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  • 本发明涉及晶圆处理设备技术领域,尤其涉及一种自清理半导体设备用角阀结构及等离子体处理设备,包括阀壳体、工艺气体进管、支撑件、第一电极和第二电极;阀壳体上设置有与第一腔体连通的第一阀门口和第二阀门口,第一腔体的顶部设置有第二腔体,第二腔体内且...
  • 本发明涉及晶圆处理设备技术领域,尤其涉及一种等离子体喷射方向可调的角阀结构及等离子体处理设备,包括阀壳体、周向调节件、轴向滑轨、等离子体喷头和管路组件;阀壳体的内部设置有阀腔体,且阀壳体上设置有与阀腔体连通的第一阀门口和第二阀门口;管路组件...
  • 本发明涉及晶圆处理设备技术领域,尤其涉及一种具有自清理功能的半导体设备及清理方法,包括等离子体源、主真空管路、主清理管路、模式切换阀组和控制系统;主真空管路与工艺腔室连通,用于在正常工艺模式下引导来自工艺腔室的工艺气体及副产物,且所述主真空...
  • 本申请实施例提供一种用于半导体晶圆加热器氟化层成型的等离子设备及加工方法,包括等离子发生装置和反应腔室,该设备还包括:工艺气体输送系统,其被配置为向所述反应腔室提供独立可控的工艺气体,包括等离子气路、中心气路和边缘气路;气体导流装置,设置在...
  • 本发明提供一种对等离子体具有足够的耐久性的结构部件。具体而言,结构部件(10)具备基材(100)和覆盖基材(100)的表面(110)的保护膜(200)。保护膜(200)包含以镧锆氧化物为主成分的晶体,该晶体的晶格常数为10.830×10‑1...
  • 本发明提供一种对等离子体具有足够的耐久性的结构部件。具体而言,结构部件(10)具备基材(100)和覆盖基材(100)的表面(110)的保护膜(200)。保护膜(200)包含作为主成分的镧锆氧化物,且保护膜(200)的压痕硬度大于7.2GPa...
  • 本发明提供一种对等离子体具有足够的耐久性的结构部件。具体而言,结构部件(10)具备基材(100)和覆盖基材(100)的表面(110)的保护膜(200)。保护膜(200)包含作为主成分的镧钇氧化物。
  • 本申请公开了一种射频电流传输结构、半导体工艺设备、射频电流的检测方法及机台的检测方法,涉及半导体领域。一种射频电流传输结构,应用于半导体工艺设备,所述射频电流传输结构包括:由内至外依次设置的馈入件、介质层、第一回流层、磁性材料层和第二回流层...
  • 本发明公开了一种补偿静电卡盘直流自偏压的装置和系统,本发明涉及半导体加工技术领域,包括射频阻抗匹配器、数值转换单元和模数转换电路,射频阻抗匹配器用于提供与工艺条件相关的中间参数,本发明的优点在于:通过获取中间参数、计算直流自偏压近似值、反馈...
  • 本申请公开了一种电场偏转器及其制备方法、电场偏转控制系统,涉及半导体领域,用于实现电子束的高精度控制;电场偏转器包括:衬底和在衬底一侧设置的介质层、位于介质层中的与地电极连接的第一信号互联引线和与信号电极连接的第二信号互联引线、相对设置的第...
  • 本公开涉及一种离子注入装置及离子注入方法。该离子注入装置包括离子源和吸极结构。离子源具有狭缝;所述狭缝用于发射出离子束。吸极结构设置于离子源出射离子束的一侧并在设置位置固定。吸极结构包括:离子束入射口和离子束出射口、吸引电极、电磁透镜。离子...
  • 提供能够以简单的结构进行X射线管装置的劣化检测和寿命预测的X射线管装置及X射线装置。X射线管装置(1)具备:阴极(10),具有发射电子的灯丝(12)和使被发射的电子聚焦的聚焦体(14);阳极(20),通过从灯丝(12)发射的电子的入射而发射...
  • 本发明公开了一种用于电感耦合放电装置的高频天线接入装置,其特点是:将高频天线两条支腿的各一侧通过差模扼流圈分别连接至离子源上盖板,两条支腿A1的另一侧的寄生电容C0和C0’分别与差模扼流圈L1和L1’并联,通过调节差模扼流圈L1和L1’,使...
  • 本发明涉及一种采用锥形多段绝缘子的电子枪,包括阳极、绝缘结构、阴极支撑件、阴极筒、阴极和聚焦极,所述绝缘结构为锥形多段绝缘结构,该锥形多段绝缘结构包括多个锥形陶瓷段,相邻锥形陶瓷段间设置有金属封接薄片,形成交替堆叠结构,所述金属封接薄片在靠...
  • 本申请公开了一种触刀型熔断器,涉及熔断器的技术领域,其包括:熔断器本体、电源座、锁定机构、与触发机构;其中,当所述熔断器本体内部的主电路熔断时,所述顶杆向所述绝缘壳内部回缩,解除对所述锁定机构的抵触,随即触发锁定机构解锁,所述转台在所述扭簧...
  • 本发明涉及激励熔断器技术领域,具体为一种基于双熔体设计的电路保护用激励熔断器,装置本体,其内部填充有介质区域、并由上壳体和下壳体通过螺栓连接构成,上壳体和下壳体两侧通过开设卡接槽分别安装有一个电极片,两个电极片内通过两个熔体条连接;激发组件...
  • 一种电路保护装置,包含PTC元件、绝缘单元及装置电极单元。该PTC元件包括PTC层、第一PTC电极及第二PTC电极。该PTC层具有上表面、下表面及两个相反的侧壁,该两个侧壁互连于该上表面及该下表面。该第一PTC电极形成在该PTC层的上表面上...
  • 本发明公开了一种隔弧式触头灭弧系统及高分断能力断路器,隔弧式触头灭弧系统包括触头系统和灭弧系统,触头系统包括动触头组件和静触头组件,灭弧系统包括隔弧部件和灭弧室,隔弧部件设置有隔弧板和第一铰接点,隔弧部件传动连接于动触头组件;当动触头组件处...
  • 本发明涉及一种带双灭弧罩及双断点的交直流两用断路器,通过在中座两侧对称设置双灭弧室,为电弧提供了两个高效的独立熄灭空间,其对称结构能均衡应对交流过零熄弧与直流强制熄弧的不同需求,从而可靠实现交直流两用,灭弧罩骨架的导气口、中座的导气侧壁与由...
  • 本发明公开了一种灭弧系统及断路器,包括:灭弧室组件、动触头组件和静触头组件,所述灭弧室组件安装在所述静触头组件的上端,所述动触头组件位于所述灭弧室组件具有开口的一端。相对于现有技术,该灭弧系统在开断短路电流时可使电弧更容易被引导至灭弧室中切...
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