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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510119694.9，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权二极管及其制备方法是由李理设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二极管及其制备方法，二极管包括：N型衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型衬底的一侧；多个沟槽，多个沟槽沿N型外延层的长度方向间隔设置于N型外延层，各个沟槽的一端与N型衬底间隔设置，各个沟槽的另一端与N型外延层的远离N型衬底的一侧连通；多个沟槽包括依次设置的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽的深度和第三沟槽的深度均大于第二沟槽的深度；多个P型外延区，多个P型外延区一一对应地设置于多个沟槽；第一金属填充区，第二沟槽内的P型外延区形成开口凹槽，第一金属填充区设置于开口凹槽，解决了现有技术中的SIC二极管器件的单位面积的耐高压性能较差的问题。

本发明授权二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管，其特征在于，包括： N型衬底1； N型外延层2，所述N型外延层2设置于所述N型衬底1的一侧； 多个沟槽3，所述多个沟槽3沿所述N型外延层2的长度方向间隔设置于所述N型外延层2，各个所述沟槽3的一端与所述N型衬底1间隔设置，各个所述沟槽3的另一端与所述N型外延层2的远离所述N型衬底1的一侧连通；所述多个沟槽3包括依次设置的第一沟槽31、第二沟槽32和第三沟槽33，所述第一沟槽31的深度和所述第三沟槽33的深度均大于所述第二沟槽32的深度； 多个P型外延区4，所述多个P型外延区4一一对应地设置于所述多个沟槽3，每个所述沟槽3内设置一所述P型外延区4，所述第一沟槽31和所述第三沟槽33被所述P型外延区4填满； 第一金属填充区5，所述第二沟槽32内的所述P型外延区4形成开口凹槽41，所述第一金属填充区5设置于所述开口凹槽41； 所述二极管包括P型离子注入区6，所述P型离子注入区6设置于所述N型外延层2，所述P型离子注入区6的掺杂浓度小于所述P型外延区4的掺杂浓度；所述第一沟槽31的靠近所述第二沟槽32的一侧设置有所述P型离子注入区6，所述第一沟槽31的远离所述第二沟槽32的一侧不设置所述P型离子注入区6；和或所述第二沟槽32的相对两侧均设置有所述P型离子注入区6；和或所述第三沟槽33的靠近所述第二沟槽32的一侧设置有所述P型离子注入区6，所述第三沟槽33的远离所述第二沟槽32的一侧不设置所述P型离子注入区6。

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