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最新专利技术
  • 制造电子装置的方法和相应的电子装置
    制造电子装置的方法和相应的电子装置_意法半导体国际公司_202511532994.6
    本公开涉及制造电子装置的方法和相应的电子装置。本说明书涉及一种制造电子装置的方法，该电子装置包括第二区域中的第一FinFET晶体管和第二区域中的第二MOSFET晶体管，方法包括：在第一区域中沿着半导体衬底的第一鳍状物形成第一长度的第一牺牲栅...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512011889.4
    在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件，其包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构；形成下部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域，半导...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512012127.6
    方法包括：形成邻近第一沟道区域的下部源极/漏极区域；在下部源极/漏极区域上方形成绝缘层；在绝缘层上方形成伪源极/漏极区域，其中，伪源极/漏极区域邻近第二沟道区域，其中，第二沟道区域位于第一沟道区域上方；在形成伪源极/漏极区域之后，在第一沟道...
    2026-05-10
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512012202.9
    方法包括：在用于底部器件的底部半导体沟道上方形成用于顶部器件的顶部半导体沟道；形成包裹顶部半导体沟道和底部半导体沟道的每个的高k栅极介电层；在高k栅极介电层上方形成第一栅极金属；回蚀第一栅极金属以暴露高k栅极介电层的顶部部分，而高k栅极介电...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202610008311.5
    本揭露的一实施方式提供半导体结构的制造方法。一种方法包括：在一第一装置区中且在一第二装置区中：形成多个第一磊晶层及多个第二磊晶层的一堆叠；在堆叠上方形成一牺牲栅极；蚀刻堆叠以形成具有一底表面的一空腔；移除第一磊晶层以形成多个缝隙；及在底表面...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202610121695.1
    本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例会提供包括第一器件区域和第二器件区域的半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成半导体层，形成从半导体层上表面延伸至半导体层内部的深隔离沟槽和栅极沟槽，在深隔离沟槽内部和栅极沟槽内部分别形...
    2026-05-10
  • 半导体结构的制造方法和半导体结构
    半导体结构的制造方法和半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610380978.8
    本申请实施例公开了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该方法包括提供一衬底，衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区；在衬底上方形成覆盖NMOS器件区和PMOS器件区的高介电常数介电层；在高介电常数介电层上方形成栅堆叠结构，栅堆叠结构位于N...
    2026-05-10
  • 用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理
    用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理_德州仪器公司_202511470155.6
    本公开涉及用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理。在实例中，装置包含半导体衬底、位于所述衬底上方的基座电介质堆叠以及位于所述衬底上的BJT。所述基座电介质堆叠在所述基座电介质堆叠的第一子层与第二子层之间的界面处包含氮。开口穿过所述基座...
    2026-05-10
  • p型氮化物基晶体管
    p型氮化物基晶体管_德州仪器公司_202511502946.2
    本公开涉及一种p型氮化物基晶体管。一种半导体装置(500)包含第一半导体材料(510、515)，所述第一半导体材料又包含双极结型晶体管BJT (504)；及第二半导体材料(550、555、560)，所述第二半导体材料位于所述第一半导体材料(...
    2026-05-10
  • 一种具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC-IGBT结构
    一种具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC-IGBT结构_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202610020613.4
    本发明提供一种具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC‑IGBT结构，该具有空穴流通路径及良好折衷关系的新型RC‑IGBT结构，包括器件主体，底部设集电极金属，依次向上为p+集电极区、FS层、n－漂移区，顶部含栅极沟槽、n+发射区、p+接触...
    2026-05-10
  • 用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理
    用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理_德州仪器公司_202511487309.2
    本申请涉及用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理。在示例中，一种装置包含半导体衬底(102)、底座电介质堆叠(402g，404e)、双极结型晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述衬底(102)包含BJT区(104)、FET区(110...
    2026-05-10
  • 一种半导体结构及其制备方法、电子设备
    一种半导体结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411509937.1
    本申请实施方式提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该电子设备包括半导体结构。该半导体结构包括器件层、接触层、互连层。器件层包括一个或多个器件。接触层位于器件层上方，包括第一介质层、一个或多个第一导电部和第二导电部；每个第一导电部与一个...
    2026-05-10
  • 半导体器件
    半导体器件_瑞萨电子株式会社_202511463474.4
    本公开的各实施例涉及半导体器件。一种LDMOSFET形成在半导体衬底的主表面处。LDMOSFET包括全部形成在n型半导体层中的n型漏极区、n型源极区、n型漂移区、第一p型阱区和第二p型阱区。n型漂移区与n型漏极区的底表面接触，第二p型阱区与...
    2026-05-10
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610124518.9
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，器件设含第一区、第二区的元胞区与外围区，基底包括依次层叠的衬底和外延层；元胞区外延层内设有元胞结构，栅极结构由元胞区延伸至外围区，并对应一元胞结构；第一导电层至少包括位于元胞区并与元胞结构电连接的第一导...
    2026-05-10
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510702577.5
    一种半导体器件包括：衬底，包括在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案上；第二源极/漏极图案，位于第二有源图案上；第一有源接触，位于第一源极/漏极图案上；第二有源接触，位于...
    2026-05-10
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510815831.2
    一种半导体装置包括：衬底，其包括彼此面对的第一表面和第二表面，并包括设置有不同导电类型的装置的第一装置区域和第二装置区域；各自在第一装置区域和第二装置区域处设置在衬底的第一表面上方的第一沟道图案和第二沟道图案；绝缘结构，其在第一装置区域与第...
    2026-05-10
  • 堆叠式集成电路器件
    堆叠式集成电路器件_三星电子株式会社_202511284027.2
    一种堆叠式集成电路器件包括多个纳米片堆叠结构、栅极分隔部、下栅电极、上栅电极、下栅极切割结构、上栅极切割结构和耦合栅极切割结构。上栅电极沿着耦合栅极切割结构的侧表面延伸并且电连接到下栅电极。
    2026-05-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511395775.8
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种半导体器件，其包括：沿第一方向延伸的位线；沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第一栅极；与第一栅极平行延伸的第二栅极；有源区，其包括位于第一栅极与第二栅极之间的垂直部分以及与位线和垂直部分接触的水平部...
    2026-05-10
  • 环栅纳米片场效应晶体管和制备方法
    环栅纳米片场效应晶体管和制备方法_华为技术有限公司_202512006468.2
    一种环栅纳米片场效应晶体管(100)和制备方法，该纳米片场效应晶体管(100)包括：衬底(10)，设置于所述衬底(10)表面的半导体凸起(11)；形成于所述半导体凸起(11)的两侧、并覆盖所述衬底(10)表面的绝缘层(12)，所述绝缘层(1...
    2026-05-10
  • 阵列基板的制备方法、阵列基板及电子设备
    阵列基板的制备方法、阵列基板及电子设备_浙江莱宝显示科技有限公司_202511957472.0
    本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及电子设备，包括：在衬底基板的表面依次形成栅极及栅极绝缘层；在栅极绝缘层的表面形成有源层及源漏极；在薄膜晶体管的表面形成防护结构，并对防护结构进行刻蚀处理形成防护结构的第一通孔，及对栅极绝缘层进行刻...
    2026-05-10
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