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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311007873.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备是由桂文华;艾学正;王少华;段晶晶;王祥升;王桂磊;戴瑾设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括：多个沿着垂直衬底方向堆叠的存储单元；存储单元包括晶体管和电容，所述多个存储单元的多个晶体管分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸的字线；晶体管包括第一电极、第二电极和环绕所述字线侧壁的半导体层；电容包括第一极和第二极，所述第一极连接所述第一电极；所述多个存储单元的多个电容的第一极分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；所述半导体器件还包括：贯穿不同层的所述第一极的至少一个第一通孔，所述第二极包括设置在所述第一通孔内沿垂直于衬底方向延伸的竖直部。本实施例提供的方案，电容的第二极设置在第一极的孔内，有利于减小器件面积，增大器件密度，且简化工艺，降低成本。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 多个沿着垂直衬底方向堆叠的存储单元；所述存储单元包括晶体管和与所述晶体管连接的电容，所述多个存储单元的多个晶体管分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠； 贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸的字线； 所述晶体管包括第一电极、第二电极和环绕所述字线侧壁的半导体层；所述电容包括第一极和第二极，所述第一极连接所述第一电极；所述多个存储单元的多个电容的第一极分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠； 所述半导体器件还包括：贯穿不同层的所述第一极的至少一个第一通孔，所述第二极包括设置在所述第一通孔内沿垂直于衬底方向延伸的竖直部，以及，包裹所述第一极远离所述字线的端面和与所述端面相邻的垂直于衬底方向的侧壁的环绕部，其中，所述第一极完全环绕所述竖直部，沿垂直于衬底方向相邻的第一极之间填充有绝缘层。

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