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龙图腾网获悉西安智多晶微电子有限公司申请的专利一种用于12nm工艺的基准电压生成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121578848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610121190.5，技术领域涉及：G05F1/46；该发明授权一种用于12nm工艺的基准电压生成电路是由魏宁;贾弘翊;韦嶔设计研发完成，并于2026-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于12nm工艺的基准电压生成电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于12nm工艺的基准电压生成电路，涉及集成电路技术领域，包括：第一基准电路，用于基于电流镜结构，利用两个晶体管的栅源电压差通过电阻产生与电源电压无关的第一基准电压；第二基准电路，用于基于放大器的钳位产生稳定的参考电流，并利用电阻的正温度系数特性产生随温度升高而减小的第二基准电压；放大器，用于接收第一基准电压，输出与电源电压无关的第一差分电压；或者接收第二基准电压，利用电阻的正温度系数特性对第二基准电压进行补偿，输出振幅稳定的、与温度无关的第二差分电压。该基准电压生成电路中，通过两种各有侧重的基准电路协同工作，为系统不同部分提供局部最优的基准，从而在整体上实现系统性能的优化。

本发明授权一种用于12nm工艺的基准电压生成电路在权利要求书中公布了：1.一种用于12nm工艺的基准电压生成电路，其特征在于，包括： 第一基准电路，用于基于电流镜结构，利用两个晶体管的栅源电压差通过电阻产生与电源电压无关的第一基准电压； 第二基准电路，用于基于放大器的钳位产生稳定的参考电流，并利用电阻的正温度系数特性产生随温度升高而减小的第二基准电压； 放大器，用于接收所述第一基准电压，并输出与电源电压无关的第一差分电压；或者接收所述第二基准电压，利用电阻的正温度系数特性对所述第二基准电压进行补偿，输出振幅稳定的、与温度无关的第二差分电压； 所述第一基准电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第二十三晶体管、第二十四晶体管、第二十五晶体管、第二十六晶体管、第二十七晶体管、第一可调电阻、第一电容和第二电容，其中，所述第一晶体管的漏极连接第二十七晶体管的漏极，所述第一晶体管的栅极连接第五晶体管的栅极、第八晶体管的栅极，所述第一晶体管的源极连接第二晶体管的漏极和栅极、第六晶体管的栅极、第九晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极连接第一可调电阻的一端、第九晶体管的源极、第十三晶体管的源极且连接接地端；所述第三晶体管的源极连接第七晶体管的源极、第十晶体管的源极、第十一晶体管的源极、第二十三晶体管的源极、第二十六晶体管的源极且连接电源电压端，所述第三晶体管的栅极连接第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的源极、所述第十一晶体管的栅极、所述第二十三晶体管的栅极、所述第二十六晶体管的栅极；所述第四晶体管的栅极连接第七晶体管的栅极和漏极、第八晶体管的漏极、第十晶体管的漏极、第十二晶体管的栅极、第二十四晶体管的栅极、第二十七晶体管的栅极，所述第四晶体管的漏极连接第五晶体管的漏极；所述第五晶体管的源极连接第六晶体管的漏极；所述第六晶体管的源极连接第一可调电阻的另一端；所述第八晶体管的源极连接第九晶体管的漏极；所述第十晶体管的栅极输入第一延迟信号；所述第十一晶体管的漏极连接第十二晶体管的源极；所述第十二晶体管的漏极连接第十三晶体管的漏极和栅极、第一电容的一端、第二电容的一端、第十四晶体管的源极、第十五晶体管的漏极；所述第一电容的另一端、第二电容的另一端均连接接地端；所述第十四晶体管的栅极输入正向信号，所述第十五晶体管的栅极输入负向信号，所述第十四晶体管的漏极连接所述第十五晶体管的源极且输出所述第一基准电压；所述第二十三晶体管的漏极连接第二十四晶体管的源极；所述第二十六晶体管的漏极连接第二十七晶体管的源极；所述第二十四晶体管的漏极连接第二十五晶体管的漏极和栅极；第二十五晶体管的源极且连接接地端； 所述第二基准电路包括：第二十八晶体管、第二十九晶体管、第三十晶体管、第三十一晶体管、第二可调电阻、运算放大器、第九电容、第十电容、第十一电容、第十二电容和电压产生电路，其中，所述运算放大器的同相输入端连接第二十八晶体管的漏极和栅极、第二可调电阻的一端，所述运算放大器的反相输入端连接电压产生电路的输出端、第九电容的一端，所述运算放大器的输出端连接第十电容的一端、第二十九晶体管的栅极、第十一电容的一端、第十二电容的一端、第三十晶体管的源极、第三十一晶体管的漏极；所述第二可调电阻的另一端连接电源电压端；所述第二十八晶体管的源极连接第二十九晶体管的漏极；所述第九电容的另一端、所述第十电容的另一端、所述第十一电容的另一端、所述第十二电容的另一端、所述第二十九晶体管的源极均连接接地端；所述第三十晶体管的栅极输入负向信号，所述第三十一晶体管的栅极输入正向信号；所述第三十晶体管的漏极连接所述第三十一晶体管的源极且输出所述第二基准电压。

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