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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510020311.2，技术领域涉及：G11C29/04；该发明授权闪存的测试方法是由谢中华;唐娴设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存的测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存的测试方法，将闪存的存储单元全部擦除置“1”之后，再加电压进行浮栅缺陷筛查，通过该测试方法加在存储单元上的源区与位线的电压差远大于终端用户操作模式下的源区与位线的电压差；源区电压耦合到浮栅上，再叠加上存储单元因为擦除后自身的正电位，从而使得浮栅缺陷筛查获得远大于终端用户操作模式下的浮栅与位线之间电压差，以将存储单元的异常浮栅与位线击穿互连；对闪存进行写“1”操作，异常浮栅所在整列的存储单元写“1”失效，从而筛选出异常浮栅所在整列的存储单元。将浮栅缺陷芯片在良率测试阶段筛选出来，不流到终端用户，降低造成终端失效的可靠性风险。提高闪存的可靠性，避免闪存终端用户模式使用失效。

本发明授权闪存的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存的测试方法，其特征在于，包括： 提供闪存，所述闪存包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括若干个呈矩阵排列的存储单元，所述存储单元为分栅式闪存单元；每个所述存储单元包括均位于衬底上的浮栅、字线和位线；每列的所述存储单元共用所述位线； 对所述闪存的所述存储单元进行擦除； 对擦除后的所述存储单元进行加电压浮栅缺陷筛查，以将所述存储单元的异常浮栅与所述位线击穿互连；所述浮栅缺陷筛查加在所述存储单元上的源区与所述位线的电压差高于终端用户实际使用时加在所述源区与所述位线的电压差； 对所述闪存进行写“1”操作，所述异常浮栅所在整列的所述存储单元写“1”失效，从而筛选出所述异常浮栅所在整列的所述存储单元；写“1”操作是维持擦除后所述存储单元的存储位一直为“1”状态；在不需要编程的若干所述存储单元上施加电压，使所述存储单元不满足编程条件，沟道的电压不被打开，对应的所述存储单元的电子不会从所述衬底进入所述浮栅，所述存储单元的存储位一直为“1”的状态。

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