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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510111571.0，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权二极管结构是由李理设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本二极管结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二极管结构，包括：基底层体，基底层体包括相对设置的顶面和底面；填充槽，设置在基底层体上，填充槽沿基底层体的长度方向或宽度方向延伸，由底面至顶面的方向，填充槽的开口逐渐增大；填充层体，设置在填充槽内，填充层体在填充槽内设置有第一欧姆接触区；第一金属层体，设置在基底层体的顶面上，并与基底层体形成肖特基接触，第一金属层体的至少部分嵌设在填充槽内。本申请解决了现有技术中的SIC二极管器件的耐高压能力较低的问题。

本发明授权二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种二极管结构，其特征在于，包括： 基底层体100，所述基底层体100包括相对设置的顶面和底面； 填充槽200，设置在所述基底层体100上，所述填充槽200沿所述基底层体100的长度方向或宽度方向延伸，由所述底面至所述顶面的方向，所述填充槽200的开口逐渐增大； 填充层体300，设置在所述填充槽200内，所述填充层体300在所述填充槽200内设置有第一欧姆接触区； 第一金属层体400，设置在所述基底层体100的顶面上，并与所述基底层体100形成肖特基接触，所述第一金属层体400的至少部分嵌设在所述填充槽200内； 所述填充槽200包括：第一槽体210，设置在所述基底层体100上； 第二槽体220，设置在所述基底层体100上并与所述第一槽体210连通，所述第二槽体220位于所述第一槽体210靠近所述顶面的一端；所述第一槽体210的深度大于所述第二槽体220，所述第一槽体210的宽度小于所述第二槽体220； 所述填充层体300包括：P型外延层体310，设置在所述第一槽体210内，所述P型外延层体310与所述第一槽体210的槽壁面贴合； P型注入层体320，设置在所述第二槽体220内，所述P型注入层体320与所述第一金属层体400连接；所述P型外延层体310中的P型外延的掺杂浓度大于所述P型注入层体320中P型注入的掺杂浓度； 所述二极管结构还包括：第二金属层体500，所述第二金属层体500的第一端设置在所述第一槽体210内，所述第二金属层体500的第二端设置在所述第二槽体220内，所述第一端与所述P型外延层体310连接，以形成所述第一欧姆接触区； 所述P型注入层体320具有与所述第一金属层体400贴合的连接端面321，所述第二金属层体500具有与所述第一金属层体400贴合的第二端面，所述第二端面与所述连接端面321位于同一平面内。

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