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龙图腾网获悉深圳市创飞芯源半导体有限公司申请的专利深沟槽场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511776891.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权深沟槽场效应晶体管及其制备方法是由杨旭刚;田月姣设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本深沟槽场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种深沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：在N型衬底中形成P型层和N型层；形成栅沟槽和终端沟槽；离子注入形成N型源区；在沟槽中形成栅氧化层；在沟槽中形成第一多晶硅层、厚氧化层和第二多晶硅层；沉积介质层；形成漏接触区、源接触区、栅接触区和终端接触区；形成源极、栅极和漏极，源极同时与N型源区和终端接触区连接。本发明可以将源极、栅极、漏极同时贴装至散热基板，极大优化了散热路径，降低了源极通路电感；本发明的源接触区设置在终端区，其只需直接刻蚀介质层和介质层下方的衬底实现，工艺可控性高，步骤简单，源接触区的刻蚀工艺具有较高的稳定性。

本发明授权深沟槽场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述深沟槽场效应晶体管包括终端区和有源区，所述制备方法包括： 提供一N型衬底，通过第一离子注入工艺在所述N型衬底表层形成P型层，通过第二离子注入工艺在所述P型层表层形成N型层； 在所述有源区和所述终端区刻蚀分别形成栅沟槽和终端沟槽，所述栅沟槽和所述终端沟槽贯穿所述N型层并延伸至所述P型层中； 在所述栅沟槽中形成遮挡栅接触区的P型层的阻挡层，通过离子注入在所述栅沟槽下方形成N型源区，所述N型源区自所述栅沟槽下部延伸至所述N型衬底中，去除所述阻挡层； 在所述栅沟槽和所述终端沟槽中形成栅氧化层； 在所述栅沟槽和所述终端沟槽中形成第一多晶硅层、厚氧化层和第二多晶硅层的栅叠层结构，所述厚氧化层还形成在所述第二多晶硅层与所述栅沟槽、所述终端沟槽之间的侧壁； 在所述N型层上沉积介质层； 在有源区的第一区域刻蚀去除所述介质层以形成漏接触区，所述漏接触区显露所述N型层； 在有源区的第二区域和所述终端区的终端沟槽区域刻蚀所述介质层和所述栅叠层结构以形成栅接触区和终端接触区，所述栅接触区和终端接触区贯穿所述第二多晶硅层和厚氧化层并延伸至所述第一多晶硅层中； 在终端区刻蚀所述介质层、N型层、P型层和N型衬底，以形成源接触区，所述源接触区延伸至所述N型衬底内，所述源接触区位于所述终端接触区远离所述栅沟槽的一侧； 在所述介质层上和终端接触区、源接触区、栅接触区及漏接触区中沉积金属层，对所述金属层进行图形化以分别形成源极、栅极和漏极，所述源极同时连接所述终端接触区和源接触区； 形成栅叠层结构包括： 在所述栅沟槽和所述终端沟槽填充第一多晶硅层并刻蚀所述第一多晶硅层至所述栅沟槽和所述终端沟槽内一深度，以显露所述栅沟槽和所述终端沟槽的顶部，刻蚀后的所述第一多晶硅层的顶面高于所述N型层与所述P型层的界面； 在所述第一多晶硅层表面和所述栅沟槽和所述终端沟槽的顶部侧壁形成厚氧化层； 在所述栅沟槽和所述终端沟槽的顶部沉积第二多晶硅层，并对所述第二多晶硅层进行平坦化处理以去除所述N型层表面的第二多晶硅层。

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