银硅(宁波)科技有限公司袁亮获国家专利权
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龙图腾网获悉银硅(宁波)科技有限公司申请的专利一种低应变硅碳负极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121601637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610114147.6，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种低应变硅碳负极材料及其制备方法是由袁亮;李胜;赖桂棠;方斌;黄世强;王方瑞;陈子豪;曹恩德;陈俊毅;毛苗苗;王道淼设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低应变硅碳负极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低应变硅碳负极材料及其制备方法，制备方法包括步骤：S100、将镁源和钒源合成MgV2O6产物；S200、混合多孔碳与所述MgV2O6产物，制得基体材料；S300、在惰性气体中使用硅烷气源与碳气源在所述基体材料的外表面与孔道进行气相沉积，得到硅碳负极材料。本申请首先通过镁源与钒源制得具有稳定晶体结构的MgV2O6，在后续的制备过程中提供刚性支撑，提升使用稳定性与热稳定性。通过在基体材料上气相沉积硅烷气源与碳气源以原位生成硅碳活性物质，使硅原子、碳原子与基体材料表面的碳原子形成牢固的化学键合，硅膨胀时产生的应力被硅碳负极材料的内部结构吸收，从而制得高使用稳定性的硅碳负极材料。
本发明授权一种低应变硅碳负极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低应变硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括步骤： S100、将镁源和钒源合成MgV2O6产物； S200、混合多孔碳与所述MgV2O6产物，制得基体材料，所述多孔碳与所述MgV2O6产物的质量比值为1：0.02~0.1； S300、在惰性气体中使用硅烷气源与碳气源在所述基体材料的外表面与孔道进行气相沉积，得到硅碳负极材料；以及 所述步骤S200为：将多孔碳与所述MgV2O6产物在水或乙醇中超声分散后干燥，制得第二中间产物，在惰性气体中煅烧所述第二中间产物制得基体材料，煅烧温度为500℃~700℃，煅烧时间为1h~4h。
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