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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种MOSFET器件和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411929198.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种MOSFET器件和芯片是由陈昊宇设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET器件和芯片在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种MOSFET器件和芯片，包括N型衬底；N型外延层，设于N型衬底另一侧；N型电流扩展层和第一P型埋层，设于N型外延层上方；N型电流扩展层与第一P型埋层连接；第一N+区，设于第一P型埋层的表面形成的凹槽中；沟槽，形成于N型电流扩展层和第一P型埋层上方；源极多晶硅区、栅极多晶硅区和氧化层，设于沟槽内，氧化层覆盖源极多晶硅区和栅极多晶硅区的表面。本发明实施例通过N型电流扩展层和第一P型埋层形成在源极多晶硅下方的沟道二极管，当器件处于反向导通状态时，沟道二极管比体二极管先导通，从而避免了处于反向续流工作模式时，体二极管续流损耗大且存在双极退化的问题。

本发明授权一种MOSFET器件和芯片在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括： N型衬底； N型外延层，设于所述N型衬底一侧； N型电流扩展层和第一P型埋层，设于所述N型外延层上方；所述N型电流扩展层与所述第一P型埋层连接； 第一N+区，设于所述第一P型埋层的表面形成的凹槽中； 沟槽，形成于所述N型电流扩展层和所述第一P型埋层上方； 源极多晶硅区、栅极多晶硅区和氧化层，设于所述沟槽内，所述氧化层覆盖所述源极多晶硅区和栅极多晶硅区的表面；所述源极多晶硅区通过所述氧化层与所述第一P型埋层、所述第一N+区和所述N型电流扩展层连接，通过所述N型电流扩展层和所述第一P型埋层形成在所述源极多晶硅区下方的沟道二极管；所述栅极多晶硅区通过所述氧化层与所述N型电流扩展层连接；所述栅极多晶硅区通过所述氧化层与所述源极多晶硅区连接； P型基区，设于所述N型电流扩展层的上方，所述P型基区通过所述氧化层与所述栅极多晶硅区的侧面连接；所述N型电流扩展层与所述第一P型埋层形成的势垒高度小于所述N型电流扩展层与所述P型基区形成的势垒高度和所述N型外延层与所述第一P型埋层形成的势垒高度； P+区和第二N+区，设于所述P型基区上方，所述第二N+区通过所述氧化层与所述栅极多晶硅区的侧面连接，所述第二N+区与所述P+区位于同一层； 源极，所述源极形成在所述氧化层、所述第一P型埋层、所述第一N+区、所述P+区、第二N+区表面；所述源极多晶硅区对应的氧化层设有接触孔，以使所述源极与所述源极多晶硅区接触；当所述MOSFET器件处于正向阻断状态时，与所述源极相连的所述第一P型埋层用于降低栅极沟槽底部的电场强度。

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