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最新专利技术
  • 晶圆竖直清洗方法、装置和晶圆清洗设备
    晶圆竖直清洗方法、装置和晶圆清洗设备_华海清科(上海)半导体有限公司_202610045295.7
    本申请提供一种晶圆竖直清洗方法、装置和晶圆清洗设备。该方法包括：S1：设置正面喷杆和背面喷杆；S2：驱动晶圆旋转，同时使滚刷刷洗晶圆并使正面喷杆和背面喷杆向晶圆喷射清洗液；S3：刷洗结束后保持两个喷杆工作，以冲洗从环槽释放的污染物；步骤S1...
    2026-04-30
  • 一种半导体硅片制造设备作业安全保护方法
    一种半导体硅片制造设备作业安全保护方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202610023772.X
    一种半导体硅片制造设备作业安全保护方法，适用于搬运设备、生产设备与片篮之间的协同作业过程，步骤包括：在搬运设备与生产设备的关键部位部署传感器组，实时采集设备动作状态参数；通过中央控制器接收传感器组上传的数据，执行作业前预检查；在搬运设备执行...
    2026-04-30
  • 一种晶圆后处理装置和处理方法
    一种晶圆后处理装置和处理方法_华海清科(上海)半导体有限公司_202511976916.5
    本发明公开了一种晶圆后处理装置和处理方法，涉及半导体制造技术领域。所述晶圆后处理装置包括：箱体；夹持件，设置于箱体中，其水平夹持并带动晶圆旋转；内挡圈，设置于夹持件的外周侧，其随夹持件同步旋转；所述内挡圈的侧壁设置有贯通的孔隙，以将离心溅落...
    2026-04-30
  • 退火炉、退火系统以及晶圆的退火方法
    退火炉、退火系统以及晶圆的退火方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511796267.0
    本公开提供了一种退火炉、退火系统以及晶圆的退火方法，属于半导体制造技术领域。退火炉包括退火腔体、托盘以及至少一个顶针组件；所述托盘位于所述退火腔体内，且具有至少一个用于承载晶圆的圆形的放置区；各所述顶针组件至少部分位于所述退火腔体中，且与所...
    2026-04-30
  • 多轴线台设备、使用多轴线台设备的晶片结合方法以及晶片结合设备
    多轴线台设备、使用多轴线台设备的晶片结合方法以及晶片结合设备_细美事有限公司_202511157678.5
    本公开涉及多轴线台设备、使用多轴线台设备的晶片结合方法以及晶片结合设备，该多轴线台设备能够显著改进晶片结合精度。该设备可以包括：基础部分；第一驱动装置，配置成使其至少部分相对于所述基础部分在第三轴线方向上竖直地移动第一距离；第二驱动装置，形...
    2026-04-30
  • 晶粒键合装置以及晶粒键合方法
    晶粒键合装置以及晶粒键合方法_细美事有限公司_202510992161.1
    本发明提供一种可以在保持工作台和键合头之间的距离的同时也更精密地识别晶粒的位置的晶粒键合装置以及晶粒键合方法。根据本发明的晶粒键合装置包括：工作台，支承设置有第一晶粒的基板；键合头，将第二晶粒键合于第一晶粒的上面；龙门架，在键合头和工作台之...
    2026-04-30
  • 基于不同状态改变测试气体的流路的半导体产品的温度控制装置
    基于不同状态改变测试气体的流路的半导体产品的温度控制装置_阿特科株式会社_202510869761.9
    公开了一种温度控制装置，温度控制装置用于半导体产品，温度控制装置包括：推动单元，推动单元被配置为相对接近用于装载半导体产品的测试托盘并且包括形成为排出测试气体的排出口；管道单元，管道单元包括排出通道，排出通道形成为将测试气体输送到排出口；以...
    2026-04-30
  • 安装有基板加热部的基板处理装置及基板处理方法
    安装有基板加热部的基板处理装置及基板处理方法_株式会社迪佰世_202510082694.6
    本发明涉及安装有基板加热部的基板处理装置，包括：基板保持单元，用于保持及旋转基板；处理液供给单元，向保持在基板保持单元的基板的上表面或下表面供给处理液；基板加热部，设置在基板的下部，安装有多个发光二极管，用于对基板进行加热；以及隔断板，设置...
    2026-04-30
  • 加热装置及半导体工艺腔室
    加热装置及半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411496774.8
    本申请实施例提供了一种加热装置及半导体工艺腔室，其中，所述加热装置应用于半导体工艺腔室，所述加热装置包括：第一反射环、第二反射环和加热灯；第一反射环设有第一反射面，第一反射面为截面形状为弧线的环状面，第二反射环包括多个拼接件，各拼接件绕第一...
    2026-04-30
  • 真空加热装置以及半导体用加热设备
    真空加热装置以及半导体用加热设备_深圳市矩阵多元科技有限公司_202411494806.0
    本发明提出了一种真空加热装置以及具有该真空加热装置的半导体用加热设备。真空加热装置对加热对象物进行加热，包括：壳体，所述壳体内设置有腔体；具有热传导性的罩子，设置在所述腔体内，所述罩子的一侧形成有开口部，所述罩子内形成容纳室，所述容纳室用于...
    2026-04-30
  • 一种用于晶圆的清洗机构
    一种用于晶圆的清洗机构_昆山日月同芯半导体有限公司_202610145785.4
    本发明涉及晶圆清洗技术领域，且公开了一种用于晶圆的清洗机构，包括设置在清洗机内的安装板，所述安装板的顶部通过螺栓固定有防护罩，防护罩内设置有用于对晶圆进行支撑与限位的支撑台，支撑台在安装板顶部转动设置，同时支撑台还在安装板顶部上下滑动设置，...
    2026-04-30
  • 清洗方法及清洗装置
    清洗方法及清洗装置_湖北星辰技术有限公司_202610091558.8
    本公开实施例提供一种清洗方法及清洗装置。该清洗方法包括：将半导体结构固定在承载台上，半导体结构包括经过激光处理后形成的多个凹槽，凹槽中附着有经过激光处理后形成的熔渣；利用驱动部驱动承载台带动半导体结构沿第一方向或者第二方向移动，使得第一喷嘴...
    2026-04-30
  • 一种半导体晶圆清洗治具及方法
    一种半导体晶圆清洗治具及方法_陕西光电子先导院科技有限公司_202610064360.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆清洗治具及方法；技术方案：一种半导体晶圆清洗治具，包括有卡塞，卡塞的内部设置有卡位冶具，卡位冶具的两端一侧均设置有限位槽，限位槽的内部设置有限位柱，限位柱的外侧套设有滑块；本发明通过弯钩结...
    2026-04-30
  • 一种功率模块的清洗设备、塑封前处理方法及功率模块
    一种功率模块的清洗设备、塑封前处理方法及功率模块_嘉兴斯达微电子有限公司_202511890657.4
    本发明提供一种功率模块的清洗设备、塑封前处理方法及功率模块，涉及功率模块制备技术领域，包括第一隔板和第二隔板将清洗槽从左至右依次分隔为清洗液区、混合液区和漂洗液区；第一隔板的高度高于第二隔板的高度；漂洗液区的液位高度与第二隔板的高度相同，且...
    2026-04-30
  • 一种采用LED灯解键合的方法
    一种采用LED灯解键合的方法_鸿鹄半导体设备(佛山)有限公司_202411490336.0
    本发明公开了一种采用LED灯解键合的方法，涉及解键合技术领域；包括如下步骤：S1：将晶圆片放置在支撑底座上；通过每一颗LED灯珠内均配有绿色LED芯片作为可见导引光源，配有紫外LED或红外LED或同时配有紫外和红外LED芯片作为解键合光源来...
    2026-04-30
  • 半导体晶粒及其制造方法
    半导体晶粒及其制造方法_力智电子股份有限公司_202411494303.3
    本发明提供一种半导体晶粒及其制造方法。半导体晶粒的制造方法包括以下步骤。在衬底上形成半导体堆叠结构，其中衬底包括晶粒区及划片区，划片区位于相邻的晶粒区之间。在半导体堆叠结构之上形成介电层。在划片区中移除部分介电层及部分半导体堆叠结构，以形成...
    2026-04-30
  • 一种晶圆的抛光方法以及晶圆
    一种晶圆的抛光方法以及晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511956856.0
    本公开实施例公开了一种晶圆的抛光方法以及晶圆，晶圆的抛光方法可以包括：在晶圆表面形成耐磨层，耐磨层的厚度从晶圆中心到边缘逐渐降低，其中，耐磨层的硬度大于晶圆的硬度和/或耐磨层与抛光液的反应速率小于晶圆与抛光液的反应速率；对晶圆执行CMP工艺...
    2026-04-30
  • 高精度V型槽刻蚀方法及系统
    高精度V型槽刻蚀方法及系统_武汉驿路通科技股份有限公司_202610133053.3
    本发明公开了高精度V型槽刻蚀方法及系统，涉及刻蚀加工技术领域，包括：获得晶圆的V型槽刻蚀任务信息；根据所述V型槽刻蚀任务信息进行特征解析，确定刻蚀需求特征；对晶圆基础数据进行数据清洗，生成晶圆特征；根据所述晶圆特征和所述刻蚀需求特征对V型槽...
    2026-04-30
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202610020550.2
    本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有图案。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体化以在进行第2膜的溅射的同时蚀刻...
    2026-04-30
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置_株式会社国际电气_202511332806.5
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品及衬底处理装置。提供能够精密地从衬底上除去物质的技术。通过进行下述(a)和(b)从而除去衬底上的物质，(a)：从第1供给部对衬底供给第1气体的工序，其中，第1气体为含卤元素的蚀刻气体及与...
    2026-04-30
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