台湾积体电路制造股份有限公司杨恺洁获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224234183U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520114810.3，技术领域涉及：H10W40/25；该实用新型半导体装置是由杨恺洁;温伟源;廖思雅设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型实施例的各种实施例涉及一种半导体装置，其包括管芯、散热组件、基座以及突出结构，连接至所述基座的顶面并从所述基座的所述顶面向上延伸，所述基座和所述突出结构包含各向异性导热结构，所述各向异性导热结构包括聚合材料和导热材料，其中所述各向异性导热结构包括在平行于所述散热组件的底面的水平方向上交替排列的多个第一层状部分和多个第二层状部分，所述多个第一层状部分与所述多个第二层状部分在垂直于所述散热组件的所述底面的方向上延伸，所述多个第一层状部分由所述导热材料和所述聚合材料构成，所述第二层状部分由所述聚合材料构成，且所述多个第一层状部分为导热部分，所述多个第二层状部分为热绝缘部分。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征是，包括： 管芯；以及 散热组件，在所述管芯上方，且包括： 基座；以及 突出结构，连接至所述基座的顶面并从所述基座的所述顶面向上延伸，所述基座和所述突出结构包含各向异性导热结构，所述各向异性导热结构包括聚合材料和导热材料，其中所述各向异性导热结构包括在平行于所述散热组件的底面的水平方向上交替排列的多个第一层状部分和多个第二层状部分，所述多个第一层状部分与所述多个第二层状部分在垂直于所述散热组件的所述底面的方向上延伸，所述多个第一层状部分由所述导热材料和所述聚合材料构成，所述第二层状部分由所述聚合材料构成，且所述多个第一层状部分为导热部分，所述多个第二层状部分为热绝缘部分。
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