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一种替换便捷的功率模块设计方法
本发明公开了一种替换便捷的功率模块设计方法,涉及功率模块等半导体领域,包括:提供一模块外包络,模块外包络包含模块的正极、模块的输出极、模块的负极、散热底板、信号端子;在所述散热底板上设置多个可独立拆卸的单体塑封小模组;每个所述单体塑封小模组...
一种新型低电感高功率模块
本发明公开了一种新型低电感高功率模块,包括:散热基板、绝缘基板、注塑外壳、电子部件、上盖和至少三个功率端子;散热基板上形成有一安装面,安装面可拆卸地连接有注塑外壳,注塑外壳内形成有一安装腔;绝缘基板设置于安装面上,绝缘基板设置于安装腔内,绝...
多器件嵌埋的封装基板及其制作方法
本公开提供一种多器件嵌埋的封装基板及其制作方法。具体地,所述制作方法包括:提供一框架基板,所述框架基板包括第一口框和环形铜柱,接着将第一元器件放入第一口框中进行封装,再通过蚀刻环形铜柱得到第二口框,然后用具有粘性的树脂材料填满填第二口框,将...
双面嵌埋的封装基板及其制作方法
本公开提供一种双面嵌埋的封装基板及其制作方法,通过在一个口框内堆叠嵌埋至少两个元器件,达到减少制作流程,降低封装基板在平面方向的面积,减少封装尺寸的技术效果。
一种通过可刻蚀连接垫实现单孔多芯片连接的三维集成方法
本发明涉及一种通过可刻蚀连接垫实现单孔多芯片连接的三维集成方法,包括:至少两层的多层待堆叠芯片,每层芯片包括功能结构和易结合层,至少位于所述待堆叠芯片用于堆叠的面有所述易结合层,且至少有一层芯片包括可刻蚀连接垫;将多层待堆叠芯片对准、堆叠,...
一种实现三维堆叠芯片的连接方法
本发明涉及一种实现三维堆叠芯片的连接方法,包括:提供至少两片芯片,其中至少有一片所述芯片上有超深孔,所述超深孔填充有第一填充材料,所述超深孔通过连接结构与所述芯片内部形成材料连接,每片所述芯片用于堆叠键合的面有非连接结构易结合层;将所述多片...
焊接工装的制备方法、焊接工装、焊接方法及焊接结构
本申请公开了一种焊接工装的制备方法、焊接工装、焊接方法及焊接结构,属于毫米波射频传输技术领域。本申请基于高精度的半导体微加工工艺制备得到焊接工装,该焊接工装包括层叠设置的两层凹槽,结构简单易制且精度高;在焊接前通过将分立式肖特基二极管和电路...
一种散热载板的制造方法、散热载板及功率半导体器件
本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种散热载板的制造方法、散热载板及功率半导体器件。该制造方法包括:在陶瓷基板的一侧面沉积活性金属层,在活性金属层远离陶瓷基板的一侧面沉积熔融金属层,将金属基板层叠于熔融金属层远离活性金属层的一侧面,制成焊...
对准标记及获取对准偏移量的方法
一种对准标记及获取对准偏移量的方法,对准标记包括:切割道区,位于基底上;对准标记叠层结构,位于所述切割道的基底顶部,所述对准标记叠层结构包括第一对准标记以及位于所述第一对准标记上方的第二对准标记,且所述第一对准标记的尺寸与所述第二对准标记的...
一种功率半导体模块的封装结构
本发明提供一种功率半导体模块的封装结构,涉及半导体封装技术领域,包括:壳体,所述壳体的底部内壁固定有直接覆铜陶瓷基板,所述直接覆铜陶瓷基板上焊接有功率半导体芯片、信号端子和功率端子;所述壳体的各侧面的连接处设有绝缘挡板,和/或所述壳体的宽度...
用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器
本申请公开了一种用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器。用于芯片的防辐射方法包括:在所述芯片的外侧设置电极。本申请通过外加电极而不改变芯片本身的结构,使得带电粒子被电极吸收,没有影响到芯片本身的结构和性能,解决改变芯片设计导致性能改变的...
用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器
本申请公开了一种用于芯片的防辐射方法、芯片防护装置及探测器。防辐射方法包括:在芯片的外侧设置光反射模块,光反射模块与芯片的探测面之间设置预设距离且两者呈预设角度布置。本申请通过外部物理结构(光反射模块)在辐射到达芯片前进行干预,使得高能粒子...
一种高爬电距离功率器件封装结构
本发明提供一种高爬电距离功率器件封装结构,包括:封装件主体、基岛、椭圆锁胶孔、多个管脚和长条形凹槽;基岛开设于封装件主体的表面;椭圆锁胶孔开设于封装件主体的表面且与基岛的上方;多个管脚分别连接于封装件主体的底部;长条形凹槽开设于封装件主体的...
电子装置及电子装置的装配方法
提供一种电子装置,该电子装置能够有效地散发从半导体产生的热,并且小型、轻量化,该电子装置具备箱体(20)、基板(31)、半导体(33)、散热片(50)、第一凸部(51)、以及第二凹部(233),第一凸部(51)被设置于散热片,第二凹部被设置...
一种定向液冷-分级回退双频带射频收发集成组件
本发明属于半导体及其封装技术领域,具体涉及一种定向液冷‑分级回退双频带射频收发集成组件,通过多层玻璃基封装基体实现器件、散热与布线一体化集成,配合闭合接地TGV围栏提升双频带电磁兼容性。利用第一、第二温敏TGV与第一供电支路电流采样电阻构成...
用于功率电子设备的防错设计
本发明涉及一种用于冷却功率电子元件(2)的冷却器,包括壳体部件(10),所述壳体部件具有用于冷却流体的流动通道(11);和湍流器(20),所述湍流器具有流入区域(21)、流出区域(22)以及布置在它们之间的周期性交替结构(25)。其中,所述...
微柱结构、相变热沉及电子器件
本申请涉及微柱结构、相变热沉及电子器件。该微柱结构包括:窄径部,用于热耦合于待散热部;以及宽径部,固定于窄径部且位于远离待散热部的一侧,沿远离待散热部的方向,宽径部的横截面的外周轮廓面积大于窄径部的横截面的外周轮廓面积。该微柱结构可以实现提...
散热结构和封装结构
一种封装结构包含衬底、电子装置和散热结构。所述电子装置安置在所述衬底上方。所述散热结构安置在所述衬底上方并且附接到所述电子装置。所述散热结构包含散热部分和导电部分。所述散热部分经配置以将所述电子装置所生成的热量引导到所述封装结构的外部。所述...
一种功率模组及制备方法
一种功率模组及制备方法,其中,功率模组包括第一散热板和功率模块。第一散热板上设置有第一通孔,第一通孔的内壁设置有第一凸出部,第一凸出部的厚度小于第一散热板的厚度。功率模块包括功率器件和第一导热绝缘基板,功率器件连接于第一导热绝缘基板,第一导...
半导体装置及半导体结构
本公开提供了半导体装置及半导体结构。一种半导体装置包含基板、多个凸块及晶片。基板具有上表面与下表面。基板包含多个下接点、多个上接点、第一走线层、第二走线层、金属散热单元、凹槽及稳压器。第一走线层设置于上表面与下表面之间。第二走线层位于第一走...
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