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最新专利技术
  • 一种基于甜味素钝化剂的钙钛矿前驱体溶液及其制备方法和应用
    一种基于甜味素钝化剂的钙钛矿前驱体溶液及其制备方法和应用_中国科学院过程工程研究所_202511899462.6
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种基于甜味素钝化剂的钙钛矿前驱体溶液及其制备方法和应用。所述钙钛矿前驱体溶液包含钙钛矿组分、溶剂和钝化剂，所述钝化剂为环己烷氨基磺酸钠，所述钙钛矿的化学式为Csx(FAyMA1‑y)1‑xPb(IzBr1‑z...
    2026-05-09
  • 一种铅锡钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
    一种铅锡钙钛矿薄膜及其制备方法和应用_西北工业大学深圳研究院_202512005657.8
    本发明公开了一种铅锡钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，具体涉及光电材料与器件的领域。包括自下而上依次设置的埋底界面层、铅锡钙钛矿层、上界面修饰层；铅锡钙钛矿层通过铅锡钙钛矿前驱液形成的，铅锡钙钛矿前驱液的成分包括：二维钙钛矿单晶、碘化铅、碘化亚...
    2026-05-09
  • 一种稳定的钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种稳定的钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法_上海泊光纪元新能源科技有限公司_202610093796.2
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种稳定的钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿前驱体溶液的溶质包括钙钛矿前驱体材料与含空轨道的硼原子构成的化合物，所述钙钛矿前驱体材料包括卤化铅和卤化有机盐化合物，所述前驱体溶液包...
    2026-05-09
  • 光电装置以及包括光电装置的电子设备和电子器材
    光电装置以及包括光电装置的电子设备和电子器材_三星显示有限公司_202511335350.8
    公开了光电装置以及包括光电装置的电子设备和电子器材。光电装置可包括第一电极、与第一电极相对(例如，面向第一电极)的第二电极、在第一电极和第二电极之间的光敏层以及由式F表示的氟类化合物：式F其中，在式F中，Y1、Z1、L1、L2、n1、n2、...
    2026-05-09
  • 用于有机发光器件的组合物和包含其的有机发光器件
    用于有机发光器件的组合物和包含其的有机发光器件_株式会社LG化学_202511410581.0
    本公开内容提供了用于有机发光器件的组合物和包含其的有机发光器件。
    2026-05-09
  • 自组装单分子层材料、自组装单分子层及其应用
    自组装单分子层材料、自组装单分子层及其应用_香港科技大学_202512020876.3
    本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，具体公开了一种自组装单分子层材料、自组装单分子层及其应用。所述自组装单分子层材料包括自组装材料和卤代苯。本发明提供自组装单分子层材料可作为自牺牲分子模板，自牺牲分子模板中的卤代苯可以有效抑制自组装材料在溶...
    2026-05-09
  • 一种OLED发光有机材料及其OLED发光器件
    一种OLED发光有机材料及其OLED发光器件_上海钥熠电子科技有限公司_202610041503.6
    本发明涉及有机发光二极管技术领域，尤其涉及IPC C07，更具体地涉及，一种OLED发光有机材料及其OLED发光器件。本发明中OLED发光有机材料包含萘并脂肪环结构，提高了分子的供电子能力，从而提高了电子迁移能力，稳定了空穴，进而提高了分子...
    2026-05-09
  • 一种基于PEDOT：PSS与聚苯胺构建微裂纹结构的热电薄膜及其制备方法
    一种基于PEDOT：PSS与聚苯胺构建微裂纹结构的热电薄膜及其制备方法_上海华源复合新材料有限公司_202511920477.6
    本发明涉及热电材料技术领域，具体为一种基于PEDOT：PSS与聚苯胺构建微裂纹结构的热电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：选取PEDOT : PSS原料，经过滤处理后分散于无水乙醇中，得到均匀的PEDOT : PSS分散液；选取聚苯胺原料，分...
    2026-05-09
  • 一种预制金锡焊料的TEC及其制备工艺
    一种预制金锡焊料的TEC及其制备工艺_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202610142032.8
    本发明公开了一种预制金锡焊料的TEC及其制备工艺，涉及热电制冷器技术领域。本发明通过在电镀金时分开图形化制作，将阻焊制作提前至镀金前，避免了后续激光扫金导致损伤氮化铝陶瓷基板，或者扫金不均匀导致金锡溢锡，在镀金前活化上做出相应表面处理，将本...
    2026-05-09
  • 基于碲化铋/激光诱导石墨烯的温差发电器件及制备方法
    基于碲化铋/激光诱导石墨烯的温差发电器件及制备方法_河北工业大学_202610161908.3
    本发明提供了基于碲化铋/激光诱导石墨烯的温差发电器件及制备方法。其中包括PI基底，在PI上利用CO2激光打印出的LIG层，在LIG上交替涂覆P型、N型碲化铋材料以及最后利用CO2激光对碲化铋材料进行二次烧蚀，再通过导电银胶连接每个热电模块，...
    2026-05-09
  • 一种水冷式及工作区域可调控的热电致冷器
    一种水冷式及工作区域可调控的热电致冷器_杭州先导热电科技有限公司_202512020264.4
    本发明公开了一种水冷式及工作区域可调控的热电致冷器。解决了现有热电致冷器散热性能差，工作面区域无法调节的问题。热电致冷器包括上基板、下基板和热电组件，上基板划分为至少两个相邻的子基板，热电组件划分为若干热电单元，各热电单元分别对应子基板区域...
    2026-05-09
  • 一种MEMS热电堆红外传感器及其制备方法
    一种MEMS热电堆红外传感器及其制备方法_无锡中微晶园电子有限公司_202610184555.9
    本发明公开一种MEMS热电堆红外传感器及其制备方法。包括衬底，第一支撑膜，第二支撑膜，热电堆层，介质层，反射层和钝化层。热电堆层由多个双层热电偶对彼此串联而成，双层热电偶对包含第一热电偶P型多晶硅，氧化硅绝缘层和第二热电偶金属Al，且热端聚...
    2026-05-09
  • 一种基于N型PbSe晶体的新型热电发电材料及其制备方法
    一种基于N型PbSe晶体的新型热电发电材料及其制备方法_北京航空航天大学_202610302076.2
    本发明提出了一种基于N型PbSe晶体的新型热电发电材料及其制备方法，所述材料的化学式为PbxAg1+ySb1‑ySex+2，其中，10≤x≤60, 0.075≤y≤0.15；材料ZT值在室温下不低于0.4，在高温下不低于0.9，室温至800...
    2026-05-09
  • 一种复合界面电极及其制备方法和应用
    一种复合界面电极及其制备方法和应用_淮北师范大学_202610138514.6
    本发明属于柔性电极材料技术领域，具体涉及一种复合界面电极及其制备方法和应用。本发明采用与柔性基体相同或相容的离子聚合物材料，以在柔性基体形成一层粘结层；然后将电极分散液涂覆于粘结层上，利用电极分散液中的分散剂对已固化的粘结层表面进行可控的部...
    2026-05-09
  • 一种柔性压电纤维复合材料感驱协同器件
    一种柔性压电纤维复合材料感驱协同器件_湖南时代智材科技有限公司_202610157850.5
    本申请公开了一种柔性压电纤维复合材料感驱协同器件，涉及压电功能材料领域，该器件包括第一封装膜、第二封装膜及压电纤维复合材料层；第一封装膜及第二封装膜分别设置有上电极和下电极；压电纤维复合材料层沿长度方向分为驱动区和感知区；驱动区内的纤维沿长...
    2026-05-09
  • 一种具有仿生纹理的压电膜及其制备方法与应用
    一种具有仿生纹理的压电膜及其制备方法与应用_苏州大学_202610421512.8
    本发明公开了一种具有仿生纹理的压电膜及其制备方法与应用，该压电膜由具有核壳结构的纤维定向堆叠沉积形成，具有仿人体皮肤表层纹理的沟壑‑凸起交替的仿生形貌，且压电膜的孔径由贴附面沿着厚度方向逐渐增大；其中，所述具有核壳结构的纤维包括：核层，具有...
    2026-05-09
  • 一种基于TiAl合金过渡层的石英谐振力传感器界面强化结构及制备方法
    一种基于TiAl合金过渡层的石英谐振力传感器界面强化结构及制备方法_北京航空航天大学宁波创新研究院_202610412459.5
    本发明公开了一种基于TiAl合金过渡层的石英谐振力传感器界面强化结构及制备方法，该结构包括Fe基基底、TiAl合金过渡层、环氧树脂封装层和石英谐振片；TiAl合金过渡层沉积于Fe基基底表面，环氧树脂封装层包覆TiAl过渡层并将石英谐振片封装...
    2026-05-09
  • 转换元件和振动传感器
    转换元件和振动传感器_恩德斯豪斯欧洲两合公司_202511469932.5
    本发明涉及一种转换元件和振动传感器，所述转换元件(2)用于在机械振动和电信号之间转换。存在呈堆叠布置的各种压电元件(3)和作为导线的连接器(4)。相邻的压电元件(3)之间的凹槽(6)位于该堆叠的外侧(5)处。所述连接器(4)位于填充有导电填...
    2026-05-09
  • 半导体衬底上具有压电膜的装置
    半导体衬底上具有压电膜的装置_德州仪器公司_202511502610.6
    本申请案涉及半导体衬底上具有压电膜的装置。一种设备包含裸片(101)、接合层(108)及膜(110)。所述裸片(101)包含半导体衬底(102)、位于所述半导体衬底(102)上的金属化结构(104)及围绕所述金属化结构的至少一部分的介电材料...
    2026-05-09
  • 晶圆级射频集成电路结构及其制备方法
    晶圆级射频集成电路结构及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511822299.3
    本发明提供一种晶圆级射频集成电路结构及其制备方法，通过在同一片晶圆上同时集成声波滤波器件与其他功能器件，实现射频前端模组的小型化，极大地提高了芯片的面积利用率，满足移动终端对器件尺寸要求，通过芯片内部的金属互连线实现不同器件之间的电学连接，...
    2026-05-09
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