捷捷微电(南通)科技有限公司莫家宁获国家专利权
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龙图腾网获悉捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224218742U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520978899.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构是由莫家宁;徐雷军设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构包括：衬底，位于衬底表面的多个有源区沟槽、至少一个终端分压环沟槽及至少一个终端截止环沟槽；终端分压环沟槽位于有源区沟槽的外侧，并将有源区沟槽包围，终端截止环沟槽位于终端分压环沟槽的外侧；其中，至少一个终端分压环沟槽中包括距离有源区沟槽最近的目标终端分压环沟槽，目标终端分压环沟槽与有源区沟槽之间的间距、相邻两个有源区沟槽之间的间距相等。本申请提供的屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构具有稳定了器件耐压，降低器件在耐压过程中的漏电的优点。
本实用新型一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构，其特征在于，所述屏蔽栅沟槽型MOSFET终端结构包括： 衬底； 位于所述衬底表面的多个有源区沟槽、至少一个终端分压环沟槽及至少一个终端截止环沟槽；所述终端分压环沟槽位于所述有源区沟槽的外侧，并将所述有源区沟槽包围，所述终端截止环沟槽位于所述终端分压环沟槽的外侧；其中， 所述至少一个终端分压环沟槽中包括距离所述有源区沟槽最近的目标终端分压环沟槽，所述目标终端分压环沟槽与所述有源区沟槽之间的间距、相邻两个有源区沟槽之间的间距相等。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人捷捷微电(南通)科技有限公司，其通讯地址为：226000 江苏省南通市崇川区苏锡通科技产业园区井冈山路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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