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最新专利技术
  • 基于TSV垂直互连的多层堆叠FPGA架构
    基于TSV垂直互连的多层堆叠FPGA架构_中科芯磁科技(珠海)有限责任公司_202512000276.0
    本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种基于TSV垂直互连的多层堆叠FPGA架构。本发明提供的基于TSV垂直互连的多层堆叠FPGA架构能够实现多层管芯在垂直方向上的互连，堆叠成逻辑资源更多的3D封装FPGA芯片，由于垂直互连信号通过TSV孔直接传...
    2026-04-29
  • 半导体存储器封装
    半导体存储器封装_三星电子株式会社_202510750152.1
    提供了一种半导体存储器封装，该半导体存储器封装包括：缓冲半导体管芯，包括被配置为执行与存储器控制器的通信的接口电路；多个核心半导体管芯，在垂直方向上堆叠在缓冲半导体管芯上，其中多个核心半导体管芯中的核心半导体管芯包括半导体存储器装置；以及异...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202610029375.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底沿第一方向的一侧表面上，衬底和外延层的材料包括碳化硅，第一方向为外延层背离衬底的方向；在外延层沿第一方向的另一侧表面上设置有栅极结构和源极电极，栅极结构和源极电...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202610007144.2
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法。半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括有源区以及位于有源区之间的浅沟槽隔离结构；形成第一栅介质层，覆盖部分衬底；形成高介电材料层，位于第一栅介质层以及衬底上；形成栅极材料层，层叠在高介电材料层上；...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制备方法、BCD器件
    半导体结构及其制备方法、BCD器件_上海积塔半导体有限公司_202610098532.6
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、BCD器件，包括：第一导电类型的衬底，衬底内包括沿平行于衬底的第一表面的第一方向间隔排列的有源区，以及位于相邻有源区之间的隔离区；有源区用于形成BCD器件中至少一个；衬底内设置有沿第一方向延伸的第一导电...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制备方法、BCD器件
    半导体结构及其制备方法、BCD器件_上海积塔半导体有限公司_202610098552.3
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、BCD器件，包括：第一导电类型的衬底，衬底内包括沿平行于衬底的第一表面的第一方向间隔排列的有源区，以及位于相邻有源区之间的隔离区；有源区用于形成BCD器件中至少一个；有源区内包括沿第一方向间隔排列的第二...
    2026-04-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512009372.1
    本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一源极/漏极结构；第二源极/漏极结构，在第一方向上与第一源极/漏极结构间隔开；第一沟道结构的第一部分，在第一高度处与第一源极/漏极结构相邻；第一沟道结构的第二部分，与第二源极/...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202610069823.2
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，其中制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成单元结构，单元结构包括交替排布的半导体柱和绝缘层；形成隔离沟槽结构，隔离沟槽结构位于相邻单元结构之间，并隔离单元结构；形成第一导线，第一导线环绕单元结构，并直接接...
    2026-04-29
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511228902.5
    提供可以改善元件性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：设置在有源图案上且包括栅电极和设置在栅电极上的栅极覆盖图案的栅极结构；设置在栅极结构的至少一侧的源极/漏极图案；设置在源极/漏极图案上并限定接触凹槽的接触硅化物膜；填充接触凹槽并连...
    2026-04-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540254.7
    根据本公开的半导体结构包括第一有源区域和第二有源区域、设置在第一有源区域上方的第一栅极结构、设置在第二有源区域上方的第二栅极结构，以及夹在第一栅极结构的侧壁和第二栅极结构的侧壁之间的栅极隔离部件。栅极隔离部件包括：第一介电层，与第一栅极结构...
    2026-04-29
  • 改善过孔腐蚀的制作方法及阵列基板、显示装置
    改善过孔腐蚀的制作方法及阵列基板、显示装置_昆山龙腾光电股份有限公司_202610019633.X
    本发明公开了一种改善过孔腐蚀的制作方法及阵列基板、显示装置，该制作方法包括：在衬底上方形成金属层；在金属层上方形成第一绝缘层，对第一绝缘层进行蚀刻并形成接触孔；在第一绝缘层上方形成第一透明导电层，并在第一透明导电层上方形成第二绝缘层，以第二...
    2026-04-29
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202610043527.5
    本申请公开了一种阵列基板及显示面板，属于显示技术领域，其目的在于至少改善相关技术中阵列基板的光线穿透率较低的技术问题。所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底上的多个晶体管和多个像素电极；其中，每个所述晶体管的第一电极与对应的一个所述像素电极通...
    2026-04-29
  • 显示面板
    显示面板_武汉华星光电技术有限公司_202610070762.1
    本申请提供一种显示面板，显示面板包括：数据线；晶体管，与数据线电性连接，且晶体管包括图案化有源层，图案化有源层设置于数据线对应的区域；以及屏蔽层，设置于图案化有源层和数据线之间。通过将与数据线电性连接的晶体管的图案化有源层设置于数据线对应的...
    2026-04-29
  • 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
    一种阵列基板及其制备方法、显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610145852.2
    本公开提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括基底和位于基底上的额驱动层，驱动层包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；开关薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极绝缘层和第一栅极；驱动薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极绝缘层和第二栅极...
    2026-04-29
  • 阵列基板及其制备方法和显示面板
    阵列基板及其制备方法和显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610146001.X
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板包括衬底、第一有源层、第二导电层。第一导电层包括第一电极部和第二电极部，第一电极部和第二电极部在第一沟道部的两侧与第一沟道部接触连接。第二导电层包括第一栅极，第一栅极在衬底的正投影和第...
    2026-04-29
  • 驱动背板及显示装置
    驱动背板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411508459.2
    本公开的实施例提供了一种驱动背板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示装置的显示效果。该驱动背板包括衬底和目标导电层。目标导电层包括第一导电部，且位于衬底的一侧，第一导电部的电阻率小于5.6×10‑8Ω·m；第一导电部具有相对设置的第一...
    2026-04-29
  • 阵列基板、显示面板和显示装置
    阵列基板、显示面板和显示装置_合肥京东方光电科技有限公司_202411510154.5
    提供一种阵列基板，包括呈阵列排布的多个像素区域，阵列基板包括衬底基板；位于多个像素区域内的多个像素驱动电路，像素驱动电路包括驱动晶体管和存储电容，存储电容包括第一电容电极、第二电容电极和第三电容电极；有机绝缘层，位于驱动晶体管远离衬底基板的...
    2026-04-29
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_苏州华星光电技术有限公司_202610093661.6
    本申请公开了一种阵列基板及显示面板；阵列基板包括栅极、有源层以及第一栅极绝缘层；有源层设置于栅极的一侧；第一栅极绝缘层设置于栅极和有源层之间，并与有源层相接触；其中，第一栅极绝缘层中靠近有源层一侧的氮含量小于第一栅极绝缘层中远离有源层一侧的...
    2026-04-29
  • 显示面板以及显示装置
    显示面板以及显示装置_重庆京东方光电科技有限公司_202610121117.8
    本申请提供了一种显示面板以及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括第一基板、第二基板以及密封胶的显示面板，其中，第一基板的衬底的边框区包括多个驱动模块，该驱动模块包括上拉单元、上拉节点以及目标晶体管，该上拉节点分别与目标晶体管以及上拉单...
    2026-04-29
  • 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板
    阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板_云谷(固安)科技有限公司_202610135217.6
    本申请实施例提供的一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，涉及显示技术领域，该衬底、驱动走线层，驱动走线层位于衬底的一侧，驱动走线层包括晶体管，驱动走线层包括位于衬底一侧的第一有源层、位于第一有源层远离衬底一侧的第一导电层以及位于第一导...
    2026-04-29
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