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最新专利技术
  • 阶梯场板的制作方法及半导体器件
    阶梯场板的制作方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610389259.2
    本申请涉及一种阶梯场板的制作方法及半导体器件，涉及集成电路技术领域。本申请的阶梯场板的制作方法通过在衬底上形成初始致密度不同的至少两层介质层，对至少两层介质层进行一次刻蚀工艺形成场板图形，然后对至少两层介质层进行热处理，不同初始致密度的介质...
    2026-04-29
  • 势垒合金工艺方法
    势垒合金工艺方法_宝鼎乾芯集成电路(杭州)有限公司_202610143041.9
    一种势垒合金工艺方法，包括：提供待处理晶片；向反应炉通入氮气并将反应炉的恒温区设置为第一温度；在第一温度下将待处理晶片从反应炉的炉管口传送至反应炉的恒温区，在传送过程中待处理晶片的表面与空气发生氧化反应形成微氧化保护层；在合金温度和氮气气氛...
    2026-04-29
  • 一种碳化硅晶片的加工方法以及碳化硅晶片
    一种碳化硅晶片的加工方法以及碳化硅晶片_长沙华实半导体有限公司_202610380991.3
    本申请公开了一种碳化硅晶片的加工方法以及碳化硅晶片。所述加工方法包括对碳化硅晶锭进行表面预处理，以去除碳化硅晶锭的第一表面上的石墨层；对第二表面进行磨削加工，使第二表面的平面度≤0.01mm；对第一表面进行磨削加工，使第一表面的平面度≤0....
    2026-04-29
  • 半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备
    半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202411514075.1
    本申请提供一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括P型晶体管，包括P型晶体管包括第一极、第二极、沟道、栅极和栅极侧墙，第一极包括硼；另外，该半导体器件还包括第一膜层和介质阻挡层，第一膜层位于第一...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411503156.1
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包含基板、隔离区、图案化半导体层、图案化键合层以及磊晶层。隔离区埋入于基板中，隔离区的顶面和基板的顶面在同一平面上。图案化半导体层设置于隔离区的正上方，图案化键合层设置于隔离区和图案化半导体层...
    2026-04-29
  • 晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件
    晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610380634.7
    本申请涉及一种晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件，方法包括：提供衬底；衬底内通过离子注入形成的有初始沟道；于初始沟道两侧的衬底顶面上形成掩模层，并基于掩模层在无偏置电压下，采用含锗气体对初始沟道进行掺锗处理，使初始沟道具有平行于初始沟道...
    2026-04-29
  • 半导体器件结构、CMOS结构及其制备方法
    半导体器件结构、CMOS结构及其制备方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202610401489.6
    本申请公开了一种半导体器件结构、CMOS结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该半导体器件结构采用两层埋氧层间隔嵌入到三层硅层的SOI衬底，将源/漏区的外延起始层从SOI衬底的顶硅层转移到SOI衬底内部的中间硅层或支撑硅层，从而解决随着...
    2026-04-29
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_友达光电股份有限公司_202610132737.1
    本发明公开一种半导体元件及其制造方法。制造方法包括以下步骤：在基板上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成具有第一穿孔的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成栅极电极和第一电极，其中第一电极经由第一穿孔与氧化物半导体层...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511362310.2
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。提高半导体器件的击穿电压和可靠性。多个半导体元件形成在单元区中。终端区在平面图中包围单元区。在终端区的半导体衬底中，p型RESURF区被形成为达到距半导体衬底的上表面的预定深度。RESURF区被环状地形成在...
    2026-04-29
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610091442.4
    本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。该器件包括：衬底；漂移区介质层；导电层图案，包括间隔设置界定出间隙的辅助导电结构；由侧墙绝缘材料构成并填充于间隙内的间隙填充介质部；以及位于间隙上方的接触孔结构。本发明利用侧墙沉积工艺...
    2026-04-29
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202610091132.2
    本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。该器件包括衬底、外延层、体区、漂移区、源极区、漏极区、栅极结构及接触场板结构。接触场板结构位于源极区与漏极区之间且位于漂移区上方，其特征在于包括至少两个物理上相互间隔的子接触场板，子接...
    2026-04-29
  • 一种集成反向续流JFET的碳化硅LDMOS器件
    一种集成反向续流JFET的碳化硅LDMOS器件_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202610000601.5
    本发明公开一种集成反向续流JFET的碳化硅LDMOS器件，包括位于第一导电类型外延层中间隔设置的第二导电类型穿通区、JFET源区、第二导电类型阱区、第一导电类型缓冲区；第二导电类型穿通区贯穿第一导电类型外延层，并与第二导电类型外延层接触；位...
    2026-04-29
  • 对称型LDMOS及其制造方法
    对称型LDMOS及其制造方法_东南大学_202511913174.1
    本发明涉及一种对称型LDMOS及其制造方法，所述对称型LDMOS包括：衬底；漂移区，至少部分衬底位于漂移区下方；沟槽栅结构，位于漂移区中，包括位于目标沟槽的内壁的栅介电层和位于目标沟槽中的栅极；体区，位于目标沟槽下方，体区的导电类型与所述漂...
    2026-04-29
  • 双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品
    双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品_珠海格力电器股份有限公司_202511912188.1
    本申请提供了一种双向开关器件、双向开关器件制备方法及电子产品，器件的第一欧姆接触电极位于外延结构第一表面位于第一栅极背离第二栅极的一侧；第一欧姆接触电极、第一水平场板和第一垂直场板形成半封闭且位于第一栅极背离第一表面的第一导电罩；第一垂直场...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_杭州士兰微电子股份有限公司_202610129311.0
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用在半导体技术领域中。在本发明中，半导体器件包括第一外延层、设置在第一外延层内的第一掺杂类型的掺杂柱和第二掺杂类型的掺杂柱、第二外延层、设置在第二外延层内的体区、以及至少一层第三外延层。如此，通过在...
    2026-04-29
  • 一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺
    一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺_济南晶恒电子有限责任公司_202610121591.0
    本申请涉及半导体功率器件技术领域，提供了一种高可靠性超结MOSFET芯片结构及其加工工艺，包括漏极金属，漏极金属上方有N+型衬底漏极区，N+型衬底上方设置有N‑型外延层，N‑型外延层中交替分布有P型柱和N型柱，P型柱顶部设置有宽度收窄的收窄...
    2026-04-29
  • 高耐压的沟槽功率器件及其制备方法
    高耐压的沟槽功率器件及其制备方法_江苏芯长征微电子集团股份有限公司_202610065007.4
    本发明涉及一种高耐压的沟槽功率器件及其制备方法。其包括半导体基板，包括第一导电类型外延层以及位于所述第一导电类型外延层上的第一导电类型漂移区；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列分布的沟槽元胞，其中，所述沟槽元胞包括设置于第一导电...
    2026-04-29
  • 一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法
    一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法_电子科技大学_202610151823.7
    本发明提出一种具有图形化阻性场板结构的GaN HEMT器件及制备方法，属于功率半导体技术领域。所述GaN HEMT器件包括衬底层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属层、p‑GaN栅极帽层、漏极金属层、栅极金属层及阻性...
    2026-04-29
  • 一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法
    一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法_西交利物浦大学_202610123585.9
    本发明公开了一种p沟道氮化镓晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。p沟道氮化镓晶体管包括：衬底；位于衬底的一侧的势垒层和p型氮化镓层；p型氮化镓层与势垒层形成空穴异质结结构；p型氮化镓层包括第一凹槽以及位于第一凹槽相对两侧的第一凸起和...
    2026-04-29
  • 功率器件及其制备方法
    功率器件及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511805333.6
    本公开公开了一种功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该功率器件，包括外延层、势垒层、第一介质层、源极、漏极和栅极；势垒层位于外延层的一侧；第一介质层位于势垒层背向外延层的一侧，第一介质层背向势垒层的一面具有介质沟槽；源极和漏极相互间隔...
    2026-04-29
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