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纺织,织造,皮革制品制作工具,设备的制造及其制品技术处理方法
  • RF放大器
    RF放大器_恩智浦有限公司_202011283534.1
    本公开描述了一种用于在SiGe HBT技术中实施的RF放大器。所述RF放大器具有共源共栅级，所述共源共栅级包括串联布置在第一电压轨与第二电压轨之间的共基极(CB)晶体管和共发射极(CE)晶体管。RF输入耦合到所述CE晶体管的基极，且RF输出...
    2026-04-22
  • 一种多机组水电站的振动协同抑制控制方法及系统
    一种多机组水电站的振动协同抑制控制方法及系统_云南华电金沙江中游水电开发有限公司_202610037806.0
    本发明公开了一种多机组水电站的振动协同抑制控制方法及系统，涉及数据处理技术领域，方法包括：获取机组，获取机组的振动数据序列；根据振动数据序列获取第i目标时间段，获取第i目标时间点；获取对比数据序列，获取第i对比时间段，获取第i对比时间段的首...
    2026-04-22
  • 一种自适应高效波浪能发电装置及方法
    一种自适应高效波浪能发电装置及方法_青岛哈尔滨工程大学创新发展中心_202310961770.1
    本发明提供一种自适应高效波浪能发电装置及方法，包括直线发电机、数据采集装置、电动机、吸能浮体、连杆以及中央控制器，所述直线发电机底部设置有至少一个所述电动机，所述电动机底部均与所述吸能浮体相连，所述吸能浮体顶部设置有所述连杆，所述连杆延伸进...
    2026-04-22
  • 半导体封装及半导体封装的制造方法
    半导体封装及半导体封装的制造方法_富士胶片株式会社_202480058540.7
    一种半导体封装及其制造方法，该半导体封装具有：密封层，其包括至少1个半导体晶粒和密封材料；再配线层A，其与上述半导体晶粒中的至少1个接触且与上述半导体晶粒的电路连接；导电性连接部，其与上述再配线层A连接；及基板，其与上述导电性连接部连接，上...
    2026-04-22
  • 一种通过组合DAC提高分辨率的装置和方法
    一种通过组合DAC提高分辨率的装置和方法_重庆御芯微信息技术有限公司_202511878855.9
    本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种通过组合DAC提高分辨率的装置和方法。本发明通过多个低分辨率DAC的组合与协同控制，以简洁的逻辑架构实现了分辨率的显著跃升。其核心优势在于普适性强，能够对任意初始分辨率的DAC进行精度提升，无需受限于特...
    2026-04-22
  • 一种镜头遮光罩及镜头
    一种镜头遮光罩及镜头_深圳市唯卓仕科技有限公司_202520867956.5
    本实用新型属于摄影器材及其附属设备技术领域，涉及一种镜头遮光罩及镜头。该镜头遮光罩包括罩体；至少两个弹性卡爪，弹性卡爪沿周向设置于罩体的内侧；至少两个限位件，限位件设置于罩体的内侧，且与各弹性卡爪沿周向交错设置；至少两个第一卡位凸缘，第一卡...
    2026-04-22
  • 一种单反相机镜头变焦调节器
    一种单反相机镜头变焦调节器_苏州优熠精密机械有限公司_202521238578.0
    本实用新型涉及相机变焦技术领域，具体是一种单反相机镜头变焦调节器，包括与相机可拆卸连接的底板，所述底板的下方设置有安装板，所述底板与安装板之间转动连接，所述底板的顶面一端设置有调节机构，所述调节机构的顶面设置有用于对相机变焦的驱动件，所述调...
    2026-04-22
  • 一种高压大电流IGBT驱动电路
    一种高压大电流IGBT驱动电路_西安航天动力测控技术研究所_202111429562.4
    本发明公开了一种高压大电流IGBT驱动电路，包括第一逻辑控制电路和第二逻辑控制电路，还包括上桥臂光耦电路，上桥臂驱动信号调理电路，第一IGBT功率管Q1，下桥臂光耦电路，下桥臂驱动信号调理电路，第二IGBT功率管Q2；上桥臂光耦电路接收第一...
    2026-04-22
  • 一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器
    一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器_安徽大学_202211448884.8
    本发明主要是为了解决现有的自恢复锁存器面积开销大、功耗高、难以实现双节点同时自恢复的问题，公开了一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，包括双循环结构存储模块和三个传输门，所述双循环结构存储模块由七个二输入C单元和两个反相器组成。本发明...
    2026-04-22
  • 压电振动元件以及压电器件
    压电振动元件以及压电器件_京瓷株式会社_202480059454.8
    压电振动元件具备：具有振动部和厚壁部且俯视观察下为矩形形状的振动片；以及位于厚壁部的一组搭载电极。厚壁部沿着振动片的至少2边而设置。搭载电极中的至少一方跨越第一面上的第一部分和与第一面相反的一侧的第二面上的第二部分而设置。第一部分以及第二部...
    2026-04-22
  • 弹性波器件
    弹性波器件_国立大学法人东北大学_202480056934.9
    提供一种即使在3.5GHz以上的频带中也具有比较宽的带宽及高阻抗比的弹性波器件。具有：压电薄板(11)，其由LiNbO3和LiTaO3中的任意一方构成；多个电极体(12)，其隔开间隔排列配置在该压电薄板(11)的一个表面上；以及浮置电极(1...
    2026-04-22
  • 一种玻璃饭盒成型模具
    一种玻璃饭盒成型模具_宁波精金家居用品有限公司_202521006419.8
    本实用新型涉及模具技术领域，公开了一种玻璃饭盒成型模具，包括底架，底架上端面固定安装有固定框，固定框上端面中心处固定安装有气缸，气缸的活塞端固定连接有升降板，升降板下端面固定安装有上模，底架上端面中心处固定安装有定位盘，定位盘上端面设置有底...
    2026-04-22
  • 一种联合选矿工艺分步实现超低品位铬铁矿综合利用的方法
    一种联合选矿工艺分步实现超低品位铬铁矿综合利用的方法_中国地质科学院矿产综合利用研究所_202511930713.2
    本发明涉及选矿技术领域，公开了一种联合选矿工艺分步实现超低品位铬铁矿综合利用的方法，包括以下步骤：S1.将原矿中的铬铁矿进行破碎、磨矿，再通过重选作业，得到重选精矿和重选尾矿；S2.将所述重选精矿经过分级作业，得到分级精矿和分级尾矿，所述分...
    2026-04-22
  • 光刻胶组合物和使用其制造半导体器件的方法
    光刻胶组合物和使用其制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511413503.6
    本公开提供了光刻胶组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：在基板上形成第一抗蚀层，在第一抗蚀层上形成第二抗蚀层，曝露第二抗蚀层的第一区域，通过对第二抗蚀层执行热处理以去除第二抗蚀层的未曝露的第二区域来形成光刻胶图案...
    2026-04-22
  • 多相位时钟产生电路
    多相位时钟产生电路_四川和芯微电子股份有限公司_202511927351.1
    本发明公开了一种多相位时钟产生电路，其包括时钟边沿检测单元、延时计数单元、分频单元，时钟边沿检测单元通过第二时钟采样第一时钟的边沿，当时钟边沿检测单元检测到第一时钟的边沿时，输出第一使能信号至延时计数单元，外部一相位选择信号输入至延时计数单...
    2026-04-22
  • 地沟盖板
    地沟盖板_新乡市龙锦精密铝管科技有限公司_202520955100.3
    本实用新型提供一种地沟盖板，包括固定在地沟顶部的框架本体，框架本体为矩形，框架本体中活动设置有盖板本体，盖板本体的顶部框架本体的顶部平齐，多个排水孔，框架本体的内侧壁上设置有用于对盖板本体的侧端进行支撑的支撑框架，支撑框架的内侧壁上还设置有...
    2026-04-22
  • 一种市政污水管道防堵塞监测装置
    一种市政污水管道防堵塞监测装置_浙江境源环保科技有限公司_202520926733.1
    本实用新型涉及市政污水管道技术领域，且公开了一种市政污水管道防堵塞监测装置，包括第一排污管，所述第一排污管右侧设置有监测机构，所述监测机构顶部设置有密封机构，所述监测机构包括检查井，所述检查井固定连接于第一排污管右侧，所述检查井右侧固定连接...
    2026-04-22
  • 一种动态温度校正的振荡电路
    一种动态温度校正的振荡电路_芯海科技(深圳)股份有限公司_202310290841.X
    本发明提供的动态温度校正的振荡电路，适用于半导体技术领域，包括振荡电路和动态温度校正电路，其特征在于，振荡电路包括比较器，动态温度校正电路包括温度传感器，通过温度传感器读取当前的环境温度，动态温度校正电路根据当前的环境温度调节比较器的偏置电...
    2026-04-22
  • 一种基于智能优化算法的可变分数延迟FIR滤波器优化设计方法
    一种基于智能优化算法的可变分数延迟FIR滤波器优化设计方法_贵州大学_202610026357.X
    一种基于智能优化算法的可变分数延迟FIR滤波器优化设计方法，包括：S1将Farrow结构可变分数延迟滤波器的设计问题，转化为求解两个病态线性方程组；S2：采用改进的主元加权迭代算法对所述病态线性方程组进行求解，主元加权算法的加权因子通过指数...
    2026-04-22
  • 可变极开关管的控制系统
    可变极开关管的控制系统_深圳讴艾半导体有限公司_202610016627.9
    本发明提供了一种可变极开关管的控制系统，可变极开关管包括：栅极、第一可变漏源极端口、第二可变漏源极端口和BULK本体端；栅极连接外部栅极电路，第一可变漏源极端口连接外部第一电路，第二可变漏源极端口连接外部第二电路，BULK本体端连接外部本体...
    2026-04-22
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