苏州大学张中达获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利具有微纳互锁界面的忆阻器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224218783U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202620455215.0，技术领域涉及：H10N70/20；该实用新型具有微纳互锁界面的忆阻器是由张中达;王穗东设计研发完成，并于2026-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有微纳互锁界面的忆阻器在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体忆阻器技术领域，涉及一种具有微纳互锁界面的忆阻器，包括衬底层、底部电极层、电荷补偿介质层、半导体活性层和顶部电极层；半导体活性层和电荷补偿介质层的接合面设有微纳结构，两层之间通过该微纳结构形成物理互锁。本实用新型通过微纳互锁界面实现面状离子迁移机制替代忆阻器的点状导电细丝，离子沿整个互锁界面均匀迁移和再分配，从物理根源上消除导电细丝形成的随机性，实现阻值的高线性度连续调控；同时，微纳互锁结构通过物理锚定效应约束离子迁移路径，在多次循环中保持电学行为的一致性和可重复性，提升器件的结构稳定性和使用寿命；此外，互锁界面将弯折应力分散至微结构侧壁，有效防止层间剥离。
本实用新型具有微纳互锁界面的忆阻器在权利要求书中公布了：1.具有微纳互锁界面的忆阻器，其特征在于，包括： 衬底层； 底部电极层，其设置于所述衬底层的上表面； 电荷补偿介质层，其设置于所述底部电极层的上表面； 半导体活性层，其设置于所述电荷补偿介质层的上表面；所述半导体活性层和所述电荷补偿介质层的接合面设有微纳结构，所述半导体活性层和所述电荷补偿介质层之间通过所述微纳结构形成物理互锁； 顶部电极层，其设置于所述半导体活性层的上表面。
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