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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411455722.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：存储单元。存储单元包括：层叠设置的第一晶体管结构和第二晶体管结构，第二晶体管结构的源极或漏极与第一晶体管结构的栅极连接。其中，第一晶体管结...
    2026-04-30
  • 半导体芯片及半导体封装结构
    半导体芯片及半导体封装结构_长鑫科技集团股份有限公司_202411473147.2
    本公开提供了半导体芯片及半导体封装结构，涉及半导体技术领域。该半导体芯片包括：地址焊盘，地址焊盘沿垂直于半导体芯片的中轴线方向上分布，且地址焊盘以半导体芯片的中轴线为中心线镜像对称；数据焊盘，数据焊盘沿垂直于半导体芯片的中轴线方向上分布，且...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制造方法以及存储系统
    半导体器件及其制造方法以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411479768.1
    本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制造方法以及存储系统。半导体器件包括第一半导体结构和焊盘引出结构；第一半导体结构包括：半导体层、晶体管、导电结构、绝缘结构、接触结构和连接结构，半导体层具有相对的第一侧和第二侧；晶体管位...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411505335.9
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备，涉及集成电路技术领域，本公开先在第一横向槽中形成第一介电层，刻蚀去除第一横向槽的两端的第一介电层，定义出第一横向槽两端的源、漏接触区，再向第一横向槽中沉积半导体层和第二介电层，避免刻蚀第一横向...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411516071.7
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件：半导体主体、第一隔离结构、第一隔离层以及第二隔离层。半导体主体沿第一方向延伸。第一隔离结构位于半导体主体的在第二方向上的一侧，并沿第三方向延伸。第一隔离层位于第一隔离结...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411516252.X
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括基底以及至少一个晶体管；所述至少一个晶体管包括第一极、第二极、沟道层和栅电极，栅电极沿着垂直于基底所在平面的方向延伸，沟道层环绕栅电极且绝缘设置；所述至少一个晶体管包括第一接触部和第二接触...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202411517285.6
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件：半导体主体、电容器以及第一连接结构。半导体主体沿第一方向延伸。电容器位于半导体主体的在第一方向上的一侧。第一连接结构位于半导体主体和电容器之间，并包括在第一方向上设置的第一端面和第...
    2026-04-30
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411517610.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件包括半导体主体、凸起部以及栅极结构，半导体主体沿第一方向延伸，并具有第一端部、第二端部以及位于第一端部和第二端部之间的中部；凸起部至少部分位于第一端部的与第一方向相交的方...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510050928.9
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括衬底、第一隔离结构、第二隔离结构、字线、垫层、覆盖层以及虚设图案。所述衬底具有存储元件区与周边区。所述第一隔离结构设置于所述存储元件区中的所述衬底中，以界定出有源区。所述第二隔离结构设...
    2026-04-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510989620.0
    一种半导体器件包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括第一衬底和位于所述第一衬底上的多个存储单元；以及第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括与所述第一衬底垂直交叠的第二衬底以及位于所述第二衬底上的多个外围电路晶体管，其中，所述第二堆叠结构包括：...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_福建省晋华集成电路有限公司_202610074798.7
    本申请涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；连接垫，位于衬底上，连接垫沿第一方向排成多行，沿第二方向排成多列，形成连接垫阵列；外围堤结构，设置在连接垫阵列的外侧；角围堤结构，设置在连接垫阵列与外围堤结构之间；其中，外围堤结构...
    2026-04-30
  • 存储器单元结构、三维集成存储阵列及制备方法
    存储器单元结构、三维集成存储阵列及制备方法_北京大学_202610183039.4
    本申请公开了一种存储器单元结构、三维集成存储阵列及制备方法，涉及半导体器件领域，该存储器单元结构包括晶体管以及存储结构，存储结构位于晶体管的漏端，晶体管的沟道层设置为环形结构，且连接于源端和漏端之间，晶体管的栅极结构设置于环形沟道层内侧，存...
    2026-04-30
  • 存储器装置
    存储器装置_福建省晋华集成电路有限公司_202610186401.3
    本发明公开了一种存储器装置。存储器装置包括半导体衬底、多条位线结构、第一侧壁结构、存储节点接触结构与第一空隙、凹陷和第二侧壁结构，位线结构与存储节点接触结构设置在半导体衬底上，各位线结构沿第一方向延伸，且多条位线结构沿第二方向排列设置，第一...
    2026-04-30
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202610395899.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，制备方法包括：提供第一初始结构，形成位于第一区域上的第一开口以及位于第二区域上的对准结构；提供第二初始结构，第一堆叠层和第二堆叠层均包含交替叠设的第一子层和第二子层；将第一初始...
    2026-04-30
  • 一种闪存阵列及闪存芯片
    一种闪存阵列及闪存芯片_杭州知存算力科技有限公司_202610304117.1
    本发明公开了一种闪存阵列及闪存芯片。闪存阵列包括阵列排布的多个闪存模块；闪存模块包括一个存算单元和至少一个虚设单元；存算单元与虚设单元相间排布；虚设单元包括第一衬底、位于第一衬底内的第一漏极区域、第一源极区域和第一沟道区域、及位于第一衬底上...
    2026-04-30
  • 芯片封装结构、电子设备、三维存储器及其制作方法
    芯片封装结构、电子设备、三维存储器及其制作方法_华为技术有限公司_202411500929.0
    本申请实施例公开了一种芯片封装结构、电子设备、三维存储器及其制作方法，涉及半导体存储技术领域，减小了三维存储器的布线设计复杂、工艺复杂且成本较高的问题。三维存储器包括具有阵列区和台阶区的衬底、包括多个存储单元的堆叠结构、控制线及多个连接电路...
    2026-04-30
  • 基于二维超快闪存的LED显示驱动电路制备方法和电路结构
    基于二维超快闪存的LED显示驱动电路制备方法和电路结构_复旦大学_202511993072.5
    本发明实施例提供一种基于二维超快闪存的LED显示驱动电路制备方法和和电路结构，方法包括：在目标衬底上沉积图案化的第一金属薄膜作为电荷俘获层；通过定位转移法在所述电荷俘获层上堆叠六方氮化硼薄膜作为隧穿层；通过机械剥离法制得二硫化钼薄膜，将所述...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411516082.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一导电结构和第二导电结构。第二导电结构位于第一导电结构在第一方向上的一侧且与第一导电结构接触。第二导电结构与第一导电结构接触的部分在第二方向上朝第一导电结构凸出。第一方向与...
    2026-04-30
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411516095.2
    本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括第一导电结构、堆叠结构、接触结构和第二导电结构。堆叠结构位于第一导电结构在第一方向上的一侧，并包括在第一方向上交替堆叠的第一介质层和栅极层。接触结构位于第一导电结构在第一方向...
    2026-04-30
  • 存储器阵列及具有其的设备
    存储器阵列及具有其的设备_北京新忆科技有限公司_202511868354.2
    本申请提出一种存储器阵列及具有其的设备，其中，存储器阵列包括多个2T1R结构，所述2T1R结构包括第一晶体管、第一存储器单元和第二晶体管，所述第一晶体管的第一端分别连接所述第一存储器单元的第一端和所述第二晶体管的第二端；位于同一行的多个所述...
    2026-04-30
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