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最新专利技术
  • 半导体装置及半导体结构
    半导体装置及半导体结构_瑞昱半导体股份有限公司_202511097504.4
    本公开提供了半导体装置及半导体结构。一种半导体装置包含基板、多个凸块及晶片。基板具有上表面与下表面。基板包含多个下接点、多个上接点、第一走线层、第二走线层、金属散热单元、凹槽及稳压器。第一走线层设置于上表面与下表面之间。第二走线层位于第一走...
    2026-04-30
  • 一种半大马士革互连结构及其制备方法
    一种半大马士革互连结构及其制备方法_浙江大学_202610135856.2
    本发明公开一种半大马士革互连结构及其制备方法。所述结构包括衬底、设置在衬底表面的无机硬掩膜层、位于无机硬掩膜层限定区域内的第一层金属互连层，所述第一层金属互连层包括衬里层及其上方的钌(Ru)线列；填充于相邻Ru线列之间的线间介质层；形成于所...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411498356.2
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：位于衬底上的多条阶梯位线，所述阶梯位线分布在沿垂直于所述衬底的方向分布的多个层中；所述阶梯位线包括相连接的水平部和垂直部；所述水平部沿平行于所述衬底的行方向延伸，所述垂直部沿垂直于所...
    2026-04-30
  • 半导体器件以及其形成方法
    半导体器件以及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411688237.3
    本发明公开一种半导体器件以及其形成方法，此半导体器件包括：高阻值阻抗层，在垂直方向介于栅极与第一金属结构之间，其中第一金属结构包括至少一个等电位第一金属与至少一个非等电位第一金属，其中等电位第一金属与高阻值阻抗层等电位、非等电位第一金属与高...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512009346.9
    一种实施例半导体器件包括衬底，该衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一组电子组件，位于衬底的第一侧；以及隔离结构位于衬底的第二侧，并且基于沿垂直方向的视角与第一组电子组件重叠。隔离结构包括导电条阵列。隔离结构包括导电条阵列和沿导电条阵列...
    2026-04-30
  • 半导体组件及其制造方法与检测方法
    半导体组件及其制造方法与检测方法_日扬科技股份有限公司_202511509869.3
    本发明涉及一种半导体组件及其制造方法与检测方法，其中制造方法包含下列步骤：提供至少一基材；以及进行形成步骤，用以利用选自于由激光加工工艺、微波加工工艺、射频加工工艺、放电加工工艺、湿式化学加工工艺、机械加工工艺、等离子体源加工工艺、粒子束加...
    2026-04-30
  • 半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件
    半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件_三星电子株式会社_202510892479.2
    提供了半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件。示例半导体装置包括：基底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；逻辑块，设置在基底的第一表面上；电力输送网络，包括在基底的第二表面上连接到逻辑块的电源线；以及连接结构，穿透基底并且连接上芯片垫和下...
    2026-04-30
  • 碳基集成电路的形成方法及碳基集成电路
    碳基集成电路的形成方法及碳基集成电路_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202610120386.2
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种碳基集成电路的形成方法及碳基集成电路，包括在碳纳米管的上表面形成若干初次介质层；在初次介质层的上表面以及初始沟道的沟壁和底面形成功函数金属层；在功函数金属层的上表面沉积介质材料，以形成二次介质层；去除特定高...
    2026-04-30
  • 导电塞的制备方法和半导体芯片
    导电塞的制备方法和半导体芯片_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511796233.1
    本公开提供了一种导电塞的制备方法和半导体芯片，属于电力电子领域。该钨塞的制备方法包括：制备外延片，所述外延片的表面具有过孔；将过渡金属材料溅射至所述过孔内，同时对所述过孔内的过渡金属材料进行离子轰击，以形成过渡金属层；在所述过渡金属层的表面...
    2026-04-30
  • 一种用于制造穿半导体连接的方法
    一种用于制造穿半导体连接的方法_IMEC非营利协会_202511389152.X
    提供经减薄的半导体基板，其正面具有前段制程部分。该部分包括位于基板正面的需要由穿过基板的连接来接触的各导电结构。从基板背面蚀刻开口，开口将被导电材料填充。开口底部至少部分地与待接触的导电结构的端表面重叠并与基板的半导体材料部分重叠。开口的蚀...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411498272.9
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件的制备方法包括在衬底上形成堆叠结构，并在所述堆叠结构远离所述衬底的一侧形成阶梯结构；在所述阶梯结构上形成阶梯状排布的多个焊盘；基于所述堆叠结构形成位线结构，所述位线结构包括在垂直于所述衬底方向...
    2026-04-30
  • 形成含硅层的方法和系统及使用其形成的结构
    形成含硅层的方法和系统及使用其形成的结构_ASMIP私人控股有限公司_202511531305.X
    公开了在衬底表面上形成含硅层的方法。示例性方法包括将含氧反应物提供到反应室中并且执行一个或多个沉积循环，其中每个沉积循环包括在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，并且在等离子体功率周期内提供脉冲等离子体功率以形成含硅层。
    2026-04-30
  • 反转图案形成方法
    反转图案形成方法_信越化学工业株式会社_202511511212.0
    本发明涉及反转图案形成方法。本发明的课题为提供可适用于使用高能射线的光学光刻尤其可适用于电子束(EB)光刻及EUV光刻的图案形成方法，该图案形成方法使用感度及极限解析度优良的非化学增幅抗蚀剂组成物来形成抗蚀剂图案，并以蚀刻耐性高的反转图案形...
    2026-04-30
  • 用于制造半导体器件的方法
    用于制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511192962.6
    提供制造半导体器件的方法。方法包括：在衬底的上表面上形成包括金属元素的下层；在下层的上表面上形成光刻胶层；通过对光刻胶层执行曝光工艺形成通过对光刻胶层的一部分曝光而形成的第一曝光区域、未对光刻胶层曝光的非曝光区域、以及通过对下层的第一曝光区...
    2026-04-30
  • 带光照装置的半导体设备
    带光照装置的半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202411481113.8
    本申请实施例提供一种带光照装置的半导体设备，涉及半导体技术领域，解决半导体器件的性能较差的技术问题。该半导体设备包括工艺模块以及半导体光照装置，半导体光照装置用于：在晶圆进入工艺模块之前，至少照射图案化的光刻胶层和/或暴露的抗反射层，对图案...
    2026-04-30
  • 半导体工艺的图案化方法及图案化系统
    半导体工艺的图案化方法及图案化系统_张江国家实验室_202411480772.X
    本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其该方法包括以下步骤：步骤(1)在基底材料上形成形成含有羰基的光刻胶层；步骤(2)通过光刻技术对所述光刻胶层进行图形化；步骤(3)在第一脉冲时间在反应腔内通入羧酸类分子源；步骤(4)对所述反应腔进行...
    2026-04-30
  • 宽带隙晶圆亚表面损伤检测方法及去除方法
    宽带隙晶圆亚表面损伤检测方法及去除方法_浙江工业大学_202610395731.3
    本发明提供了宽带隙晶圆亚表面损伤检测方法及去除方法。亚表面损伤检测方法先通过在宽带隙晶圆表面覆盖与其尺寸相匹配的掩模板，再在掩模板的上方设置遮盖板，挡住掩模板上的通孔；接着对具有掩模板保护的宽带隙晶圆进行等离子体刻蚀，在晶圆表面创出斜坡面；...
    2026-04-30
  • 一种GPP芯片电性不良品挑选处理方法
    一种GPP芯片电性不良品挑选处理方法_江苏英达富电子科技有限公司_202610131984.X
    本发明提供了一种GPP芯片电性不良品挑选处理方法，包括：S1，镀完金属的硅片进行探针台测试，对电性不良的晶粒打上墨点，对墨点进行烘干；S2，对芯片进行切割；S3，对硅片进行裂片；S4，使用治具将裂片完并且异丙醇挥发结束晾干的硅片的边缘外观不...
    2026-04-30
  • 检测平台及检测方法
    检测平台及检测方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511818501.5
    本公开提供了一种检测平台及检测方法，属于半导体制备技术领域。该检测平台，包括：第一平台、第二平台和驱动机构；第一平台具有多个孔洞，多个孔洞相互间隔排布；第二平台具有多个封堵件，封堵件与孔洞一一对应，多个封堵件相互间隔排布；驱动机构与第一平台...
    2026-04-30
  • 电子部件的检查装置以及电子部件的检查装置用带
    电子部件的检查装置以及电子部件的检查装置用带_DIC株式会社_202511419499.4
    本发明提供一种电子部件的检查装置以及电子部件的检查装置用带。本发明的检查装置具备：一对夹持夹具，其在X方向上移动自如，并夹持带(TA)的两个外缘部；一对挤压用轮(W)，其在X方向上彼此对置，旋转自如且在X方向上移动自如；驱动机构(电机(MW...
    2026-04-30
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