘上施加锡膏并贴装片式电阻；进行回流焊接，以使锡膏熔化并形成焊点...
    2026-05-08
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511620584.7
    半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个范例中，一种电子装置包括包含接触焊盘的电子组件。第一介电结构可安置在所述电子组件上方，且可界定使所述接触焊盘从所述第一介电结构暴露的开口。导电结构可安置在所述第一介电结构上方且耦合到所述接触焊盘。第二...
    2026-05-08
  • 基于垂直排列金属纳米柱的三维微互连结构及其制备方法
    基于垂直排列金属纳米柱的三维微互连结构及其制备方法_广西华芯振邦半导体有限公司_202610034073.5
    本发明公开了基于垂直排列金属纳米柱的三维微互连结构及其制备方法，属于半导体封装领域。该结构从下至上依次包括底层芯片焊盘、UBM层、Ti/Ni过渡层、垂直纳米柱阵列和顶部封装连接层。通过微纳加工技术实现，单个凸块内集成数百至数千根纳米线，从根...
    2026-05-08
  • 基于金属凸块互连的三维系统芯片的制造方法
    基于金属凸块互连的三维系统芯片的制造方法_上海曜感科技有限公司_202610065572.0
    本发明公开了一种基于金属凸块互连的三维系统芯片的制造方法，包括：母芯结构，其表面具有第一原始焊垫阵列；至少一个子芯粒，倒扣堆叠于所述母芯结构之上，其表面具有第二原始焊垫阵列；再布线金属柱结构，设置于所述母芯结构和/或所述子芯粒的表面，所述再...
    2026-05-08
  • 半导体结构及其形成方法、光学临近校正方法
    半导体结构及其形成方法、光学临近校正方法_福建省晋华集成电路有限公司_202610103868.7
    本申请涉及一种半导体结构及其形成方法、光学临近校正方法。半导体结构包括：衬底；连接垫，位于衬底上，沿第一方向、第二方向间隔排布成连接垫阵列；延伸垫，位于连接垫阵列的边角，并沿第二方向间隔排布，延伸垫包括分支部和拓展部；其中，分支部沿第一方向...
    2026-05-08
  • 形成半导体装置的方法
    形成半导体装置的方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411587132.9
    本发明公开一种形成半导体装置的方法，其包括以下步骤。提供第一晶圆。第一晶圆包括第一基底以及形成于第一基底上的第一内连线层。提供第二晶圆。第二晶圆包括第二基底以及形成于第二基底上的第二内连线层。将第二晶圆堆叠至第一晶圆上。对第二晶圆的第二基底...
    2026-05-08
  • 使用引线框架上的集成封装件制造系统级封装(SIP)的方法
    使用引线框架上的集成封装件制造系统级封装(SIP)的方法_意法半导体国际公司_202511545828.X
    本公开涉及使用引线框架上的集成封装件制造系统级封装(SIP)的方法。系统级封装(SiP)包括执行不同功能性的两个或更多个集成电路(IC)封装件。每个封装件包括包封在第一体内并且包括蚀刻的单独引线的裸功能IC管芯。封装件被安装到引线框架并且被...
    2026-05-08
  • 一种超薄型的DFN器件封装加工方法
    一种超薄型的DFN器件封装加工方法_深圳市芯友微电子科技有限公司_202511931184.8
    本发明适用于器件封装技术领域，提供了一种超薄型的DFN器件封装加工方法，包括铜板的覆膜、铜板的冲槽与蚀刻、Core的压合、芯片的安装、芯片的覆膜、可剥离铜板的安装、环氧树脂胶膜的剥离、芯片的互联、外部电极的制作和切割，通过对可剥离铜板的二次...
    2026-05-08
  • 一种芯片封装方法
    一种芯片封装方法_深圳市芯友微电子科技有限公司_202511940083.7
    本发明适用于芯片封装技术领域，提供了一种芯片封装方法，所述封装方法包括：提供载板，所述载板上设置有多个封装区；在每个所述封装区内固定一个第一芯片，所述第一芯片设有第一类焊盘；通过引线键合工艺将所述第一芯片的第一类焊盘与所述载板进行电性连接；...
    2026-05-08
  • 一种芯片扇出型封装方法和结构
    一种芯片扇出型封装方法和结构_浙江清华柔性电子技术研究院_202512041530.1
    本发明公开了一种芯片扇出型封装方法和结构，旨在解决芯片在固化过程中产生偏移的不足。该发明第一平台，所述第一平台上设有第一黏结层，所述第一黏结层上设有封装组件；所述封装组件包括芯片，围堰结构和塑封层，所述围堰结构设于第一黏结层上，所述芯片设于...
    2026-05-08
  • 一种用于半导体引线框架封装的径向抽芯模具
    一种用于半导体引线框架封装的径向抽芯模具_南通百润精密科技有限公司_202610106263.3
    本发明属于模具技术领域，具体的说是一种用于半导体引线框架封装的径向抽芯模具，包括底座，所述底座上端面一侧固定连接有工作台，所述工作台上端面一侧固定连接有支架一，所述支架一上端一侧固定连接有气缸三，所述气缸三活塞端固定连接有模芯一，所述模芯一...
    2026-05-08
  • 封装结构及其形成方法、电子设备
    封装结构及其形成方法、电子设备_长电科技(江阴)有限公司_202610114011.5
    一种封装结构及其形成方法、电子设备，所述封装结构中第一元件的顶部与第二元件的顶部高度不同，但位于第一元件和第二元件上方的塑封层厚度相同，因此塑封层在不同高度元件上的厚度均一，从而封装结构在固化后的冷却阶段，各个元件上的塑封层产生基本一致的体...
    2026-05-08
  • 一种集成电路配件脱膜槽
    一种集成电路配件脱膜槽_贝尔智慧电子科技有限公司_202610168552.6
    本发明公开了一种集成电路配件脱膜槽，属于脱膜槽技术领域，包括槽体和载具篮，还包括带动平移组件、提升组件、拉杆和封盖组件，带动平移组件设置在槽体上，用于带动载具篮移动至槽体的侧面，提升组件设置在带动平移组件上，用于将载具篮进行高度的调节，拉杆...
    2026-05-08
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_湖南三安半导体有限责任公司_202411421779.4
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本申请提供的半导体器件包括层叠设置的外延层、介质层、渗入阻挡层和欧姆金属层，欧姆金属层依次穿过所述渗入阻挡层和所述介质层，并与所述外延层形成欧姆接触，渗入阻挡层用于阻挡欧姆金属层的...
    2026-05-08
  • 具有导电涂层的晶片结构
    具有导电涂层的晶片结构_德州仪器公司_202511469729.8
    本公开涉及一种具有导电涂层的晶片结构。晶片结构(100)包括半导体晶片(102)，所述半导体晶片具有在纵向方向上与第二侧(106)相对的第一侧(104)。所述晶片结构(100)还包括形成于所述半导体晶片(102)的所述第一侧(104)上的有...
    2026-05-08
  • 半导体装置及制造方法
    半导体装置及制造方法_恩智浦有限公司_202511479639.7
    本文描述了一种半导体装置及制造方法。所述装置包括：半导体RFID IC基层(201)；钝化层(203)，其位于所述基层上方，所述钝化层内具有金属插入件(204)；再钝化层(205)，其位于所述钝化层和所述金属插入件上方；组装焊盘层(207)...
    2026-05-08
  • 一种低热阻绝缘集成型顶部散热功率器件
    一种低热阻绝缘集成型顶部散热功率器件_斯达半导体股份有限公司_202512054367.2
    本发明涉及电子器件技术领域，公开一种低热阻绝缘集成型顶部散热功率器件，旨在解决传统功率器件热阻高、绝缘可靠性不足、装配复杂的问题。该器件包括框架基岛、绝缘层、SiC芯片、键合铝线、引脚、注塑体及金属散热顶盖；绝缘层为氮化铝等高导热陶瓷层，厚...
    2026-05-08
  • 半导体封装装置和其制造方法
    半导体封装装置和其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202610144830.4
    本揭露涉及一种半导体封装装置和其制造方法。半导体封装装置包括衬底；密封剂，其在所述衬底上，所述密封剂包含面离所述衬底的表面；沟槽，其自所述密封剂的所述表面朝所述衬底凹陷，所述沟槽包含邻接于所述密封剂的所述表面的第一部分以及所述第一部分与所述...
    2026-05-08
  • 一种在陶瓷管壳上预置金锡焊料的方法
    一种在陶瓷管壳上预置金锡焊料的方法_广州先艺电子科技有限公司_202511866977.6
    本发明公开了一种在陶瓷管壳上预置金锡焊料的方法，属于半导体器件技术领域。包括如下步骤：在陶瓷管壳的焊接区域金属化处理，在焊接区域表面形成金属化层；提供一焊料高度控制板，焊料高度控制板上设置若干用于容纳焊料和金属化层的限位槽，限位槽的位置与陶...
    2026-05-08
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